安森美半导体
)
塑料NPN硅
高电压功率晶体管
。 。 。在线路供电的设备设计用于诸如音频
输出放大器;低电流，高电压的转换器;和AC线
继电器。
2N5655
2N5657
0.5安培
功率晶体管
NPN硅
250-350伏
20瓦
出色的直流电流增益 -
的hFE = 30-250 @ IC = 100 MADC
电流增益 - 带宽积 -
FT = 10兆赫（最小值） @ IC = 50 MADC
最大额定值（ 1 ）
等级
PD ，功耗（瓦）
符号
VCEO
VCB
VEB
IC
IB
2N5655
250
275
2N5657
350
375
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
6.0
0.5
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
0.25
总功率耗散@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
PD
20
0.16
瓦
W / ℃，
_C
TJ ， TSTG
-65到+150
3 2
1
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-09
TO- 225AA型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
单位
热阻，结到外壳
6.25
° C / W
（ 1 ）表示JEDEC注册的数据。
40
30
50毫亨
20
HG继电器
+
X
200
TO SCOPE
6.0 V
Y
300
50 V
+
-
10
0
1.0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
图2.耐受电压测试电路
安全区的限制是由图3和4这两个限制是适用的，必须遵守指示。
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年4月 - 启示录7
出版订单号：
2N5655/D
