INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5655
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5656
2N5657
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
2N5655
I
首席执行官
集电极截止电流
2N5656
2N5657
2N5655
I
CBO
集电极截止电流
2N5656
2N5657
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
h
FE-4
f
T
C
OB
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100毫安，我
B
=10mA
I
C
= 250毫安，我
B
=25mA
I
C
= 500毫安，我
B
=100mA
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
V
CE
= 150V ;我
B
=0
V
CE
= 200V ;我
B
=0
V
CE
= 250V ;我
B
=0
V
CB
= 275V ;我
E
=0
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
CB
= 375V ;我
E
=0
2N5655 2N5656 2N5657
条件
民
250
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;L=50mH
300
350
1.0
2.5
10
1.0
V
V
V
V
V
0.1
mA
10
μA
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 100毫安; V
CE
=10V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 500毫安; V
CE
=10V
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V;f=10MHz
F = 100kHz的; V
CB
=10V;I
E
=0
25
30
15
5
10
0.1
1.0
10
mA
μA
250
兆赫
25
pF
2
