INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
2N5301
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
2N5302
2N5303
V
CEsat-1
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极 - 发射极
饱和电压
集电极 - 发射极
饱和电压
2N5301/5302
I
C
= 10A ;我
B
=1A
2N5303
2N5301/5302
2N5303
2N5301/5302
2N5303
I
C
= 20A ;我
B
=2A
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
I
C
= 30A ;我
B
=6A
I
C
= 20A ;我
B
=4A
I
C
= 10A ;我
B
=1A
I
C
= 15A ;我
B
=1.5A
2N5303
2N5301/5302
2N5303
2N5301/5302
2N5303
2N5301/5302
2N5303
I
C
= 20A ;我
B
=2A
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
2N5301 2N5302 2N5303
条件
民
40
60
80
典型值。
最大
单位
V
0.75
V
1.0
2.0
V
1.5
3.0
V
2.0
1.7
1.8
V
2.0
2.5
I
C
= 20A ;我
B
=4A
I
C
= 15A ; V
CE
=2V
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
V
CE
=额定V
首席执行官
; V
BE （OFF）的
=1.5V
T
C
=150℃
V
CE
=额定V
首席执行官
; I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
; I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
40
15
60
1.7
V
1.5
3.0
V
2.5
1.0
10
5.0
1.0
5.0
mA
mA
mA
mA
V
V
V
CEsat-2
V
CEsat-3
V
BEsat-1
V
BEsat-2
基射极饱和电压
基射
饱和电压
基射
饱和电压
基射
ON电压
基射
ON电压
2N5301/5302
V
BEsat-3
V
BE-1
V
BE-2
I
CEX
I
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
集电极截止电流
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
2N5303
直流电流增益
2N5301/5302
2N5303
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 15A ; V
CE
=2V
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
5
I
C
= 30A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V;f=1.0MHz
2
兆赫
h
FE-3
f
T
直流电流增益
2N5301/5302
跃迁频率
2
