【INCHANGE半导体产品speci fi cation硅NPN功率晶体管描述·带TO- 3封装.C】,IC型号2N5302,2N5302 PDF资料,2N5302经销商,ic,电子元器件-51电子网

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N4398 /五千七百四十五分之四千三百九十九

ULOW

集电极/饱和电压

优秀

安全工作区

应用

For

在功率放大器和开关使用

电路中的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N5301 2N5302 2N5303

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

V

CBO

固电

IN

导½

半

参数

条件

2N5301

2N5302

2N5303

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

NG

HA

C

2N5301

2N5302

2N5303

SEM

发射极开路

ND

ICO

器

UC

价值

40

60

80

40

60

80

单位

V

开基

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

2N5301/5302

集电极电流

2N5303

基极电流

总功耗

结温

储存温度

集电极开路

5

30

V

A

20

7.5

T

C

=25℃

200

-65~200

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5301

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5302

2N5303

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5301/5302

I

C

= 10A ;我

B

=1A

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 30A ;我

B

=6A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 10A ;我

B

=1A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

2N5301 2N5302 2N5303

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.75

V

1.0

2.0

V

1.5

3.0

V

2.0

1.7

1.8

V

CEsat-2

V

CEsat-3

V

BEsat-1

V

BEsat-2

基射极饱和电压

基射

饱和电压

2N5301/5302

2N5303

V

BEsat-3

固电

IN

基射

饱和电压

基射

ON电压

基射

ON电压

导½

半

2N5303

2N5301/5302

V

BE-1

V

BE-2

SEM

NG

HA

C

2N5301/5302

2N5303

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

ND

ICO

器

UC

2.5

1.7

1.5

3.0

2.5

1.0

10

5.0

1.0

5.0

40

15

60

2.0

V

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

I

CEX

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

2N5303

直流电流增益

2N5301/5302

2N5303

mA

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

h

FE-3

f

T

直流电流增益

2N5301/5302

跃迁频率

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

5

2

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5301 2N5302 2N5303

固电

IN

导½

半

SEM

NG

HA

C

ND

ICO

器

UC

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

2N5302

尺寸以毫米（英寸）。

25.15 (0.99)

26.67 (1.05)

10.67 (0.42)

11.18 (0.44)

1.52 (0.06)

3.43 (0.135)

6.35 (0.25)

9.15 (0.36)

在一个双极NPN器件

密封TO3

金属包装。

38.61 (1.52)

39.12 (1.54)

0.97 (0.060)

1.10 (0.043)

29.9 (1.177)

30.4 (1.197)

22.23

(0.875)

马克斯。

16.64 (0.655)

17.15 (0.675)

1

2

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 60V

3

（案例）

3.84 (0.151)

4.09 (0.161)

7.92 (0.312)

12.70 (0.50)

I

C

= 30A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规范。

TO3 （ TO204AA ）

引脚配置

1 - 基地

2 - 发射极

案例 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

60

30

单位

V

A

-

Hz

@ 2/15 (V

CE

/ I

C

)

15

2M

60

200

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

31-Jul-02

技术参数

NPN大功率硅晶体管

每个合格的MIL -PRF-四百五十六分之一万九千五

器件

2N5302

2N5303

资质等级

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

0 (1)

2N5302

60

5.0

30

2N5303

80

20

单位

VDC

ADC

W

W/

0

C

0

C

单位

C / W

@ T

A

= +25 C

@ T

C

= +100

0

C

(2)

操作&存储结温范围

P

T

J

,

T

英镑

符号

R

θ

JC

7.5

5.0

115

-65到+200

马克斯。

0.875

TO-3*

(TO-204AA)

热特性

特征

热阻，结到外壳

1 ）线性降额28.57毫瓦/

0

对于T

A

= +25

0

C

2 ）减额线性1.14 W /

0

对于T

C

= +100

0

C

0

*请参阅附录A

包装外形

电气特性

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 200 MADC ，我

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0

V

CE

= 80伏直流，我

B

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 5.0伏，我

C

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

BE

= 1.5伏，V

CE

= 60 V

dc

V

BE

= 1.5伏，V

CE

= 80 V

dc

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 VDC

V

CE

= 80伏直流

2N5302

2N5303

2N5302

2N5303

V

（ BR ）

首席执行官

60

80

10

5.0

VDC

I

首席执行官

I

EBO

μAdc

2N5302

2N5303

2N5302

2N5303

I

CEX

I

CBO

μAdc

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N5302 ， 2N5303 JAN系列

电气特性

特征

基本特征

正向电流传输比

I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 2.0伏

所有类型

I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏

2N5302

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 2.0伏

2N5303

I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏

2N5302

I

C

= 20 ADC ，V

CE

= 4.0伏

2N5303

基射极饱和电压

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

所有类型

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5302

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5303

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC

2N5302

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 4.0 ADC

2N5303

基射极不饱和电压

V

CE

= 2.0伏;我

C

= 15 ADC

2N5302

V

CE

= 2.0伏;我

C

= 10位ADC

2N5303

V

CE

= 4.0伏;我

C

= 30 ADC

2N5302

V

CE

= 4.0伏;我

C

- 20 ADC

2N5303

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

2N5302

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

2N5303

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5302

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5303

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC

2N5302

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 4.0 ADC

2N5303

I

C

= 30Adc ，我

B

= 6.0 ADC

2N5302

动态特性

小信号短路的幅度

正向电流传输比

I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

开关特性

延迟时间

上升时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 10位ADC ;我

B

=

1.0 ADC

贮存时间

下降时间

安全工作区

符号

分钟。

马克斯。

单位

h

FE

40

15

5.0

60

V

BE （ SAT ）

1.7

1.8

2.0

2.5

1.8

1.5

3.0

2.5

0.75

1.0

1.5

2.0

3.0

VDC

V

BE

VDC

V

CE （ SAT ）

VDC

h

fe

C

敖包

t

2.0

40

800

0.2

0.9

2.0

1.0

pF

s

d

r

t

s

t

f

t

直流试验：T已

C

= 25

0

C， 1个周期，T

≥

1.0 s

测试1

V

CE

= 6.67伏，我

C

= 30 ADC

V

CE

= 10 VDC ，我

C

- 20 ADC

测试2

V

CE

= 20伏直流，我

C

= 10位ADC

测试3

V

CE

= 40 VDC ，我

C

= 3.0Adc

测试4

V

CE

= 50伏直流，我

C

= 600 MADC

V

CE

= 60 VDC ，我

C

= 600 MADC

钳位电压= 60 VDC ，我

C

= 30 ADC

钳位电压= 80伏直流电，我

C

- 20 ADC

2N5302

2N5303

2N5302; 2N5303

2N5302

2N5303

钳位开关：T已

A

= 25

0

C，V

CE

± 15 VDC

2N5302

2N5303

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·采用TO-3封装

·补键入2N4398 / 5745分之4399

·低集电极/饱和电压

·卓越的安全工作区

应用

·对于功率放大器和开关的使用

电路中的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

2N5301 2N5302 2N5303

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

绝对最大额定值（Ta =

)

符号

参数

2N5301

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5302

2N5303

2N5301

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5302

2N5303

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25

2N5301/5302

2N5303

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

30

20

7.5

200

-65~200

V

A

W

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

2N5301

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5302

2N5303

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

I

C

= 10A ;我

B

=1A

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 30A ;我

B

=6A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 10A ;我

B

=1A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

符号

2N5301 2N5302 2N5303

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.75

1.0

2.0

1.5

3.0

2.0

1.7

1.8

2.0

2.5

1.7

1.5

3.0

2.5

1.0

10

5.0

1.0

5.0

40

15

60

V

CEsat-2

V

CEsat-3

V

BEsat-1

V

BEsat-2

V

基射极饱和电压

基射

饱和电压

基射

饱和电压

基射

ON电压

基射

ON电压

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

V

BEsat-3

V

BE-1

V

BE-2

I

CEX

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

V

mA

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

2N5303

2N5301/5302

直流电流增益

跃迁频率

2N5303

2N5301/5302

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

2

5

h

FE-3

f

T

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5301 2N5302 2N5303

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

2N5302

高功率NPN硅

晶体管

高功率NPN硅晶体管的功率放大器使用

和开关电路的应用。

特点

http://onsemi.com

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 0.75伏直流（最大） @我

C

= 10位ADC

无铅包装是可用*

最大额定值

（注1 ）（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

等级

符号

V

首席执行官

V

CB

I

C

I

B

价值

60

30

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

单位

VDC

ADC

30安培

功率晶体管

NPN硅

60伏， 200瓦

PD ，功耗（瓦）

连续集电极电流 - （注2 ）

基极电流

7.5

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.14

W

W / ℃，

_C

T

J

, T

英镑

- 65至+ 200

热特性

特征

符号

q

JC

q

CA

最大

单位

TO- 204AA （TO- 3）

案例1-07

风格1

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到环境

0.875

34

° C / W

强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大

额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作

工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力

推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。

1.表示JEDEC注册的数据。

2.脉冲测试：脉冲宽度= 5

女士，

占空比

≤

10%.

T

A

T

C

8.0 200

6.0 150

标记图

2N5302G

Ayyww

MEX

T

C

4.0 100

T

A

2.0

50

2N5302

G

A

YY

WW

MEX

160

180

200

=器件代码

= Pb-Free包装

=地点代码

=年

=工作周

=原产地

0

20

40

60

80

100 120 140

温度（℃）

订购信息

设备

2N5302

包

TO204

（无铅）

航运

100单位/托盘

图1.电源温度降额曲线

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2006年

2N5302G

1

三月， 2006-第2版

出版订单号：

2N5302/D

3.表示JEDEC注册的数据。

4.脉冲宽度

v

300

女士，

占空比

v

2.0%.

开关特性

（注3）

动态特性

（注3）

基本特征

开关特性

（注3）

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

下降时间

贮存时间

上升时间

小信号电流增益（I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电流增益 - 带宽积（我

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）

*基射极电压上（注4 ）

(I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

*基射极饱和电压（注4 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC）

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC）

*集电极 - 发射极饱和电压（注4 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC） 2

(I

C

= 30 ADC ，我

B

= 6.0 ADC）

直流电流增益（注4 ）

*(I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

*(I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

*(I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射极截止电流（V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 1.5伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注4 ）

(I

C

= 200 MADC ，我

B

= 0)

+11 V

2.0 V

输入脉冲

t

r

≤

20纳秒

PW = 10至100

ms

占空比= 2.0 ％

图2.开启时间

10

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 10位ADC ，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

特征

切换时间等效测试电路

V

CC

3.0

+30 V

TO

范围

t

r

≤

20纳秒

http://onsemi.com

2N5302

2

+11 V

9.0 V

0

输入脉冲

t

r

≤

20纳秒

PW = 10至100

ms

占空比= 2.0 ％

V

CEO （ SUS ）

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

I

CEX

h

FE

h

fe

f

T

图3.关断时间

t

s

t

r

t

f

民

2.0

40

15

5.0

40

60

10

V

BB

= 7.0 V

D

0.75

2.0

3.0

最大

1.7

3.0

1.7

1.8

2.5

5.0

1.0

5.0

60

10

1.0

2.0

1.0

V

CC

3.0

+30 V

TO

范围

t

r

≤

20纳秒

MADC

兆赫

单位

VDC

ms

2N5302

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

单脉冲

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

0.02

P

（ PK）

q

JC

（吨） = R （t）的

q

JC

q

JC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

T

C

= P

（ PK）

q

JC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0

10

吨，时间（ ms）的

20

30

50

100

200 300

500

1000 2000

0.03 0.05 0.1

0.2 0.3

图4.热响应

100

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

1.0

5302

5.0毫秒

1.0毫秒DC

T

J

= 200°C

二次击穿有限公司

键合丝有限公司

T

C

= 25°C

热限制

脉冲占空比

≤

10%

2N5302

2.0 3.0

5.0

10

20 30

50

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

100

ms

C，电容（pF ）

3000

2000

T

J

= 25°C

1000

C

ib

500

C

ob

300

200

100

0.5

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

30

50

图5.活动区安全工作区

图6.电容与电压

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

t

r

@ V

CC

= 10 V

0.1

0.07

0.05

0.03 0.05

t

d

@ V

OB

= 2.0 V

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

20 30

t

r

@ V

CC

= 30 V

T

J

= 25°C

I

C

/I

B

= 10

3.0

T

J

= 25°C

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

t

s

′ ≈

t

s

1/8 t

f

t

s

′

1.0

T， TIME （

μ

s)

0.7

0.5

T， TIME （

μ

s)

t

f

@ V

CC

= 30 V

0.3

t

f

@ V

CC

= 10 V

0.1

0.03 0.05

0.1

0.3 0.5

1.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

30

图7.开启时间

图8.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

2N5302

300

200

的hFE ， DC电流增益

T

J

= 175°C

V

CE

= 10 V

V

CE

= 2.0 V

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

T

J

= 25°C

1.6

I

C

= 2.0 A

1.2

5.0 A

10 A

20 A

100

70

50

30

20

10

0.03 0.05

25°C

55

°C

0.8

0.4

0.1

0.3 0.5

1.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

30

0

0.01 0.02

0.05

0.1 0.2

0.5 1.0

I

B

，基极电流（ AMP ）

2.0

5.0

10

图9.直流电流增益

RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）

图10.集电极饱和区

10

8

V

CE

= 30 V

10

7

V，电压（V ）

I

C

= 10 ×1

CES

10

6

I

C

= 2×我

CES

10

5

I

C

≈

I

CES

10

4

10

3

10

2

典型的我

CES

得到的值

从图13

0

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.03 0.05

0.1

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE（上）

@ V

CE

= 2.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.3

0.5

1.0

3.0

5.0

10

30

T

J

= 25°C

T

J

，结温（ ° C）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11.影响基射极电阻

图12. “开”电压

V

CE

= 30 V

IC ，集电极电流（

μ

A)

10

2

10

1

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

10

3

T

J

= 175°C

100°C

25°C

10

0

I

C

= I

CES

10

1

10

2

10

3

反向

前锋

+2.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

0.03 0.05

0.1

0.3

0.5

1.0

3.0

5.0

10

30

qV

B

对于V

BE （ SAT ）

* QV

C

对于V

CE （ SAT ）

T

J

= -55 ° C至+ 175℃

*适用于我

C

/I

B

＆ LT ;

的hFE @ VCE

+

2.0 V

2

0.4 0.3

0.2 0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

V

BE

，基极发射极电压（伏）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图13.集电极截止区

图14.温度系数

http://onsemi.com

4

2N5302

包装尺寸

的TO- 204 （TO- 3）

案例1-07

ISSUE

A

N

C

T

E

D

2 PL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.所有规则和注意事项与相关的

参考- 204AA外形为准。

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

K

L

N

Q

U

V

英寸

民

最大

1.550 REF

1.050

0.250

0.335

0.038

0.043

0.055

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440

0.480

0.665 BSC

0.830

0.151

0.165

1.187 BSC

0.131

0.188

MILLIMETERS

民

最大

39.37 REF

26.67

6.35

8.51

0.97

1.09

1.40

1.77

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18

12.19

16.89 BSC

21.08

3.84

4.19

30.15 BSC

3.33

4.77

K

M

0.13 (0.005)

U

V

2

Q

M

Y

M

L

G

1

Y

H

B

Q

0.13 (0.005)

M

牛逼

M

风格1 ：

1. PIN BASE

2.辐射源

案例：收藏家

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等

机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

安森美半导体文学配送中心

美国/加拿大

P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA

电话：

480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

传真：

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电话：

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电子邮件：

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安森美半导体网站：

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为了文学：

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有关更多信息，请联系您

当地销售代表。

http://onsemi.com

5

2N5302/D

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

描述

·带

TO- 3封装

.Complement

键入2N4398 /五千七百四十五分之四千三百九十九

ULOW

集电极/饱和电压

优秀

安全工作区

应用

For

在功率放大器和开关使用

电路中的应用。

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

描述

2N5301 2N5302 2N5303

Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号

集热器

绝对最大额定值（Ta =

℃)

符号

参数

2N5301

V

CBO

集电极 - 基极电压

2N5302

2N5303

2N5301

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

2N5302

2N5303

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

j

T

英镑

发射极 - 基极电压

2N5301/5302

集电极电流

2N5303

基极电流

总功耗

结温

储存温度

T

C

=25℃

20

7.5

200

-65~200

A

W

℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

40

60

80

40

60

80

5

30

A

V

单位

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

价值

0.875

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

2N5301

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

2N5302

2N5303

V

CEsat-1

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

集电极 - 发射极

饱和电压

2N5301/5302

I

C

= 10A ;我

B

=1A

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

I

C

= 30A ;我

B

=6A

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 10A ;我

B

=1A

I

C

= 15A ;我

B

=1.5A

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

2N5301/5302

2N5303

I

C

= 20A ;我

B

=2A

I

C

= 0.2A ;我

B

=0

2N5301 2N5302 2N5303

条件

民

40

60

80

典型值。

最大

单位

V

0.75

V

1.0

2.0

V

1.5

3.0

V

2.0

1.7

1.8

V

2.0

2.5

I

C

= 20A ;我

B

=4A

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

V

CE

=额定V

首席执行官

; V

BE （OFF）的

=1.5V

T

C

=150℃

V

CE

=额定V

首席执行官

; I

B

=0

V

CB

=额定V

CBO

; I

E

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 1A ; V

CE

=2V

40

15

60

1.7

V

1.5

3.0

V

2.5

1.0

10

5.0

1.0

5.0

mA

V

CEsat-2

V

CEsat-3

V

BEsat-1

V

BEsat-2

基射极饱和电压

基射

饱和电压

基射

饱和电压

基射

ON电压

基射

ON电压

2N5301/5302

V

BEsat-3

V

BE-1

V

BE-2

I

CEX

I

首席执行官

I

CBO

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

2N5303

直流电流增益

2N5301/5302

2N5303

I

C

= 10A ; V

CE

=2V

I

C

= 15A ; V

CE

=2V

I

C

= 20A ; V

CE

=4V

5

I

C

= 30A ; V

CE

=4V

I

C

= 1A ; V

CE

=10V;f=1.0MHz

2

兆赫

h

FE-3

f

T

直流电流增益

2N5301/5302

跃迁频率

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

2N5301 2N5302 2N5303

图2外形尺寸（ unindicated公差：为±0.1mm ）

3

ON Semiconductort

高功率NPN硅

晶体管

。。。在功放的使用和开关电路应用。

低集电极 - 发射极饱和电压 -

V

CE （ SAT ）

= 0.75伏直流（最大） @我

C

= 10位ADC

2N5302

30安培

功率晶体管

NPN硅

60伏特

200瓦

PD ，功耗（瓦）

*最大额定值

等级

符号

V

首席执行官

V

CB

I

C

I

B

2N5302

60

30

单位

VDC

ADC

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

连续集电极电流 -

基极电流

7.5

器件总功耗@ T

C

= 25_C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

P

D

200

1.14

瓦

W / ℃，

_C

T

J

, T

英镑

-65到+200

案例1-07

TO–204AA

(TO–3)

热特性

特征

符号

θ

JC

最大

单位

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到环境

0.875

34

° C / W

θ

CA

*表示JEDEC注册的数据。

T

A

T

C

8.0 200

6.0 150

T

C

4.0 100

T

A

2.0

50

0

20

40

60

80

100 120 140

温度（℃）

160

180

200

图1.电源温度降额曲线

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

1

2001年5月 - 修订版0

出版订单号：

2N5302/D

*表示JEDEC注册的数据。

注1 ：脉冲宽度

v

300

s,

占空比

v

2.0%.

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

*开关特性

*动态特性

基本特征

*开关特性

+11 V

-2.0 V

下降时间

贮存时间

上升时间

小信号电流增益（I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0千赫）

电流增益 - 带宽积（我

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）

*基射极电压上（注1 ）

(I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

(I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

*基极发射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC）

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC）

*集电极 - 发射极饱和电压（注1 ）

(I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC）

(I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC） 2

(I

C

= 30 ADC ，我

B

= 6.0 ADC）

直流电流增益（注1 ）

*(I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

*(I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏）

*(I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏）

发射极截止电流（V

BE

= 5.0伏，我

C

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 80伏直流，我

E

= 0)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 1.5伏，T

C

= 150_C)

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，V

EB （O FF ）

= 1.5伏）

收藏家Cuto FF电流

(V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0)

集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）

(I

C

= 200 MADC ，我

B

= 0)

输入脉冲

t

r

≤

20纳秒

PW = 10至100

s

占空比= 2.0 ％

图2.开启时间

(

(V

CC

= 30伏直流电，我

C

= 10位ADC ，我

B1

= I

B2

= 1.0 ADC）

DC ，

0 DC ，

0 DC ）

10

特征

切换时间等效测试电路

V

CC

3.0

+30 V

TO

范围

t

r

≤

20纳秒

http://onsemi.com

2N5302

2

+11 V

-9.0 V

0

输入脉冲

t

r

≤

20纳秒

PW = 10至100

s

占空比= 2.0 ％

V

CEO （ SUS ）

图3.关断时间

符号

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

I

CEX

I

CEX

h

FE

h

fe

f

T

t

s

t

r

t

f

民

10

2.0

40

15

5.0

40

60

–

V

BB

= 7.0 V

D

0.75

2.0

3.0

最大

1.0

2.0

1.0

1.7

3.0

1.7

1.8

2.5

5.0

1.0

5.0

–

60

–

10

–

V

CC

3.0

+30 V

MADC

兆赫

单位

VDC

s

–

TO

范围

t

r

≤

20纳秒

2N5302

R（T ），规范有效的瞬变

热阻

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.02

单脉冲

0.03 0.05 0.1

0.2 0.3

0.5

1.0

2.0 3.0

D = 0.5

0.2

0.1

0.05

0.01

0.02

P

（ PK）

θ

JC

（吨） = R （t）的

θ

JC

θ

JC

= 0.875 ° C / W MAX

D曲线任选一功率

脉冲序列如图

t

1

读取时间AT＆T

1

t

2

T

J（下PK）

- T

C

= P

（ PK）

θ

JC

(t)

占空比D = T

1

/t

2

5.0

10

吨，时间（ ms）的

20

30

50

100

200 300

500

1000 2000

图4.热响应

100

IC ，集电极电流（ AMP ）

50

20

10

5.0

2.0

1.0

0.5

0.2

0.1

1.0

5302

5.0毫秒

1.0毫秒DC

T

J

= 200°C

二次击穿有限公司

键合丝有限公司

T

C

= 25°C

热限制

脉冲占空比

≤

10%

2N5302

50

2.0 3.0

5.0

10

20 30

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

100

s

C，电容（pF ）

3000

2000

T

J

= 25°C

1000

C

ib

500

300

200

100

0.5

C

ob

1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

20

V

R

，反向电压（伏）

30

50

图5.活动区安全工作区

5.0

3.0

2.0

1.0

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03 0.05

t

d

@ V

OB

= 2.0 V

0.1

0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

20 30

0.1

0.03 0.05

t

r

@ V

CC

= 30 V

t

r

@ V

CC

= 10 V

T

J

= 25°C

I

C

/I

B

= 10

1.0

T， TIME （

s)

0.7

0.5

0.3

3.0

图6.电容与电压

T

J

= 25°C

I

B1

= I

B2

I

C

/I

B

= 10

t

s

′ ≈

t

s

- 1/8 t

f

t

s

′

T， TIME （

s)

t

f

@ V

CC

= 30 V

t

f

@ V

CC

= 10 V

0.1

0.3 0.5

1.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

30

图7.开启时间

图8.开启，关闭时间

http://onsemi.com

3

2N5302

T

J

= 175°C

V

CE

= 10 V

V

CE

= 2.0 V

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

300

200

的hFE ， DC电流增益

100

70

50

30

20

10

0.03 0.05

-55°C

2.0

T

J

= 25°C

1.6

1.2

0.8

0.4

0

0.01 0.02

I

C

= 2.0 A

5.0 A

10 A

20 A

25°C

0.1

0.3 0.5

1.0 3.0 5.0

I

C

，集电极电流（ AMP ）

10

30

0.05

0.1 0.2

0.5

1.0

I

B

，基极电流（ AMP ）

2.0

5.0

10

图9.直流电流增益

RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）

图10.集电极饱和区

10

8

10

7

10

6

10

5

10

4

10

3

10

2

0

I

C

≈

I

CES

I

C

= 10 ×1

CES

V

CE

= 30 V

2.0

1.8

1.6

V，电压（V ）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

0.03 0.05

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE（上）

@ V

CE

= 2.0 V

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0.1

0.3

0.5

1.0

3.0

5.0

10

30

T

J

= 25°C

I

C

= 2×我

CES

典型的我

CES

得到的值

从图13

20

40

60

80

100

120

140

160

180

200

T

J

，结温（ ° C）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图11.影响基射极电阻

θ

V，温度系数（MV /

°

C)

10

3

IC ，集电极电流（

A)

10

2

10

1

25°C

10

0

10

-1

10

-2

10

-3

-0.4 -0.3

反向

前锋

I

C

= I

CES

V

CE

= 30 V

T

J

= 175°C

100°C

+2.5

+2.0

+1.5

+1.0

+0.5

0

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

0.03 0.05

0.1

图12. “开”电压

T

J

= -55 ° C至+ 175℃

*适用于我

C

/I

B

＆ LT ;

的hFE @ VCE

+

2.0 V

2

*θV

C

对于V

CE （ SAT ）

θV

B

对于V

BE （ SAT ）

-0.2 -0.1

0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.3

0.5

1.0

3.0

5.0

10

30

V

BE

，基极发射极电压（伏）

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图13.集电极截止区

图14.温度系数

http://onsemi.com

4

2N5302

包装尺寸

的TO- 204 （TO- 3）

案例1-07

ISSUE

A

N

C

–T–

E

D

2 PL

座位

飞机

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.所有规则和注意事项与相关的

参考- 204AA外形为准。

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

K

L

N

Q

U

V

英寸

民

最大

1.550 REF

---

1.050

0.250

0.335

0.038

0.043

0.055

0.070

0.430 BSC

0.215 BSC

0.440

0.480

0.665 BSC

---

0.830

0.151

0.165

1.187 BSC

0.131

0.188

MILLIMETERS

民

最大

39.37 REF

---

26.67

6.35

8.51

0.97

1.09

1.40

1.77

10.92 BSC

5.46 BSC

11.18

12.19

16.89 BSC

---

21.08

3.84

4.19

30.15 BSC

3.33

4.77

K

M

0.13 (0.005)

U

V

2

Q

M

Y

M

L

G

1

–Y–

H

B

–Q–

0.13 (0.005)

M

牛逼

M

http://onsemi.com

5

技术参数

NPN大功率硅晶体管

每个合格的MIL -PRF-四百五十六分之一万九千五

器件

2N5302

2N5303

资质等级

JANTX

JANTXV

最大额定值

评级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

0 (1)

2N5302

60

5.0

30

2N5303

80

20

单位

VDC

ADC

W

W/

0

C

0

C

单位

C / W

@ T

A

= +25 C

@ T

C

= +100

0

C

(2)

操作&存储结温范围

P

T

J

,

T

英镑

符号

R

θ

JC

7.5

5.0

115

-65到+200

马克斯。

0.875

TO-3*

(TO-204AA)

热特性

特征

热阻，结到外壳

1 ）线性降额28.57毫瓦/

0

对于T

A

= +25

0

C

2 ）减额线性1.14 W /

0

对于T

C

= +100

0

C

0

*请参阅附录A

包装外形

电气特性

特征

符号

分钟。

马克斯。

单位

开关特性

集电极 - 发射极击穿电流

I

C

= 200 MADC ，我

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 VDC ，我

B

= 0

V

CE

= 80伏直流，我

B

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 5.0伏，我

C

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

BE

= 1.5伏，V

CE

= 60 V

dc

V

BE

= 1.5伏，V

CE

= 80 V

dc

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 60 VDC

V

CE

= 80伏直流

2N5302

2N5303

2N5302

2N5303

V

（ BR ）

首席执行官

60

80

10

5.0

VDC

I

首席执行官

I

EBO

μAdc

2N5302

2N5303

2N5302

2N5303

I

CEX

I

CBO

μAdc

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第1页2

2N5302 ， 2N5303 JAN系列

电气特性

特征

基本特征

正向电流传输比

I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 2.0伏

所有类型

I

C

= 15 ADC ，V

CE

= 2.0伏

2N5302

I

C

= 10位ADC ，V

CE

= 2.0伏

2N5303

I

C

= 30 ADC ，V

CE

= 4.0伏

2N5302

I

C

= 20 ADC ，V

CE

= 4.0伏

2N5303

基射极饱和电压

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

所有类型

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5302

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5303

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC

2N5302

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 4.0 ADC

2N5303

基射极不饱和电压

V

CE

= 2.0伏;我

C

= 15 ADC

2N5302

V

CE

= 2.0伏;我

C

= 10位ADC

2N5303

V

CE

= 4.0伏;我

C

= 30 ADC

2N5302

V

CE

= 4.0伏;我

C

- 20 ADC

2N5303

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

2N5302

I

C

= 10位ADC ，我

B

= 1.0 ADC

2N5303

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5302

I

C

= 15 ADC ，我

B

= 1.5 ADC

2N5303

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 2.0 ADC

2N5302

I

C

= 20 ADC ，我

B

= 4.0 ADC

2N5303

I

C

= 30Adc ，我

B

= 6.0 ADC

2N5302

动态特性

小信号短路的幅度

正向电流传输比

I

C

= 1.0 ADC ，V

CE

= 10 VDC ， F = 1.0 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 VDC ，我

E

= 0，100千赫

≤

f

≤

1.0兆赫

开关特性

延迟时间

上升时间

V

CC

= 30伏直流;我

C

= 10位ADC ;我

B

=

1.0 ADC

贮存时间

下降时间

安全工作区

符号

分钟。

马克斯。

单位

h

FE

40

15

5.0

60

V

BE （ SAT ）

1.7

1.8

2.0

2.5

1.8

1.5

3.0

2.5

0.75

1.0

1.5

2.0

3.0

VDC

V

BE

VDC

V

CE （ SAT ）

VDC

h

fe

C

敖包

t

2.0

40

800

0.2

0.9

2.0

1.0

pF

s

d

r

t

s

t

f

t

直流试验：T已

C

= 25

0

C， 1个周期，T

≥

1.0 s

测试1

V

CE

= 6.67伏，我

C

= 30 ADC

V

CE

= 10 VDC ，我

C

- 20 ADC

测试2

V

CE

= 20伏直流，我

C

= 10位ADC

测试3

V

CE

= 40 VDC ，我

C

= 3.0Adc

测试4

V

CE

= 50伏直流，我

C

= 600 MADC

V

CE

= 60 VDC ，我

C

= 600 MADC

钳位电压= 60 VDC ，我

C

= 30 ADC

钳位电压= 80伏直流电，我

C

- 20 ADC

2N5302

2N5303

2N5302; 2N5303

2N5302

2N5303

钳位开关：T已

A

= 25

0

C，V

CE

± 15 VDC

2N5302

2N5303

6湖街，劳伦斯，MA 01841

1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真：（ 978 ） 689-0803

120101

第2页2