飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
热特性
符号
R
第j个-S
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
h
FE
C
c
C
e
C
re
f
T
G
UM
F
d
im
笔记
1. G
UM
是最大单边功率增益，假设S
12
是零和G
UM
2.模具安装在SOT37封装（ BFR91 ） 。
3. I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ;
L
= 75
;
VSWR
＆ LT ;
2; T
AMB
= 25
°C;
V
p
= V
O
= 300 mV的在f
p
= 495.25兆赫;
V
q
= V
O
6
分贝在f
q
= 503.25兆赫;
V
r
= V
O
6
分贝在f
r
= 505.25兆赫;
在F量度
p
+ f
q
f
r
= 493.25兆赫。
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极电容
发射极电容
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
（注1 ）
噪音科幻gure （注2 ）
互调失真
条件
I
E
= 0; V
CB
= 10 V
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 0.5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 1兆赫;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的;
Z
S
=选择;牛逼
AMB
= 25
°C
注3
分钟。
40
典型值。
90
0.7
1.8
0.8
5
16.5
1.9
60
参数
条件
价值
260
BFR93
单位
K / W
从结热阻焊接点T
s
≤
95
°C;
注1
MAX 。 UNIT
50
pF
pF
pF
GHz的
dB
dB
dB
nA
S
21
=
10日志------------------------------------------------ -------------分贝
-
2
2
1
–
S
11
1
–
S
22
2
1997年10月29日
3
