飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN 5 GHz宽带晶体管
特点
非常低的互调失真
高功率增益
优异的宽带性能和
低噪声直至高频
由于其极高的转换
频率。
应用
射频宽带放大器和
振荡器。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
P
合计
C
re
f
T
G
UM
F
d
im
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
反馈电容
跃迁频率
最大单边功率增益
噪音科幻gure
互调失真
T
s
≤
95
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的;
T
j
= 25
°C
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V ; F = 500 MHz的;
T
AMB
= 25
°C
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ;
L
= 75
;
V
O
= 300 mV的; F
p
+ f
q
f
r
= 493.25兆赫;
T
AMB
= 25
°C
发射极开路
开基
条件
0.8
5
16.5
1.9
60
典型值。
描述
在塑料的NPN晶体管的宽带
SOT23封装。
PNP补充： BFT93 。
钉扎
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
描述
页面
BFR93
3
1
顶视图
标识代码：
R1p.
2
MSB003
图1 SOT23封装。
马克斯。
15
12
35
300
V
V
单位
mA
mW
pF
GHz的
dB
dB
dB
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
记
1. T
s
是在集电针的焊接点的温度。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
总功耗
储存温度
结温
T
s
≤
95
°C;
注1
发射极开路
开基
集电极开路
条件
65
分钟。
马克斯。
15
12
2
35
300
+150
175
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
1997年10月29日
2
