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VESD05A5A-HSF
威世半导体
在5线ESD保护二极管阵列
LLP75
100
80
60
命中率。 IEC 61000-4-2
+
8
kV
接触放电
V
C- ESD
(V)
40
20
0
- 20
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90
19994
T（ NS ）
图。 7 - 在+ 8 kV的典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
40
20
0
V
C- ESD
(V)
- 20
- 40
- 60
-
80
命中率。 IEC 61000-4-2
-
8
kV
接触放电
- 100
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90
19995
T（ NS ）
图。 8 - 8千伏 - 在典型钳位性能
接触放电（符合IEC 61000-4-2 ）
200
150
100
命中率。 IEC 61000-4-2
接触放电
V
C- ESD
(V)
50
V
C- ESD
0
- 50
- 100
- 150
- 200
0
5
10
15
20
19954
V
ESD
（千伏）
图。 9 - 典型值最大值。钳位电压ESD处联系
放电（符合IEC 61000-4-2 ）
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4
如有技术问题，请联系：
ESDprotection@vishay.com
文档编号： 81655
修订版1.3 ， 21 - OCT- 10
