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VESD05A5A-HSF
在5线ESD保护二极管阵列
威世半导体
LLP75
典型特征
(T
AMB
= 25 ℃，除非另有规定）
120 %
上升时间= 0.7 ns至1纳秒
100
放电电流I
ESD
100 %
10
80
%
60 %
53 %
I
F
（MA ）
1
0.1
40 %
27 %
20 %
0%
- 10 0 10 20 30 40 50 60 70
80
90 100
20557
0.01
0.001
0.5
19949
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
时间（纳秒）
V
F
(V)
图。 1 - 静电放电电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-2 （ 330
Ω/150
pF的）
图。 4 - 典型正向电流I
F
与正向电压V
F
8
100 %
80
%
60 %
20
s
70％的
40 %
20 %
1
0%
0
20548
8 s
到100％
7
6
V
R
(V)
40
19950
5
4
3
2
I
PPM
10
20
30
0
0.01
0.1
1
10
100 1000 10 000
时间（μs ）
I
R
(A)
图。 2 - 8/20 μs的峰值脉冲电流波形
ACC 。 IEC 61000-4-5
图。 5 - 典型的反向电压V
R
与反向电流I
R
16
F = 1 MHz的
14
12
14
测得的累计。 IEC 61000-4-5 （ 8/20
s
-
WAVE
表）
12
10
8
反向
C
D
（PF ）
10
V
C
(V)
6
4
2
0
V
C
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
-2
-4
-6
0
19951
前锋
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
19948
V
R
(V)
I
PP
(A)
图。 3 - 典型的电容C
D
与反向电压V
R
图。 6 - 典型的峰值钳位电压V
C
与
峰值脉冲电流I
PP
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3
文档编号： 81655
修订版1.3 ， 21 - OCT- 10
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