新产品

V20120SG ， VF20120SG ， VB20120SG & VI20120SG

威世通用半导体

100

10

T

A

= 150 °C

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

正向电流（A ）

结到外壳

T

A

= 125 °C

10

T

A

= 100 °C

1

T

A

= 25 °C

V(B,I)20120SG

1

0.01

0.1

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

0.1

1

10

100

正向

电压

(V)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图3.典型正向特性

图6.典型的瞬态热阻抗

100

10

瞬态热阻抗（ ℃/ W）

瞬时反向电流（mA ）

结到外壳

T

A

= 150 °C

10

T

A

= 125 °C

1

T

A

= 100 °C

0.1

1

0.01

T

A

= 25 °C

0.001

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

VF20120SG

0.1

0.01

0.1

1

10

100

百分比额定峰值反向

电压

(%)

吨 - 脉冲持续时间（ S）

图4.典型的反向特性

图7.典型的瞬态热阻抗

10 000

T

J

= 25 °C

F = 1.0 MHz的

V

SIG

= 50 MVP -P

1000

结电容（pF ）

100

10

0.1

1

10

100

反向

电压

(V)

图5.典型结电容

文档编号： 88994

修订： 24军09

您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：

PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com

www.vishay.com

3