新产品
V20120SG ， VF20120SG ， VB20120SG & VI20120SG
威世通用半导体
高压Trench MOS势垒肖特基整流器
超低V
F
= 0.54 V ，在我
F
= 5 A
TMBS
TO-220AB
ITO-220AB
特点
沟道MOS肖特基技术
低正向压降，低功耗
损失
高效率运行
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF
245 ° C（用于TO- 263AB封装）最大峰值
2
V20120SG
销1
销2
例
3
1
VF20120SG
销1
销2
2
3
1
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106 （用于TO- 220AB ， ITO - 220AB ，
和TO- 262AA封装）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
典型应用
对于高频转换器的使用，开关电源
用品，续流二极管， OR- ing二极管，直流 - 直流
转换器和电池反向保护。
3脚
3脚
TO-263AB
K
K
TO-262AA
A
NC
1
VB20120SG
NC
A
K
散热器
2
3
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 263AB和
TO-262AA
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
VI20120SG
销1
销2
K
3脚
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
在我
F
= 20 A
T
J
马克斯。
20 A
120 V
150 A
0.78 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
最大正向平均整流电流（图1）
峰值正向浪涌电流8.3ms单半
正弦波叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
J
= 25 ° C，L = 60毫亨
反向重复峰值电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫，T
J
= 38 °C ± 2 °C
变化的电压率（额定V
R
)
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
文档编号： 88994
修订： 24军09
符号
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
V
AC
T
J
, T
英镑
V20120SG
VF20120SG
VB20120SG
VI20120SG
单位
V
A
A
mJ
A
V / μs的
V
°C
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1
120
20
150
80
0.5
10 000
1500
- 40 + 150
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