WF5025系列
WF5025BL1 （ 2.5V操作）
V
DD
= 2.25 2.75V ，V
SS
= 0V ，TA =
40
至+ 85 ℃，除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
I
DD2
I
ST
R
UP1
R
UP2
反馈电阻
振荡器扩增fi er输出
阻力
内置电容
R
f
R
D
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.25V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.25V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ， INHN =开，C
L
= 30pF的，
F = 100MHz的
测量CCT 3 ， INHN = LOW
测量CCT 4
20
50
170
6.8
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
8.5
10
11.5
pF
100
–
200
8
200
150
230
9.2
k
k
pF
1.65
–
0.7V
DD
–
–
–
–
–
2
典型值
1.95
0.3
–
–
–
–
14
–
6
最大
–
0.4
–
0.3V
DD
10
10
28
3
12
V
V
V
V
A
A
mA
A
M
单位
消耗电流
待机电流
INHN上拉电阻
WF5025BL1 （ 3.0V操作）
V
DD
= 2.7 3.6V ，V
SS
= 0V ，TA =
40
至+ 85 ℃，除非另有说明。
等级
参数
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电压
低电平输入电压
输出漏电流
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
Z
I
DD2
I
ST
R
UP1
R
UP2
反馈电阻
振荡器扩增fi er输出
阻力
内置电容
R
f
R
D
C
G
C
D
测量CCT 5
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
条件
民
问：测量CCT 1 ，V
DD
= 2.7V ，我
OH
= 8毫安
问：测量CCT 2 ，V
DD
= 2.7V ，我
OL
= 8毫安
INHN
INHN
问：测量CCT 2 ， INHN = LOW
V
OH
= V
DD
V
OL
= V
SS
测量CCT 3 ，负载CCT 1 ， INHN =开，C
L
= 30pF的，
F = 100MHz的
测量CCT 3 ， INHN = LOW
测量CCT 4
15
50
170
6.8
设计值。晶片上的监视器模式进行测试。
8.5
10
11.5
pF
75
–
200
8
150
150
230
9.2
k
k
pF
2.3
–
0.7V
DD
–
–
–
–
–
2
典型值
2.4
0.3
–
–
–
–
19
–
4
最大
–
0.4
–
0.3V
DD
10
10
38
5
8
V
V
V
V
A
A
mA
A
M
单位
消耗电流
待机电流
INHN上拉电阻
日本制精密Circuits公司- 7
