WF5025系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
在WF5025系列微型晶体振荡器模块集成电路。它们的特点是阻尼电阻R
D
匹配
晶体的特性，以减少晶体电流。的焊垫布局被安排用于佛罗里达州的ip芯片安装，这
给人的图案设计更加灵活性，即使是安装的超小型晶体振荡器提供
几乎没有空间来布线图案。它们支持基本振荡和第三谐波振荡模式。
的WF5025系列可用于以对应于广泛的应用范围。
特点
I
I
I
I
I
I
键盘布局FL IP芯片安装优化
微型晶体振荡器的匹配特性
工作电源电压范围
2.5V操作： 2.25 2.75V
3.0V操作： 2.7 3.6V
推荐的工作频率范围
对于基本振荡器
- WF5025AL
×
： 20MHz至50MHz的
- WF5025BL1 ： 20MHz至100MHz的
对于第三个泛音振荡器
- WF5025ML
×
：为70MHz到133MHz的
4085
°
C的工作温度范围
振荡器电容具有优良的频率煤焦
Cucumis Sativus查阅全文内置
I
I
I
I
I
I
I
I
I
振荡电路的阻尼电阻R
D
内置
为减少晶体电流
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡
站
低待机电流
省电上拉电阻内置
振荡检测功能
分频器内置（ WF5025AL
×
)
版本而异：F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16,
f
O
/32
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
50 ± 5 ％的输出占空比@ 1 / 2VDD
30pF的负载输出
钼栅CMOS工艺
系列CON组fi guration
VERSION
操作
电源电压
[V]
振荡
模式
推荐
产量
工作频率
当前
范围（基波（V
DD
= 2.5V)
[马]
振荡）
*1
[兆赫]
待机模式
产量
频率
f
O
f
O
/2
2.25 3.6
基本
20至50
4
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O
/32
2.25 3.6
基本
20至100
70至80
2.25 3.6
第三泛音
80至100
90 133
8
f
O
CMOS
是的
高阻
8
f
O
CMOS
是的
高阻
CMOS
是的
高阻
输出占空比
水平
振荡器
停止
功能
输出状态
WF5025AL1
WF5025AL2
WF5025AL3
WF5025AL4
WF5025AL5
WF5025AL6
WF5025BL1
*2
WF5025MLA
(WF5025MLB)
WF5025MLC
* 1 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，振荡
荡器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以
部件的振动特性，必须仔细评估。
* 2 。该WF5025BL1具有更高的最大工作频率，因此负性也比在WF5025AL较大
×
设备。
注。这些版本在括号（ ）正在开发中。请问我们的销售进行更详细&市场营销部分。
订购信息
设备
WF5025
×××
–3
包
晶圆形式
日本制精密Circuits公司- 1
WF5025系列
焊盘布局
（单位：
m)
(750,850)
HA5025
VSS
Y
Q
VDD
INHN
全国人民代表大会
XT
(0,0)
X
芯片尺寸： 0.75
×
0.85mm
切屑厚度： 180 ± 20μm的
PAD尺寸： 90微米
芯片基地： V
DD
水平
XTN
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VDD
Q
VSS
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW （振荡器停止工作）高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
电源电压
输出。由内部电路至f中的一个输出频率确定
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16,
f
O
/ 32 。在待机模式下的高阻抗
地
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
144.6
171.0
579.0
618.2
618.2
131.8
Y
413.4
144.6
144.6
438.6
705.4
718.2
日本制精密Circuits公司- 2
WF5025系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
20
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
V
SS
= 0V
等级
*1
参数
符号
WF5025AL
×
WF5025BL1
WF5025MLA
工作电源电压
V
DD
WF5025MLB
WF5025MLC
输入电压
工作温度
V
IN
T
OPR
WF5025AL
×
WF5025BL1
*3
工作频率
*2
f
O
WF5025MLA
WF5025MLB
*3
WF5025MLC
*3
条件
民
CL
≤
30pF
CL
≤
30pF
f
≤
为80MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为100MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为100MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为133MHz ， CL
≤
15pF
2.25
2.25
2.25
(2.25)
2.25
2.25
V
SS
40
20
20
70
(80)
90
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
3.6
3.6
3.6
(3.6)
3.6
3.6
V
DD
+85
50
100
80
(100)
133
V
V
V
V
V
V
V
°
C
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
单位
* 1 。括号中的数值（ ）是暂定只。
* 2 。工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。但是，振荡器频率
带不保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以振荡煤焦
组件Cucumis Sativus查阅全文必须仔细评估。
* 3 。当2.5V操作，开关特性的收视率的频率或输出负载的差异。请参阅“开关特性” 。
日本制精密Circuits公司- 4
WF5025系列
晶体振荡器模块集成电路
概观
在WF5025系列微型晶体振荡器模块集成电路。它们的特点是阻尼电阻R
D
匹配
晶体的特性，以减少晶体电流。的焊垫布局被安排用于佛罗里达州的ip芯片安装，这
给人的图案设计更加灵活性，即使是安装的超小型晶体振荡器提供
几乎没有空间来布线图案。它们支持基本振荡和第三谐波振荡模式。
的WF5025系列可用于以对应于广泛的应用范围。
特点
I
I
I
I
I
I
键盘布局FL IP芯片安装优化
微型晶体振荡器的匹配特性
工作电源电压范围
2.5V操作： 2.25 2.75V
3.0V操作： 2.7 3.6V
推荐的工作频率范围
对于基本振荡器
- WF5025AL
×
： 20MHz至50MHz的
- WF5025BL1 ： 20MHz至100MHz的
对于第三个泛音振荡器
- WF5025ML
×
：为70MHz到133MHz的
4085
°
C的工作温度范围
振荡器电容具有优良的频率煤焦
Cucumis Sativus查阅全文内置
I
I
I
I
I
I
I
I
I
振荡电路的阻尼电阻R
D
内置
为减少晶体电流
待机功能
在待机模式下的高阻抗，振荡
站
低待机电流
省电上拉电阻内置
振荡检测功能
分频器内置（ WF5025AL
×
)
版本而异：F
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16,
f
O
/32
CMOS输出工作水平（ 1 / 2VDD ）
50 ± 5 ％的输出占空比@ 1 / 2VDD
30pF的负载输出
钼栅CMOS工艺
系列CON组fi guration
VERSION
操作
电源电压
[V]
振荡
模式
推荐
产量
工作频率
当前
范围（基波（V
DD
= 2.5V)
[马]
振荡）
*1
[兆赫]
待机模式
产量
频率
f
O
f
O
/2
2.25 3.6
基本
20至50
4
f
O
/4
f
O
/8
f
O
/16
f
O
/32
2.25 3.6
基本
20至100
70至80
2.25 3.6
第三泛音
80至100
90 133
8
f
O
CMOS
是的
高阻
8
f
O
CMOS
是的
高阻
CMOS
是的
高阻
输出占空比
水平
振荡器
停止
功能
输出状态
WF5025AL1
WF5025AL2
WF5025AL3
WF5025AL4
WF5025AL5
WF5025AL6
WF5025BL1
*2
WF5025MLA
(WF5025MLB)
WF5025MLC
* 1 。推荐的工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。然而，振荡
荡器频段不能保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以
部件的振动特性，必须仔细评估。
* 2 。该WF5025BL1具有更高的最大工作频率，因此负性也比在WF5025AL较大
×
设备。
注。这些版本在括号（ ）正在开发中。请问我们的销售进行更详细&市场营销部分。
订购信息
设备
WF5025
×××
–3
包
晶圆形式
日本制精密Circuits公司- 1
WF5025系列
焊盘布局
（单位：
m)
(750,850)
HA5025
VSS
Y
Q
VDD
INHN
全国人民代表大会
XT
(0,0)
X
芯片尺寸： 0.75
×
0.85mm
切屑厚度： 180 ± 20μm的
PAD尺寸： 90微米
芯片基地： V
DD
水平
XTN
引脚说明和焊盘尺寸
焊盘尺寸（微米）
名字
I / O
描述
X
INHN
XT
XTN
VDD
Q
VSS
I
I
O
–
O
–
输出状态控制输入。当LOW （振荡器停止工作）高阻抗。
节电拉电阻内置。
扩增fi er输入
扩增fi er输出
电源电压
输出。由内部电路至f中的一个输出频率确定
O
, f
O
/2, f
O
/4, f
O
/8, f
O
/16,
f
O
/ 32 。在待机模式下的高阻抗
地
晶体连接引脚。
水晶连接XT和XTN之间。
144.6
171.0
579.0
618.2
618.2
131.8
Y
413.4
144.6
144.6
438.6
705.4
718.2
日本制精密Circuits公司- 2
WF5025系列
特定网络阳离子
绝对最大额定值
V
SS
= 0V
参数
电源电压范围
输入电压范围
输出电压范围
工作温度范围
存储温度范围
输出电流
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
OPR
T
英镑
I
OUT
条件
等级
0.5 7.0
0.5 V
DD
+ 0.5
0.5 V
DD
+ 0.5
40 85
65 150
20
单位
V
V
V
°
C
°
C
mA
推荐工作条件
V
SS
= 0V
等级
*1
参数
符号
WF5025AL
×
WF5025BL1
WF5025MLA
工作电源电压
V
DD
WF5025MLB
WF5025MLC
输入电压
工作温度
V
IN
T
OPR
WF5025AL
×
WF5025BL1
*3
工作频率
*2
f
O
WF5025MLA
WF5025MLB
*3
WF5025MLC
*3
条件
民
CL
≤
30pF
CL
≤
30pF
f
≤
为80MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为100MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为100MHz ， CL
≤
30pF
f
≤
为133MHz ， CL
≤
15pF
2.25
2.25
2.25
(2.25)
2.25
2.25
V
SS
40
20
20
70
(80)
90
典型值
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
3.6
3.6
3.6
(3.6)
3.6
3.6
V
DD
+85
50
100
80
(100)
133
V
V
V
V
V
V
V
°
C
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
单位
* 1 。括号中的数值（ ）是暂定只。
* 2 。工作频率是用于NPC的特性鉴定晶体派生的尺度值。但是，振荡器频率
带不保证。具体来说，该特性会由于水晶的特性和安装条件差别很大，所以振荡煤焦
组件Cucumis Sativus查阅全文必须仔细评估。
* 3 。当2.5V操作，开关特性的收视率的频率或输出负载的差异。请参阅“开关特性” 。
日本制精密Circuits公司- 4
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