Z8FMC16 MCU
编程特定网络阳离子
9
闪存程序定时
图5
示出了闪存的编程操作在单个行3个字节。该
XADDR是不变的，而PROG和NVSTR高，但YADDR变化3
次，以确定在单个行三种不同的字节。
IFREN
XADDR
XE
YADDR
YE
DIN
PROG
TADH
Tnvs
TPROG
TADS
Tpgh
NVSTR
TPGS
THV
Tnvh
TRCV
SE = 0 ，OE = 0， ERASE = 0 ， MAS1 = 0， TMR = 1
图5.闪存字节编程时间
PRS000502-1005
初步
闪存编程概述
