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ZXMC3A17DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N通道： V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.050 ; I
D
= 5.4A
P沟道： V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A17DN8TA
ZXMC3A17DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
3A17
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
半导体
