超前信息
ZXMC3A17DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N通道： V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.050 ; I
D
= 5.4A
P沟道： V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A17DN8TA
ZXMC3A17DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
3A17
顶视图
临时版本C - 2004年8月
1
半导体
ZXMC3A17DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
符号
V
DSS
V
GS
I
D
超前信息
N沟道
30
±20
5.4
4.3
4.1
23
2.6
23
1.25
10
1.8
14
2.1
17
P沟道
-30
±20
-4.4
-3.6
-3.4
-20
-2.5
-20
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于安装在t 10秒测得的FR4 PCB双通道器件表面。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于双通道器件具有在同等功率两个活动模运行。
临时版本C - 2004年8月
半导体
2
ZXMC3A17DN8
超前信息
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源导通状态
阻力
前锋
跨
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
6.4
16
11.2
6.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.5A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
600
104
58.5
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
(1) (3)
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
30
0.5
100
1.0
0.050
0.065
10
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.8A
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 7.8A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
(3)
(3)
12.2
1.7
nC
nC
nC
2.4
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 3.2A,
V
GS
=0V
反向恢复时间
18.8
14.1
ns
nC
反向恢复电荷
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25 ° C，I
F
= 3.5A,
的di / dt = 100A / S
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
临时版本C - 2004年8月
半导体
4
超前信息
ZXMC3A17DN8
P沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
导通状态电阻
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
-30
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
A
V
DS
= -30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.5A
-1.0
100
-1.0
nA
V
0.070
0.110
6.4
S
前锋
跨
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.2A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
630
113
78
pF
pF
pF
V
DS
= -15V, V
GS
=0V
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.7
2.9
29.2
8.7
8.3
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= -5V
I
D
= -3.2A
V
DS
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -3.2A
V
DD
= -15V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 ,
V
GS
= -10V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
注意事项：
(1)
(2)
(3)
(3)
15.8
1.8
2.8
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
-0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -2.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -1.7A,
的di / dt = 100A / S
19.5
16.3
ns
nC
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
临时版本C - 2004年8月
5
半导体
ZXMC3A17DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N通道： V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.050 ; I
D
= 5.4A
P沟道： V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A17DN8TA
ZXMC3A17DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
3A17
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
半导体
ZXMC3A17DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
符号
V
DSS
V
GS
I
D
超前信息
N沟道
30
±20
5.4
4.3
4.1
23
2.6
23
1.25
10
1.8
14
2.1
17
P沟道
-30
±20
-4.4
-3.6
-3.4
-20
-2.5
-20
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于安装在t 10秒测得的FR4 PCB双通道器件表面。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于双通道器件具有在同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年10月
半导体
2
ZXMC3A17DN8
超前信息
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源导通状态
阻力
前锋
跨
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
6.4
16
11.2
6.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.5A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
600
104
58.5
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
(1) (3)
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
30
0.5
100
1.0
0.050
0.065
10
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.8A
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 7.8A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
(3)
(3)
12.2
1.7
nC
nC
nC
2.4
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 3.2A,
V
GS
=0V
反向恢复时间
18.8
14.1
ns
nC
反向恢复电荷
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25 ° C，I
F
= 3.5A,
的di / dt = 100A / S
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
半导体
4
超前信息
ZXMC3A17DN8
P沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
导通状态电阻
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
-30
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
A
V
DS
= -30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.5A
-1.0
100
-1.0
nA
V
0.070
0.110
6.4
S
前锋
跨
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.2A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
630
113
78
pF
pF
pF
V
DS
= -15V, V
GS
=0V
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.7
2.9
29.2
8.7
8.3
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= -5V
I
D
= -3.2A
V
DS
= -15V, V
GS
=
-10V
I
D
= -3.2A
V
DD
= -15V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 ,
V
GS
= -10V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
注意事项：
(1)
(2)
(3)
(3)
15.8
1.8
2.8
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
-0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -2.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -1.7A,
的di / dt = 100A / S
19.5
16.3
ns
nC
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
5
半导体
ZXMC3A17DN8
互补30V增强型MOSFET
摘要
N通道： V
（ BR ） DSS
= 30V ，R
DS （ ON）
= 0.050 ; I
D
= 5.4A
P沟道： V
（ BR ） DSS
= -30V ，R
DS （ ON）
= 0.070 ; I
D
= -4.4A
描述
这种新一代的Zetex的沟道MOSFET的采用了独特的结构，
结合了低导通电阻与开关速度快的优点。这使得
非常适用于高效率，低电压，电源管理应用。
SO8
特点
低导通电阻
开关速度快
低门槛
低栅极驱动器
薄型SOIC封装
应用
电机驱动
LCD背光
Q1 = N- CHANNEL
Q2 = P- CHANNEL
订购信息
设备
ZXMC3A17DN8TA
ZXMC3A17DN8TC
带尺寸
7”
13”
胶带宽度
12mm
12mm
QUANTITY每卷
500台
2500台
引脚
器件标识
ZXMC
3A17
顶视图
第1期 - 2005年10月
1
半导体
ZXMC3A17DN8
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=70°C)
（二） （四）
(V
GS
= 10V ;牛逼
A
=25°C)
（一） （四）
漏电流脉冲
(c)
连续源电流（体二极管）
(b)
脉冲源电流（体二极管）
(c)
在T功耗
A
=25°C
（一） （四）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（一） （五）
线性降额因子
在T功耗
A
=25°C
（二） （四）
线性降额因子
工作和存储温度范围
P
D
P
D
T
j
, T
英镑
符号
V
DSS
V
GS
I
D
超前信息
N沟道
30
±20
5.4
4.3
4.1
23
2.6
23
1.25
10
1.8
14
2.1
17
P沟道
-30
±20
-4.4
-3.6
-3.4
-20
-2.5
-20
单位
V
V
A
I
DM
I
S
I
SM
P
D
A
A
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
-55到+150
热阻
参数
结到环境
（一） （四）
结到环境
（一） （五）
结到环境
（二） （四）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
价值
100
70
60
单位
° C / W
° C / W
° C / W
注意事项：
（一）对于双通道器件表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
（ b）对于安装在t 10秒测得的FR4 PCB双通道器件表面。
（三）重复评价25毫米x 25mm的FR4 PCB ， D = 0.02 ，脉冲宽度= 300秒 - 脉冲宽度有限的最高结温。
（ d）对于以一种活性模具的双设备。
（五）对于双通道器件具有在同等功率两个活动模运行。
第1期 - 2005年10月
半导体
2
ZXMC3A17DN8
超前信息
N沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源导通状态
阻力
前锋
跨
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
2.9
6.4
16
11.2
6.9
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 15V, V
GS
= 5V
I
D
= 3.5A
V
DS
= 15V, V
GS
= 10V
I
D
= 3.5A
V
DD
= 15V ，我
D
=3.5A
R
G
6.0 ,
V
GS
= 10V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
600
104
58.5
pF
pF
pF
V
DS
= 25V, V
GS
=0V
f=1MHz
(1) (3)
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
30
0.5
100
1.0
0.050
0.065
10
V
A
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
nA
V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= 10V ，我
D
= 7.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 6.8A
S
V
DS
= 10V ，我
D
= 7.8A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
(3)
(3)
12.2
1.7
nC
nC
nC
2.4
V
SD
t
rr
Q
rr
0.85
0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= 3.2A,
V
GS
=0V
反向恢复时间
18.8
14.1
ns
nC
反向恢复电荷
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25 ° C，I
F
= 3.5A,
的di / dt = 100A / S
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
半导体
4
超前信息
ZXMC3A17DN8
P沟道
电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿
电压
零栅压漏
当前
门体漏
门极 - 源
电压
静态漏源
导通状态电阻
(1)
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
条件
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
fs
-30
V
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
A
V
DS
= -30V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= -250 A，V
DS
=V
GS
V
GS
= -10V ，我
D
= -3.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.5A
-1.0
100
-1.0
nA
V
0.070
0.110
6.4
S
前锋
跨
(1) (3)
动态
(3)
输入电容
输出电容
反向传输
电容
开关
(2) (3)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
栅极电荷
V
DS
= -15V ，我
D
= -3.2A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
630
113
78
pF
pF
pF
V
DS
= -15V, V
GS
=0V
f=1MHz
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.7
2.9
29.2
8.7
8.3
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= -15V, V
GS
= -5V
I
D
= -3.2A
V
DS
= -15V, V
GS
=
-10V
I
D
= -3.2A
V
DD
= -15V ，我
D
= -1A
R
G
6.0 ,
V
GS
= -10V
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
闸漏极电荷
源极 - 漏极二极管
二极管的正向电压
(1)
反向恢复时间
(3)
反向恢复电荷
注意事项：
(1)
(2)
(3)
(3)
15.8
1.8
2.8
nC
nC
nC
V
SD
t
rr
Q
rr
-0.85
-0.95
V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -2.5A,
V
GS
=0V
T
j
= 25 ° C，I
S
= -1.7A,
的di / dt = 100A / S
19.5
16.3
ns
nC
脉冲条件下进行测定。脉冲宽度300毫秒;占空比2 ％ 。
开关特性是独立的工作结温。
对于设计辅助工具而已，不受生产测试。
第1期 - 2005年10月
5
半导体
QQ：2881677436 复制
