ZXTD3M832
PNP晶体管电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-150
-195
-210
-260
-0.97
-0.89
300
300
180
60
12
150
480
450
290
130
22
190
19
40
435
2%
25
分钟。
-50
-40
-7.5
典型值。
-80
-70
-8.5
-25
-25
-25
-40
-220
-300
-300
-370
-1.05
-0.95
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-40V
V
EB
=-6V
V
CES
=-32V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
ns
ns
V
CB
= -10A ， F = 1MHz的
V
CC
= -15V ，我
C
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比
第1期 - 2003年6月
半导体
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