ZXTD3M832
MPPS
TM
微型封装电源解决方案
双路40V PNP低饱和晶体管
摘要
PNP
V
首席执行官
= -40V ;
SAT
= 104米;我
C
= -3A
描述
包装新
创新采用3mm x 2毫米MLP （微型引线
包）
大纲，这些新的4
th
代低饱和度的双PNP晶体管提供
极低的导通损耗使其非常适用于DC-DC电路中使用，
各种驱动和电源管理功能。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
MLP832
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -220mV最大@ 1A）
h
FE
指定多达-3A
I
C
= -3A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
CCFL背光
订购信息
设备
ZXTD3M832TA
ZXTD3M832TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
器件标识
D33
仰视图
第1期 - 2003年6月
1
半导体
ZXTD3M832
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（一）（六）
（一）（六）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
T
j
极限
-50
-40
-7.5
-4
-3
-1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
C
C
在TA功耗= 25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
工作&存储温度范围
结温
热阻
参数
结到环境
（一）（六）
结到环境
结到环境
（B ） （F ）
（B ） （F ）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
C / W
C / W
C / W
C / W
C / W
C / W
结到环境
（D ） （F ）
结到环境
（D ） （G ）
结到环境
（ E） （G ）
笔记
（ a）对于一个双器件表面安装在
8
在FR4 PCB ，平方厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t 5秒为一个双通道器件表面安装在
8
在FR4 PCB ，平方厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有
裸露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双每半个
装置。
（ c）对于双通道器件表面安装
8
平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1oz覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于安装在85平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于双通道器件具有一个活跃的模具。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。安装在1.5mm厚的FR4电路板的双通道器件的热阻采用1盎司重量的最小铜，
1mm宽的轨道和一半的器件有源的是的Rth = 250℃ / W的给予的额定功率P合计= 500mW的
第1期 - 2003年6月
半导体
2
ZXTD3M832
PNP晶体管电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-150
-195
-210
-260
-0.97
-0.89
300
300
180
60
12
150
480
450
290
130
22
190
19
40
435
2%
25
分钟。
-50
-40
-7.5
典型值。
-80
-70
-8.5
-25
-25
-25
-40
-220
-300
-300
-370
-1.05
-0.95
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-40V
V
EB
=-6V
V
CES
=-32V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
ns
ns
V
CB
= -10A ， F = 1MHz的
V
CC
= -15V ，我
C
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比
第1期 - 2003年6月
半导体
4
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MPPS
TM
微型封装电源解决方案
双路40V PNP低饱和晶体管
摘要
PNP
V
首席执行官
= -40V ;
SAT
= 104米;我
C
= -3A
描述
包装新
创新采用3mm x 2毫米MLP （微型引线
包）
大纲，这些新的4
th
代低饱和度的双PNP晶体管提供
极低的导通损耗使其非常适用于DC-DC电路中使用，
各种驱动和电源管理功能。
此外，用户获得其他几个
主要优点：
性能相当于大得多的封装能力
提高了电路效率和放大器;功率级
PCB面积和器件布局储蓄
较低的封装高度（ 0.9毫米NOM ）
减少元件数量
MLP832
特点
低等效导通电阻
超低饱和电压
（ -220mV最大@ 1A）
h
FE
指定多达-3A
I
C
= -3A连续集电极电流
采用3mm x 2毫米MLP
应用
直流 - 直流转换器
充电电路
电源开关
电机控制
CCFL背光
订购信息
设备
ZXTD3M832TA
ZXTD3M832TC
REEL
SIZE
7”
13”
TAPE
宽度
8mm
8mm
QUANTITY
每卷
3000
10000
器件标识
D33
仰视图
第1期 - 2003年6月
1
半导体
ZXTD3M832
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
基极电流
在TA功耗= 25°C
线性降额因子
（一）（六）
（一）（六）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
P
D
T
j
:T
英镑
T
j
极限
-50
-40
-7.5
-4
-3
-1000
1.5
12
2.45
19.6
1
8
1.13
9
1.7
13.6
3
24
-55到+150
150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
W
毫瓦/ C
C
C
在TA功耗= 25°C
（B ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ C） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （F ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（D ） （G ）
线性降额因子
在TA功耗= 25°C
（ E） （G ）
线性降额因子
工作&存储温度范围
结温
热阻
参数
结到环境
（一）（六）
结到环境
结到环境
（B ） （F ）
（B ） （F ）
符号
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
R
JA
价值
83.3
51
125
111
73.5
41.7
单位
C / W
C / W
C / W
C / W
C / W
C / W
结到环境
（D ） （F ）
结到环境
（D ） （G ）
结到环境
（ E） （G ）
笔记
（ a）对于一个双器件表面安装在
8
在FR4 PCB ，平方厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（二）测量在t 5秒为一个双通道器件表面安装在
8
在FR4 PCB ，平方厘米单面2盎司覆铜在静止空气条件
所有
裸露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双每半个
装置。
（ c）对于双通道器件表面安装
8
平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
只有很少的引线连接。
（ d）对于双通道器件表面安装在10平方厘米单面1oz覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（ e）对于安装在85平方厘米单面2盎司覆铜FR4 PCB ，在静止空气条件下双通道器件表面
所有外露焊盘连接。
铜区被分割下来的中心线分为两个独立的区域与一种半连接到双设备的每一半。
（六）对于双通道器件具有一个活跃的模具。
（七）对于双通道器件具有在同等功率2有源芯片上运行。
（八）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。请参阅瞬态热阻抗曲线。
（ⅰ）需要安装的最小铜尺寸不超过该装置的基座上的暴露的金属焊盘小，如图中的
封装尺寸数据。安装在1.5mm厚的FR4电路板的双通道器件的热阻采用1盎司重量的最小铜，
1mm宽的轨道和一半的器件有源的是的Rth = 250℃ / W的给予的额定功率P合计= 500mW的
第1期 - 2003年6月
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PNP晶体管电气特性
（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
I
CES
V
CE （ SAT ）
-25
-150
-195
-210
-260
-0.97
-0.89
300
300
180
60
12
150
480
450
290
130
22
190
19
40
435
2%
25
分钟。
-50
-40
-7.5
典型值。
-80
-70
-8.5
-25
-25
-25
-40
-220
-300
-300
-370
-1.05
-0.95
MAX 。单位条件
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
I
C
=-100 A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100 A
V
CB
=-40V
V
EB
=-6V
V
CES
=-32V
I
C
= -0.1A ，我
B
=-10mA*
I
C
= -1A ，我
B
=-50mA*
I
C
= -1.5A ，我
B
=-100mA*
I
C
= -2A ，我
B
=-200mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，我
B
=-250mA*
I
C
= -2.5A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -10mA ，V
CE
=-2V*
I
C
= -0.1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1A ，V
CE
=-2V*
I
C
= -1.5A ，V
CE
=2V*
I
C
= -3A ，V
CE
=-2V*
兆赫我
C
= -50mA ，V
CE
=-10V
f=100MHz
pF
ns
ns
V
CB
= -10A ， F = 1MHz的
V
CC
= -15V ，我
C
=-0.75A
I
B1
=I
B2
=-15mA
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
跃迁频率
输出电容
开启时间
打开-O FF时间
f
T
C
敖包
t
（上）
t
（关闭）
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300秒。占空比
第1期 - 2003年6月
半导体
4
QQ：2881677436 复制
