SWG3407
30V单P沟道增强型MOSFET
概述
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低栅极电荷。
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使用作为负载开关。
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采用PWM应用
产品概述
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BV
DSS
●
R
DS （ ON）
@VGS = 10V
●
R
DS （ ON）
@VGS = 4.5V
-30V
<的60mΩ
< 90mΩ
SOT-23-3L
D
Pin1
G
S
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流（T
A
=25C)
漏极电流（T
A
=75C)
漏电流脉冲
a
功耗
b
(T
A
=25C)
功耗
b
(T
A
=75C)
结温和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J,
T
英镑
最大
-30
±20
-4.2
-2.0
-20
1.4
0.9
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W
C
热特性
参数
结到环境
a
(t
≤
10s)
结到环境
A，D
（稳态）
结到铅（稳态）
符号
R
θJA
R
θJL
最大
100
130
90
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
SWDS-SWG3407-Rev01
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