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SWG3407
30V单P沟道增强型MOSFET
概述
●
低栅极电荷。
●
使用作为负载开关。
●
采用PWM应用
产品概述
●
BV
DSS
●
R
DS （ ON）
@VGS = 10V
●
R
DS （ ON）
@VGS = 4.5V
-30V
<的60mΩ
< 90mΩ
SOT-23-3L
D
Pin1
G
S
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
漏极电流（T
A
=25C)
漏极电流（T
A
=75C)
漏电流脉冲
a
功耗
b
(T
A
=25C)
功耗
b
(T
A
=75C)
结温和存储温度范围
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J,
T
英镑
最大
-30
±20
-4.2
-2.0
-20
1.4
0.9
-55 ~ +150
单位
V
V
A
A
A
W
W
C
热特性
参数
结到环境
a
(t
≤
10s)
结到环境
A，D
（稳态）
结到铅（稳态）
符号
R
θJA
R
θJL
最大
100
130
90
单位
摄氏度/ W
摄氏度/ W
摄氏度/ W
SWDS-SWG3407-Rev01
1/2
www.siwi-tech.com
SWG3407
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
V
GS
= 0V时，我
D
= -250uA
V
DS
= -30V , V
GS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
-30
-1
±100
V
uA
nA
参数
条件
民
典型值
最大
单位
基本特征
V
GS （ TH）
R
DS （ ON） ）
g
FS
栅极阈值电压
漏源
导通状态电阻
正向跨导
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250uA
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.2A
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.0A
V
DS
= -10V ，我
D
= -4.2A
15
-1
-3
60
90
V
m
m
S
漏源二极管的特性
V
SD
I
S
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
S
= -1.0A
-1.2
-2.0
V
A
最大体二极管连续电流
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
= -15V , V
GS
= 0V
F = 1.0MHz的
550
110
70
pF
pF
pF
开关特性
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上
)
t
r
t
D（关闭）
t
f
a.
b.
c.
d.
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -15V ，ID = -1A
V
GS
= -6 V
R
根
= -6欧姆
V
DS
= -15V ，我
D
= -4.2A
V
GS
= -6V
11
2.2
3.5
8
6.2
23
8
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 C 。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25 C
功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 C ， using≤10s结到环境的热阻。
R的值
θ
JA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。
第r
θ
JA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θ
JL
并导致环境。
SWDS-SWG3407-Rev01
2/2
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