K9GBG08U0A
K9LCG08U1A K9HDG08U5A
数据表
最终科幻
1.0版
FL灰内存
1.0简介
1.1产品列表
产品型号
K9GBG08U0A-M
K9LCG08U1A-M
K9HDG08U5A-M
密度
32Gb
64Gb
128Gb
常规
2.7V ~ 3.6V
2.7V ~ 3.6V
x8
52LGA
48TSOP
接口
VCCQ范围
VCC范围
组织
PKG型
1.2产品特点
电源
- 核心电压： 3.3V （ 2.7V 3.6V ）
- I / O电压： 3.3V （ 2.7V 3.6V ）
单芯片的组织
- 存储单元阵列： 8832 X 519K X 8位
- 数据寄存器
（ 8K + 640 ）× 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 8K + 640 ）字节
- 块擦除： （ 1M + 80K ）字节
页面读取操作
- 页面大小： （ 8K + 640 ）字节
- 随机读（ TR ） ：为250μs （典型值平均） ， 300μS （平均值最大值）。
- 串行访问： 25ns的（最小）
存储单元： 2位/单元内存
写周期时间
- 计划时间：
1.3ms(Typ.)
- 块擦除时间： 1.5毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- ECC ： 40位/ （ 1K + 80 ）字节
- 耐力&数据保存：请参阅资格报告
命令寄存器操作
独特的ID为版权保护
包装：
- K9GBG08U0A - MCB0 / MIB0 ：无铅/无卤素封装
52引脚LGA （ 13× 18 / 1.00毫米间距）
- K9LCG08U1A - MCB0 / MIB0 ：无铅/无卤素封装
52引脚LGA （ 13× 18 / 1.00毫米间距）
- K9HDG08U5A - MCB0 / MIB0 ：无铅/无卤素封装
52引脚LGA （ 13× 18 / 1.00毫米间距）
- K9GBG08U0A - SCB0 / SIB ：无铅/无卤素封装
48引脚TSOP （ 12 ×20 / 1.00毫米间距）
- K9LCG08U0A - SCB0 / SIB0 ：无铅/无卤素封装
48引脚TSOP （ 12 ×20 / 1.00毫米间距）
- K9HDG08U1A - SCB0 / SIB0 ：无铅/无卤素封装
48引脚TSOP （ 12 ×20 / 1.00毫米间距）
1.3概述
该器件在3.3V的Vcc提供。它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。程序运行
可在典型的执行
1.3ms
的8832字节的页面和擦除操作就可以在典型的1.5ms的一个（1M + 80K ）字节块上进行。在数据
数据寄存器可以在每个字节的读周期时间（ TRC）被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出端口以及命令
输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和马歇尔
gining数据。即使是写密集型系统可以利用P / E周期的K9XXG08XXA的这是在呈现扩展可靠性的优势
通过提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法资格的报告。这些NAND器件是最佳的解决方案
大的非易失性存储器的应用，如固态的文件存储和其他需要的非挥发性的便携式应用。
-5-
