飞利浦半导体
产品speci fi cation
N沟道增强型垂直
D型MOS晶体管
极限值
按照绝对最大系统（IEC 134）。
符号
V
DS
V
DG
±V
GSO
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
漏电流
总功耗
存储温度范围
结温
漏极开路
DC值
峰值
T
AMB
= 25
°C
条件
分钟。
55
2N7000
马克斯。
60
60
40
280
1.3
830
150
150
单位
V
V
V
mA
A
mW
°C
°C
热阻
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境
150
价值
K / W
单位
1995年4月
3
