【2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170Vishay Silico】,IC型号2N7000,2N7000 PDF资料,2N7000经销商,ic,电子元器件-51电子网

2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170

Vishay Siliconix公司

N通道60 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

产品型号

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000P

BS170

60

V

（ BR ） DSS

敏（ V）

r

DS （ ON）

最大值（W）的

5 @ V

GS

= 10 V

7.5 @ V

GS

= 10 V

5.5 @ V

GS

= 10 V

5.5 @ V

GS

= 10 V

5 @ V

GS

= 10 V

V

GS （ TH）

(V)

0.83

1到2.5

为0.8 2.5

0.83

I

D

(A)

0.2

0.115

0.225

0.5

特点

D

低导通电阻： 2.5

W

低阈值： 2.1 V

低输入电容： 22 pF的

开关速度快： 7纳秒

低输入和输出泄漏

好处

D

低失调电压

低电压操作

轻松驱动无缓冲器

高速电路

低电压错误

应用

D

直接逻辑电平接口： TTL / CMOS

D

司机：继电器，螺线管，照明灯，锤子，

显示器，记忆，晶体管等。

D

电池供电系统

D

固态继电器

TO-226AA

(TO-92)

S

1

G

2

S

D

3

2

1

TO-236

(SOT-23)

3

D

顶视图

2N7000

标识代码： 72wll

72 =型号代码为2N7002

w

=周典

ll

=批次追踪

双列直插式

D

1

N

S

1

G

1

NC

G

2

N

S

2

D

2

1

2

3

4

5

6

7

14

13

12

11

10

9

8

D

4

S

4

G

4

NC

G

3

G

S

3

D

3

N

S

3

2

D

1

N

TO-92-18RM

（ TO- 18引脚形式）

顶视图

塑料： VQ1000J

Sidebraze ： VQ1000P

顶视图

BS170

文档编号： 70226

S- 04279 -REV 。女， 16月， 01

www.vishay.com

11-1

2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

单身

参数

漏源电压

栅极 - 源极电压不重复

栅源电压，连续

连续漏电流

(T

J

= 150_C)

脉冲漏

当前

a

T

A

= 25_C

T

A

= 100_C

T

A

= 25_C

T

A

= 100_C

共有四

VQ1000J/P

BS170

60

"25

"20

0.225

0.14

1

1.3

0.52

96

2

0.8

62.5

156

0.83

W

° C / W

_C

"20

0.5

0.175

A

V

符号

V

DS

V

GSM

V

GS

I

D

I

DM

P

D

R

thJA

T

J

, T

英镑

2N7000

60

"40

"20

0.2

0.13

0.5

0.4

0.16

312.5

2N7002

60

"40

"20

0.115

0.073

0.8

0.2

0.08

625

VQ1000J

60

"30

"20

0.225

0.14

1

1.3

0.52

96

VQ1000P

60

单位

功耗

热阻，结到环境

工作结

存储温度范围

-55到150

笔记

一。脉冲宽度有限的最高结温。

B 。吨

p

v

50

女士。

规格2N7000和2N7002 （T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

2N7000

2N7002

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

符号

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 10

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

DS

= V

GS

, I

D

= 0.25毫安

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"15

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"20

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0 V

典型值

a

民

最大

民

最大

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

70

2.1

2.0

60

0.8

3

60

V

1

"10

"100

1

1000

1

500

mA

m

2.5

nA

门体漏

零栅极电压漏极电流

I

DSS

T

C

= 125_C

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0 V

T

C

= 125_C

V

DS

= 10 V, V

GS

= 4.5 V

V

DS

= 7.5 V, V

GS

= 10 V

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 0.075 A

V

GS

= 5 V，I

D

= 0.05 A

0.35

1

4.5

3.2

5.8

2.4

4.4

100

0.5

0.075

通态漏电流

b

I

D（上）

0.5

5.3

7.5

13.5

5

9

80

7.5

13.5

A

漏源导通电阻

b

r

DS （ ON）

T

C

= 125_C

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

T

J

= 125_C

W

正向跨导

b

共源输出电导

b

g

fs

g

os

V

DS

= 10 V，I

D

= 0.2 A

V

DS

= 5 V，I

D

= 0.05 A

mS

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

22

11

2

60

25

5

50

25

5

pF

www.vishay.com

11-2

文档编号： 70226

S- 04279 -REV 。女， 16月， 01

2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170

Vishay Siliconix公司

规格2N7000和2N7002 （T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

2N7000

2N7002

参数

开关

d

开启时间

打开-O FF时间

开启时间

打开-O FF时间

符号

测试条件

典型值

a

民

最大

民

最大

单位

t

ON

t

关闭

t

ON

t

关闭

V

DD

= 15 V ，R

L

= 25

W

I

D

^0.5

A，V

根

= 10 V ，R

G

= 25

W

V

DD

= 30 V ，R

L

= 150

W

I

D

^

0.2 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 25

W

7

11

10

20

ns

规格VQ1000J / P和BS170 （T

A

= 25 ° C除非另有说明）

范围

VQ1000J/P

BS170

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

符号

测试条件

V

GS

= 0 V，I

D

= 100

mA

V

DS

= V

GS

, I

D

= 1毫安

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"10

V

T

J

= 125_C

V

DS

= 0 V, V

GS

=

"15

V

DS

= 25 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 48 V, V

GS

= 0 V ，T

J

= 125_C

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V, V

GS

= 10 V

V

GS

= 5 V，I

D

= 0.2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 0.3 A

T

J

= 125_C

V

DS

= 10 V，I

D

= 0.2 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 0.5 A

V

DS

= 5 V，I

D

= 0.05 A

典型值

a

民

最大

民

最大

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

70

2.1

60

0.8

2.5

"100

"500

60

0.8

3

V

门体漏

I

GSS

nA

"10

0.5

零栅极电压漏极电流

当前

b

I

DSS

I

D（上）

500

10

1

4

2.3

4.2

5.5

7.6

100

0.5

7.5

5

m

mA

A

导通状态漏极

漏源导通电阻

b

r

DS （ ON）

W

正向跨导

b

共源输出

导

b

g

fs

g

os

mS

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

DS

=25 V, V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

22

11

2

60

25

5

60

pF

开关

d

开启时间

打开-O FF时间

开启时间

打开-O FF时间

t

ON

t

关闭

t

ON

t

关闭

V

DD

= 15 V ，R

L

= 23

W

I

D

^

0.6 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 25

W

V

DD

= 25 V ，R

L

= 125

W

I

D

^

0.2 A，V

根

= 10 V ，R

G

= 25

W

7

10

ns

笔记

一。对于辅助设计ONLY，不受生产测试。

B 。脉冲测试： PW

v80

ms

占空比

v1%.

。该参数不符合JEDEC注册。

。开关时间基本上是独立的工作温度。

文档编号： 70226

S- 04279 -REV 。女， 16月， 01

VNBF06

www.vishay.com

11-3

2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

输出特性

1.0

V

GS

= 10, 9, 8, 7 V

0.8

I

D

- 漏极电流（ A）

6.5 V

6V

I

D

- 漏极电流（ A）

5.5 V

0.6

5V

0.4

4.5 V

4V

3.5 V

3V

0.0

0

1

2

3

4

5

0.8

T

J

= –55_C

25_C

0.6

125_C

0.4

1.0

传输特性

0.2

2.5 V

2, 1 V

6

0.0

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

导通电阻与漏电流

7

6

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

r

DS

@ 5 V = V

GS

5

4

3

2

1

0

0.0

r

DS

@ 10 V = V

GS

- 电容（pF ）

40

60

V

GS

= 0 V

F = 1 MHz的

50

电容

30

C

国际空间站

20

C

OSS

10

C

RSS

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

5

10

15

20

25

30

35

I

D

- 漏极电流（ A）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

20

I

D

= 0.5 A

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

16

栅极电荷

2.0

导通电阻与结温

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

（归一化）

V

GS

= 10 V ，R

DS

@ 0.5 A

1.5

12

V

DS

= 30 V

8

1.0

V

GS

= 5 V ，R

DS

@ 0.05 A

0.5

4

0

400

800

1200

1600

2000

2400

0.0

–55

–30

–5

20

45

70

95

120

145

Q

g

- 总栅极电荷（ PC）

T

J

=结温（ ° C）

www.vishay.com

11-4

文档编号： 70226

S- 04279 -REV 。女， 16月， 01

2N7000 / 2N7002 ， VQ1000J / P ， BS170

Vishay Siliconix公司

典型特征（T

A

= 25 ° C除非另有说明）

源极 - 漏极二极管正向电压

1.000

6

导通电阻与栅极至源极电压

5

T

J

= 125_C

I

S

- 源电流（ A）

0.100

r

DS （ ON）

- 导通电阻（

)

I

D

= 50毫安

4

500毫安

3

T

J

= 25_C

0.010

2

1

0.001

0.0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

20

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压

0.50

I

D

= 250

mA

0.25

V

GS （ TH）

- 方差（ V）

–0.00

–0.25

–0.50

–0.75

–50

–25

0

25

50

75

100

125

150

标准化的有效瞬态热阻抗，结到环境（ TO- 226AA ， BS170只）

1

占空比= 0.5

标准化的有效瞬态

热阻抗

0.2

0.1

0.05

0.02

t

1

t

2

1.占空比D =

t

1

t

2

注意事项：

P

DM

0.01

单脉冲

0.01

0.1

1

10

100

2.每单位基础= R

thJA

= 156_C / W

3. T

JM

– T

A

= P

DM

Z

thJA （T ）

1K

10 K

t

1

- 方波脉冲持续时间（秒）

文档编号： 70226

S- 04279 -REV 。女， 16月， 01

www.vishay.com

11-5

分立半导体

数据表

2N7000

N沟道增强模式

垂直的D- MOS晶体管

产品speci fi cation

在分离式半导体， SC13b文件

1995年4月

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特点

低R

DS （ ON）

直接连接C-MOS ， TTL ，

等等

高速开关

无二次击穿。

描述

N沟道增强模式

在TO -92垂直的D- MOS晶体管

变包络线，用于在使用中

继电器，高速和线

变压器的驱动程序。

钉扎 - TO- 92 VARIANT

手册， halfpage

2N7000

快速参考数据

符号

V

DS

I

D

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

参数

漏源电压

漏电流

漏源导通电阻

门源阈值电压

DC值

I

D

= 500毫安

V

GS

= 10 V

I

D

= 1毫安

V

GS

= V

DS

条件

马克斯。

60

280

5

3

单位

V

mA

V

引脚配置

d

针

1

2

3

漏

门

描述

1

2

3

g

来源

MAM146

s

Fig.1简化外形和符号。

1995年4月

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

极限值

按照绝对最大系统（IEC 134）。

符号

V

DS

V

DG

±V

GSO

I

D

I

DM

P

合计

T

英镑

T

j

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流

总功耗

存储温度范围

结温

漏极开路

DC值

峰值

T

AMB

= 25

°C

条件

分钟。

55

2N7000

马克斯。

60

40

280

1.3

830

150

单位

V

mA

A

mW

°C

热阻

符号

R

日J-一

参数

从结点到环境

150

价值

K / W

单位

1995年4月

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

±I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

参数

漏源击穿电压

漏极 - 源极漏电流

栅极 - 源极漏电流

门源阈值电压

漏源导通电阻

条件

I

D

= 10

A

V

GS

= 0

V

DS

= 48 V

V

GS

= 0

±V

GS

= 15 V

V

DS

= 0

I

D

= 1毫安

V

GS

= V

DS

I

D

= 500毫安

V

GS

= 10 V

I

D

= 75毫安

V

GS

= 4.5 V

Y

fs

C

国际空间站

转移导纳

输入电容

I

D

= 200毫安

V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

分钟。

60

0.8

100

2N7000

典型值。马克斯。单位

90

3.5

200

25

1

10

3

5

5.3

40

V

A

nA

V

mS

pF

C

OSS

输出电容

22

30

pF

C

RSS

反馈电容

6

10

pF

开关时间（见图

2

和

3)

t

on

开启时间

I

D

= 200毫安

V

DD

= 50 V

V

GS

= 0到10伏

I

D

= 200毫安

V

DD

= 50 V

V

GS

= 0到10伏

4

10

ns

t

关闭

打开-O FF时间

4

10

ns

1995年4月

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

N沟道增强型垂直

D型MOS晶体管

2N7000

手册， halfpage

VDD = 50 V

手册， halfpage

90 %

输入

10 %

10 V

0V

ID

50

MSA631

90 %

产量

10 %

吨

花花公子

MBB692

图2开关时间测试电路。

图3的输入和输出波形。

手册，

1

MDA690

P合计

(W)

0.8

手册， halfpage

1.6

MDA691

ID

(A)

1.2

VGS = 10 V

0.6

6V

0.8

0.4

5V

0.4

0.2

4V

3V

0

50

100

150

200

TAMB （ ° C）

0

4

8

12

VDS （ V）

16

图4功率降额曲线。

图5典型的输出特性;牛逼

j

= 25

°C.

1995年4月

5

2N7000

2N7002

N沟道60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92

的STripFET 功率MOSFET

特点

TYPE

2N7000

2N7002

■

V

DSS

60V

R

DS （ ON）

<5Ω （ @ 10V ）

I

D

0.35

0.20

1

3

2

低的Qg

低阈值DRIVE

SOT23-3L

TO-92

应用

■

切换应用程序

描述

这是MOSFET的第二代

意法半导体独有的“单一特征

尺寸 “带为基础的进程。由此产生的

晶体管显示了极高的堆积密度

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点和不太重要的调整措施

因此，一个显着的制造

重现。

图1 。

内部原理图

SOT23-3L

TO-92

表1中。

设备简介

记号

2N7000G

ST2N

包

TO-92

SOT23-3L

包装

体积

磁带&卷轴

订购代码

2N7000

2N7002

2007年9月

转8

1/14

www.st.com

14

2N7000 - 2N7002

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

3

4

5

测试电路

................................................ 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 13

2/14

2N7000 - 2N7002

电气额定值

1

电气额定值

表2中。

符号

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

糖尿病（1）

P

合计

绝对最大额定值

价值

参数

TO-92

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

0.35

1.4

1

60

± 18

0.20

1

0.35

SOT23-3L

V

A

W

单位

1.脉冲宽度有限的安全工作区

表3中。

符号

Rthj - AMB

T

J

T

英镑

1.

热数据

价值

参数

TO-92

热阻结到环境最大

工作结温

- 55 150

储存温度

°C

125

SOT23-3L

357.1

(1)

° C / W

单位

当安装在1inch FR- 4 ， 2盎司纯铜电路板。

3/14

电气特性

2N7000 - 2N7002

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表4 。

符号

V

（ BR ） DSS

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0

V

DS

=最大额定值

V

DS

=最大额定值，

T

C

= 125°C

V

GS

= ± 18V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 0.5A

1

2.1

1.8

2

分钟。

60

1

10

±100

3

5

5.3

典型值。

马克斯。

单位

V

A

nA

V

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

表5 。

符号

g

飞秒（1）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

动态

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DS

= 10V

,

I

D

= 0.5A

分钟。

典型值。

0.6

43

20

6

5

15

7

8

1.4

0.8

0.5

2

马克斯。

单位

S

pF

ns

nC

V

DS

= 25V ， F = 1MHz时，

V

GS

= 0

V

DD

= 30V ，我

D

= 0.5A

R

G

= 4.7 V

GS

= 4.5V

（见

图16）

V

DD

= 30V ，我

D

= 1A,

V

GS

= 5V

（见

图17）

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

4/14

2N7000 - 2N7002

电气特性

表6 。

符号

I

SD

I

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

I

SD

= 1A ，V

GS

= 0

32

25

1.6

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

0.35

1.40

1.2

单位

A

V

ns

nC

A

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

反向恢复时间

I

SD

= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，

反向恢复电荷V

DD

= 20V ，T

j

= 150°C

反向恢复电流（见

图18）

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/14

2N7000 2N7002 NDF7000A NDS7002A N沟道增强型场效应晶体管

1993年3月

2N7000 2N7002 NDF7000A NDS7002A

N沟道增强型网络场效晶体管

概述

这些N沟道增强型场效应晶体管

采用美国国家半导体的极高的单元密度的第三个生产

代DMOS技术，这些产品已

旨在最大限度地减少通态电阻提供坚固耐用

可靠的性能和快速切换它们可以是

跟在大多数应用中一个最小的努力所使用要求还

荷兰国际集团高达400毫安直流，并且可以提供脉冲电流达

2A该产品特别适合于低电压低

当前的应用程序，如小伺服电机控制

功率MOSFET栅极驱动器和其他应用程序的切换

系统蒸发散

特点

Y

高效的高密度电池设计将至

（ 300万

2

)

电压控制的小信号开关

崎岖

高饱和电流

低R

DS

（上）

TL摹11378 - 2

TL摹11378 -1

TO-92

7000系列

TO- 236 AB

(SOT-23)

7002系列

TL摹11378 - 3

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

参数

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

s

1 MX ）

栅源电压

漏电流连续

脉冲

P

D

总功耗

降额以上25℃

T

J

T

英镑

T

L

工作和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

施行

从案例10秒

T

A

e

25 C

200

500

400

32

115

800

200

16

2N7000

2N7002

NDF7000A

60

g

40

NDS7002A

单位

V

400

2000

625

5

280

1500

300

24

b

65 150

mA

mW

毫瓦

C

b

55 150

300

C

1995年全国半导体公司

TL摹11378

RRD - B30M115印制在U S A

2N7000

电气特性

T

C

e

25 C除非另有说明

符号

开关特性

BV

DSS

I

DSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

GS

e

我0V

D

e

10

mA

V

DS

e

48V V

GS

e

0V

T

C

e

125 C

I

GSSF

门体漏进

V

GS

E B

15V V

DS

e

0V

60

1

b

10

参数

条件

民

典型值

最大

单位

V

mA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

漏源电压

V

DS

e

V

GS

I

D

e

1毫安

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

T

C

e

125 C

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

V

GS

e

4 5V I

D

e

75毫安

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

GS

e

4 5V V

DS

e

10V

V

DS

e

10V我

D

e

200毫安

75

100

08

21

12

19

06

0 14

600

320

3

5

9

25

04

V

X

V

mA

ms

V

DS （ ON）

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

e

25V V

GS

e

0V F

e

1 0兆赫

20

11

4

60

25

5

pF

开关特性

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

V

DD

e

15V我

D

e

0 5V V

GS

e

10V

R

G

e

25X

L

e

25X

10

ns

体漏二极管额定值

I

S

I

SM

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

V

GS

e

我0V

S

e

200毫安

200

500

15

mA

V

热特性

R

IJA

R

IJC

热阻结到环境

热阻结到外壳

312 5

40

C宽

脉冲测试脉冲宽度

s

300

ms

占空比

s

2 0%

2

2N7002

电气特性

T

C

e

25 C除非另有说明

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

I

DSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

GS

e

我0V

D

e

10

mA

V

DS

e

60V V

GS

e

0V

T

C

e

125 C

I

GSSF

I

GSSR

门体漏进

门体反向漏

V

GS

e

20V

V

GS

E B

20V

60

1

500

100

b

100

V

mA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

V

DS

e

V

GS

I

D

e

250

mA

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

T

C

e

125 C

V

GS

e

5V I

D

e

50毫安

T

C

e

125 C

V

DS （ ON）

漏源电压

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

V

GS

e

5V I

D

e

50毫安

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

GS

e

10V V

DS

t

2 V

DS （ ON）

V

DS

t

2 V

DS （ ON）

I

D

e

200毫安

500

80

1

21

12

2

17

28

06

0 09

2700

320

25

75

13 5

75

13 5

3 75

15

V

X

V

mA

ms

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

e

25V V

GS

e

0V F

e

1 0兆赫

20

11

4

50

25

5

pF

开关特性

t

ON

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

V

DD

e

30V我

D

e

200毫安V

GS

e

10V

R

根

e

25X

L

e

150X

20

ns

体漏二极管额定值

I

S

I

SM

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

V

GS

e

我0V

S

e

115毫安

115

800

15

mA

V

热特性

R

IJA

热阻结到环境

625

C宽

脉冲测试脉冲宽度

s

300

ms

占空比

s

2 0%

3

NDF7000A

电气特性

T

C

e

25 C除非另有说明

符号

开关特性

BV

DSS

I

DSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

GS

e

我0V

D

e

10

mA

V

DS

e

48V V

GS

e

0V

T

C

e

125 C

I

GSSF

门体漏进

V

GS

E B

15V

60

1

b

10

参数

条件

民

典型值

最大

单位

V

mA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

漏源电压

V

DS

e

V

GS

I

D

e

1毫安

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

T

C

e

125 C

V

GS

e

10V我

D

e

500毫安

V

GS

e

4 5V I

D

e

75毫安

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

GS

e

4 5V V

DS

t

2 V

DS （ ON）

V

DS

t

2 V

DS （ ON）

I

D

e

200毫安

400

100

08

21

12

2

06

0 14

600

320

3

2

35

1

0 225

V

X

V

mA

ms

V

DS （ ON）

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

e

25V V

GS

e

0V F

e

1 0兆赫

20

11

4

60

25

5

pF

开关特性

t

on

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

V

DD

e

15V我

D

e

500毫安V

GS

e

10V

R

G

e

25X

L

e

25X

10

ns

体漏二极管额定值

I

S

I

SM

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

V

GS

e

我0V

S

e

400毫安

0 88

400

2000

12

mA

V

热特性

R

IJA

热阻结到环境

200

C宽

脉冲测试脉冲宽度

s

300

ms

占空比

s

2 0%

4

NDS7002A

电气特性

T

C

e

25 C除非另有说明

符号

参数

条件

民

典型值

最大

单位

开关特性

BV

DSS

I

DSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

V

GS

e

我0V

D

e

10

mA

V

DS

e

60V V

GS

e

0V

T

C

e

125 C

I

GSSF

I

GSSR

门体漏进

门体反向漏

V

GS

e

20V

V

GS

E B

20V

60

1

500

100

b

100

V

mA

nA

基本特征

V

GS （ TH）

r

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源

导通电阻

V

DS

e

V

GS

I

D

e

250

mA

V

GS

e

10V我

D

e

0 5A

T

C

e

125 C

V

GS

e

5V I

D

e

50毫安

T

C

e

125 C

V

DS （ ON）

漏源电压

V

GS

e

10V我

D

e

500毫安

V

GS

e

5 0V我

D

e

50毫安

I

D（上）

g

FS

通态漏电流

正向跨导

V

GS

e

10V V

DS

t

2 V

DS （ ON）

V

DS

t

2 V

DS （ ON）

I

D

e

200毫安

500

80

1

21

12

2

17

28

06

0 09

2700

320

25

2

35

3

5

1

0 15

V

X

V

mA

ms

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

DS

e

25V V

GS

e

0V F

e

1 0兆赫

20

11

4

50

25

5

pF

开关特性

t

ON

t

关闭

开启时间

打开-O FF时间

V

DD

e

30V我

D

e

200毫安V

GS

e

10V

R

G

e

25X

L

e

150X

20

ns

体漏二极管额定值

I

S

I

SM

V

SD

最大连续漏源二极管的正向电流

最大脉冲漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

V

GS

e

我0V

S

e

400毫安

0 88

280

1500

12

mA

V

热特性

R

IJA

热阻结到环境

417

C宽

脉冲测试脉冲宽度

s

300

ms

占空比

s

2 0%

5

SEMIWELL

半导体

2N7000

逻辑N沟道MOSFET

特点

■

R

DS （ ON）

（最多5

)@V

GS

=10V

R

DS （ ON）

（最大5.3Ω ） @V

GS

=4.5V

栅极电荷（典型0.5nC ）

最高结温范围（ 150 ° C）

符号

●

3.排水

■

2.门

●

▲

1.源

概述

这是功率MOSFET采用平面工艺技术制造。

这是功率MOSFET非常适用于电池开关，负载

开关，马达控制器等小信号开关。

TO-92

1

2

3

绝对最大额定值

符号

V

DSS

I

D

I

DM

V

GS

P

D

T

英镑，

T

J

T

L

漏源极电压

连续漏电流（ @T

A

= 25

°C)

漏电流脉冲

栅极至源极电压

总功耗单操作（T

A

=25

°C

)

总功耗单操作（T

A

=70

°C

)

工作结温&储藏温度

最大无铅焊接温度的目的，

1/8的病例为10秒。

（注1 ）

参数

价值

60

200

500

单位

V

mA

V

W

mW

°C

±

20

0.4

3.2

- 55 ~ 150

300

热特性

符号

R

θJA

参数

热阻，结到环境

价值

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

312.5

单位

° C / W

一月， 2003年修订版0 。

1/6

2N7000

电气特性

符号

开关特性

BV

DSS

Δ

BV

DSS

/

Δ

T

J

I

DSS

I

GSS

( T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度

系数

漏极 - 源极漏电流

门源泄漏，正向

栅源泄漏，反向

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

= 250uA

I

D

= 250uA ，参考25 ℃下

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V

V

DS

= 60V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125 °C

V

GS

= 20V, V

DS

= 0V

V

GS

= -20V, V

DS

= 0V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250uA

V

GS

= 10 V，I

D

= 500毫安

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 75毫安

民

60

-

典型值

-

48

-

最大

-

1

1000

100

单位

V

毫伏/°C的

uA

nA

-

-100

基本特征

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

栅极阈值电压

静态漏源导通状态

阻力

1.0

-

1.55

1.9

2.5

5

5.3

V

动态特性

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

输入电容

输出电容

反向传输电容

V

GS

=0 V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

-

20

11

3

25

14

4

pF

动态特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极电荷（米勒电荷）

V

DS

=30V, V

GS

= 4.5V ，我

D

=200mA

（注2,3 ）

-

V

DD

= 30V ，我

D

= 200毫安，R

G

=50

V

GS

= 10 V

（注2,3 ）

4

2.5

17

7

0.5

0.15

0.2

18

15

44

24

0.65

-

nC

ns

-

源极 - 漏极二极管额定值和特性

符号

I

S

V

SD

参数

最大连续二极管正向电流

二极管的正向电压

测试条件

I

S

=的200mA， V

GS

=0V

（注2 ）

分钟。

-

典型值。

-

马克斯。

200

1.2

单元。

mA

V

※

笔记

1. Repeativity评价：脉冲宽度有限的结温

2.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300US ，占空比

≤

2%

3.基本上是独立的工作温度。

2/6

2N7000

图1.在国家特色

V

GS

10.0 V

8.0 V

6.0 V

5.0 V

4.5 V

4.0 V

3.5 V

底部： 3.0 V

上图：

如图2传输特性

10

0

I

D

，漏电流[ A]

I

D

，漏电流[ A]

10

0

150 C

-55 C

o

※

注意事项：

1. 250μ s脉冲测试

2. T

C

= 25

℃

0

1

25 C

-1

o

※

注意事项：

1. V

DS

= 10V

2. 250μ s脉冲测试

10

0

2

4

6

8

10

V

DS

，漏源电压[V]

V

GS

，栅源电压[V]

图3.导通电阻变化对比

漏电流和栅极电压

3.0

图4.在国家电流与

允许外壳温度

R

DS （ ON）

,

漏源导通电阻[ mΩ的]

I

DR

，反向漏电流[ A]

2.5

10

0

V

GS

= 4.5V

V

GS

= 10V

2.0

150

℃

25

℃

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2. 250μ s脉冲测试

1.5

※

注：t

J

= 25

℃

1.0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

I

D

，漏电流[ A]

V

SD

，源极 - 漏极电压[ V]

图5.电容特性

50

C

国际空间站

=C

gs

+C

gd

(C

ds

=短路）

C

OSS

=C

ds

+C

gd

C

RSS

=C

gd

图6.栅极电荷特性

12

V

GS

，栅源电压[V]

40

10

V

DS

= 30V

8

电容[ pF的]

30

※

注意事项：

1. V

GS

= 0V

2， F = 1MHz的

V

DS

= 48V

6

C

国际空间站

20

C

OSS

10

4

C

RSS

0

2

※

注：我

D

= 200毫安

0

5

10

15

20

25

30

0

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

DS

，漏源电压[V]

Q

G

，总栅极电荷[ NC ]

3/6

2N7000

图7.击穿电压变化

- 结温

1.2

2.5

图8.导通电阻变化

- 结温

BV

DSS

（归一化）

漏源击穿电压

R

DS （ ON）

（归一化）

漏源导通电阻

2.0

1.1

1.5

1.0

0.9

※

注意事项：

1. V

GS

= 0 V

2. I

D

= 250 A

0.5

※

注意事项：

1. V

GS

= 10 V

2. I

D

= 500毫安

0.8

-100

-50

0

50

100

o

150

200

0.0

-100

-50

0

50

100

o

150

200

T

J

，结温[C]

T

J

，结温[C]

4/6

2N7000

图。 9.栅极电荷测试电路波形&

50K

Ω

12V

200nF

300nF

同一类型

作为DUT

V

DS

V

GS

Q

g

V

4.5V

Q

gs

Q

gd

V

GS

DUT

1mA

收费

图10.开关时间测试电路波形&

V

DS

R

L

V

DD

（ 0.5额定V

DS

)

V

DS

90%

10V

V

脉冲

发电机

R

G

DUT

V

in

10%

t

D（上）

t

on

t

r

t

D（关闭）

t

关闭

t

f

5/6

2N7000

2N7002

N沟道60V - 1.8Ω - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92

的STripFET 功率MOSFET

一般特点

TYPE

2N7000

2N7002

■

V

DSS

60V

R

DS （ ON）

<5Ω （ @ 10V ）

I

D

0.35

0.20

1

3

2

低的Qg

低阈值DRIVE

SOT23-3L

TO-92

描述

这是MOSFET的第二代

意法半导体独有的“单一特征

尺寸 “带为基础的进程。由此产生的

晶体管显示了极高的堆积密度

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点和不太重要的调整措施

因此，一个显着的制造

重现。

内部原理图

应用

■

开关应用

SOT23-3L

TO-92

订购代码

产品型号

2N7000

2N7002

记号

2N7000G

STN2

包

TO-92

SOT23-3L

包装

体积

磁带&卷轴

2006年6月

第七版

1/14

www.st.com

14

2N7000 - 2N7002

1

2

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

3

4

5

测试电路

................................................ 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 13

2/14

2N7000 - 2N7002

电气额定值

1

电气额定值

表1中。

符号

绝对最大额定值

参数

TO-92

价值

SOT23-3L

60

± 18

0.35

1.4

1

0.20

1

0.35

V

A

W

单位

V

DS

V

DGR

V

GS

I

D

I

糖尿病（1）

P

合计

漏源电压（V

GS

= 0)

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

C

= 25°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

C

= 25°C

1.脉冲宽度有限的安全工作区

表2中。

热数据

TO-92

SOT23-3L

357.1

(1)

° C / W

°C

Rthj - AMB

T

J

T

英镑

1.

热阻结到环境最大

工作结温

125

- 55 150

储存温度

当安装在1inch FR- 4 ， 2盎司纯铜电路板。

3/14

电气特性

2N7000 - 2N7002

2

电气特性

(T

例

= 25 ° C除非另有规定编）

表3中。

符号

V

（ BR ） DSS

开/关状态

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

GS

= 0)

门体漏

电流（V

DS

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0

V

DS

=最大额定值

V

DS

=最大额定值，

T

C

= 125°C

V

GS

= ± 18V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

V

GS

= 10V ，我

D

= 0.5A

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 0.5A

1

2.1

1.8

2

分钟。

60

1

10

±100

3

5

5.3

典型值。

马克斯。

单位

V

A

nA

V

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

R

DS （ ON）

表4 。

符号

g

飞秒（1）

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

动态

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

V

DS

= 10V

,

I

D

= 0.5A

分钟。

典型值。

0.6

43

20

6

5

15

7

8

1.4

0.8

0.5

2

马克斯。

单位

S

pF

ns

nC

V

DS

= 25V ， F = 1MHz时，

V

GS

= 0

V

DD

= 30V ，我

D

= 0.5A

R

G

= 4.7 V

GS

= 4.5V

（见

图15）

V

DD

= 30V ，我

D

= 1A,

V

GS

= 5V

（见

图16）

1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

4/14

2N7000 - 2N7002

电气特性

表5 。

符号

I

SD

I

SDM

(1)

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

I

SD

= 1A ，V

GS

= 0

32

25

1.6

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

0.35

1.40

1.2

单位

A

V

ns

nC

A

V

的SD （2）

t

rr

Q

rr

I

RRM

反向恢复时间

I

SD

= 1A ，的di / dt = 100A / μs的，

反向恢复电荷V

DD

= 20V ，T

j

= 150°C

反向恢复电流（见

图17）

1.脉冲宽度有限的安全工作区。

2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％

5/14

2N7000

首选设备

小信号MOSFET

200毫安， 60伏

N沟道TO- 92

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压（ RGS = 1.0 MΩ ）

栅源电压

- 连续

- 不重复（ TP

≤

50

s)

漏电流

- 连续

- 脉冲

总功率耗散@ TC = 25°C

减免上述25℃

工作和存储温度

范围

符号

VDSS

VDGR

VGS

VGSM

ID

IDM

PD

TJ ， TSTG

价值

60

±20

±40

200

500

350

2.8

-55

+150

mW

毫瓦/°C的

°C

S

G

单位

VDC

VPK

MADC

http://onsemi.com

200毫安

60伏特

RDS （ ON） = 5

N沟道

D

热特性

特征

热阻，结到

环境

铅的最大温度

焊接目的， 1/16“的情况下，从

10秒

符号

R

θJA

TL

最大

357

300

单位

° C / W

°C

12

3

TO–92

CASE 29

样式22

标记图

＆放大器;引脚分配

2N7000

YWW

1

来源

2

门

Y

WW

3

漏

=年

=工作周

订购信息

请参阅包装详细的订购和发货信息

尺寸部分本数据手册的第3页。

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2000

1

2000年11月 - 修订版5

出版订单号：

2N7000/D

2N7000

电气特性

（ TC = 25° C除非另有说明）

特征

符号

民

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压

（VGS = 0时， n = 10

μAdc ）

零栅极电压漏极电流

（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ）

（ VDS = 48伏直流电， VGS = 0 ， TJ = 125°C ）

门体漏电流，正向

（ VGSF = 15 VDC ， VDS = 0 ）

V（ BR ） DSS

IDSS

–

IGSSF

–

1.0

–10

60

–

VDC

μAdc

MADC

NADC

基本特征

（注1 ）

栅极阈值电压

（VDS = VGS ，ID = 1.0 MADC ）

静态漏源导通电阻

（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）

（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）

漏源电压

（ VGS = 10 VDC ， ID = 0.5 ADC ）

（ VGS = 4.5伏， ID = 75 MADC ）

通态漏电流

（ VGS = 4.5伏， VDS = 10 VDC ）

正向跨导

（ VDS = 10 VDC ， ID = 200 MADC ）

VGS （ TH）

RDS （ ON）

–

VDS （上）

–

ID （上）

政府飞行服务队

75

100

2.5

0.45

–

MADC

μmhos

5.0

6.0

VDC

0.8

3.0

VDC

欧姆

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输

电容

(

（ VDS = 25 V ， VGS = 0 ，

,

F = 1 0 MH ）

1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

–

60

25

5.0

pF

开关特性

（注1 ）

导通延迟时间

关断延迟时间

（ VDD = 15V， ID = 500 mA时，

RG = 25

W,

RL = 30

W,

VGEN = 10 V）

吨

花花公子

–

10

ns

1.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

s,

占空比

≤

2.0%.

http://onsemi.com

2

2N7000

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0

6.0

7.0 8.0

VDS ，漏极 - 源极电压（伏）

TA = 25°C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

VGS = 10 V

9V

8V

7V

6V

5V

4V

3V

9.0

10

0

1.0

2.0 3.0 4.0

5.0

6.0 7.0 8.0

VGS ，门源极电压（伏）

9.0

10

0.8

0.6

0.4

0.2

1.0

VDS = 10V

-55°C

125°C

25°C

图1.欧姆区

图2.传输特性

R DS（ON ），静态漏源导通电阻

（归一化）

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VGS = 10 V

ID = 200毫安

VGS （ th）时，阈值电压（标准化）

2.4

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

-60

-20

+20

+60

T，温度（ ° C）

+100

+140

VDS = VGS

ID = 1.0毫安

图3.温度与静

漏源导通电阻

图4.温度与门

阈值电压

订购信息

设备

2N7000

2N7000RLRA

2N7000RLRM

2N7000RLRP

2N7000ZL1

包

TO–92

航运

1000单位/箱

2000磁带&卷轴

2000的弹药包

http://onsemi.com

3

2N7000

包装尺寸

TO–92

CASE 29-11

ISSUE AL

A

R

P

L

座位

飞机

B

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3.轮廓的包装BEYOND尺寸R

不加控制。

4. LEAD维不受控制IN P和

BEYOND尺寸k最低限度。

英寸

民

最大

0.175

0.205

0.170

0.210

0.125

0.165

0.016

0.021

0.045

0.055

0.095

0.105

0.015

0.020

0.500

---

0.250

---

0.080

0.105

---

0.100

0.115

---

0.135

---

MILLIMETERS

民

最大

4.45

5.20

4.32

5.33

3.18

4.19

0.407

0.533

1.15

1.39

2.42

2.66

0.39

0.50

12.70

---

6.35

---

2.04

2.66

---

2.54

2.93

---

3.43

---

K

X X

G

H

V

1

D

J

C

第X-X

N

暗淡

A

B

C

D

G

H

J

K

L

N

P

R

V

风格22 ：

PIN 1.源

2.门

3.排水

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利

恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保

目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，

包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或

可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有

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直接或间接引起的，律师费，人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔

称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。

出版物订货信息

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欧洲免费接入* ： 00-800-4422-3781

*有来自德国，法国，意大利，英国，爱尔兰

中/南美洲：

西班牙电话：

303-308-7143 （周一至周五上午8:00至下午5:00 ）

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免费电话，来自墨西哥：

拨打01-800-288-2872的访问 -

然后拨打866-297-9322

亚洲/太平洋网络C：

最不发达国家的安森美半导体 - 亚洲支持

电话：

303-675-2121 （周二至周五上午9时至下午1时00分，香港时间）

免费咨询电话

来自香港和放大器;新加坡：

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日本：

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4-32-1西五反田，品川区，东京，日本141-0031

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销售代表。

http://onsemi.com

4

2N7000/D

2N7000

N

版本2011-02-16

功耗

Verlustleistung

S GD

N沟道增强型网络场效晶体管

N-二凯纳Feldeffekt晶体管 - Anreicherungstyp

N

350毫瓦

TO-92

(10D3)

0.18 g

16

塑料外壳

Kunststoffgehuse

重量约。

Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装录音中的弹药盒

在弹药，包装标准Lieferform gegurtet

9

18

2 x 2.54

尺寸 - 集体[MM ]

最大额定值（T

A

= 25°C)

漏源电压 - 漏 - 源Spannung

漏极 - 栅极电压 - 漏门， Spannung

栅极 - 源极电压 - 门源 - Spannung

功耗 - Verlustleistung

漏极电流连续的 - Drainstrom （ DC ）

峰值漏极电流 - 漏Spitzenstrom

工作结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

R

GS

≤ 1 MΩ

dc

t

p

< 50微秒

V

DSS

V

DGR

V

GSS

V

GSS

P

合计

I

D

I

DM

T

j

T

S

Grenzwerte （T

A

= 25°C)

2N7000

60 V

± 20 V

± 40 V

350毫瓦

200毫安

500毫安

150°C

-55…+150°C

德欧泰克半导体公司

http://www.diotec.com/

1

2N7000

特性（T

j

= 25°C)

漏源击穿电压 - 漏源Durchbruchspannung

I

D

= 10 A

漏极 - 源极漏电流 - 漏源Leckstrom

V

DS

= 48 V

V

DS

= 48 V ，T

j

= 125°C

门体漏电流 - 栅极Substrat Leckstrom

V

GS

= ±15 V

栅极阈值电压 - 门源Schwellspannung

V

GS

= V

DS

, I

D

= 1毫安

漏源电压 - 漏 - 源Spannung

V

GS

= 10 V，I

D

= 500毫安

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 75毫安

V

GS

= 10 V，I

D

= 500毫安

V

GS

= 4.5 V，I

D

= 75毫安

正向跨导 - bertragungssteilheit

V

DS

= 10 V，I

D

= 200毫安

输入电容 - Eingangskapazitt

V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

输出电容 - Ausgangskapazitt

V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

反向传输电容 - Rückwirkungskapazitt

V

DS

= 25 V ， F = 1兆赫

导通延迟时间 - Einschaltverzgerung

V

DD

= 15 V ，R

L

= 30 Ω, I

D

= 0.5 A ，V

GS

= 10 V ，R

G

= 25 Ω

关断延迟时间 - Ausschaltverzgerung

V

DD

= 15 V ，R

L

= 30 Ω, I

D

= 0.5 A ，V

GS

= 10 V ，R

G

= 25 Ω

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

t

关闭

R

THA

10纳秒

< 357 K / W

1

)

t

on

10纳秒

C

RSS

5 pF的

C

OSS

25 pF的

C

国际空间站

60 pF的

V

DS （ ON）

2.5 V

0.45 V

5Ω

6Ω

100毫秒

V

GS （ TH）

0.8 V

3V

±I

GSS

10 nA的

V

（ BR ） DSS

摹短

I

DSS

I

DSS

1 A

1毫安

60 V

Kennwerte （T

j

= 25°C)

分钟。

典型值。

马克斯。

漏极 - 源极导通电阻 - 漏源Einschaltwiderstand

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

g

FS

1

设备安装在标准的PCB材料

Bauteil montiert奥夫标准， Leiterplattenmaterial

http://www.diotec.com/

德欧泰克半导体公司

2

WEITRON

小信号MOSFET

N沟道

3

漏

2N7000

TO-92

产品特点：

*低导通电阻： 5

*低输入电容： 60PF

*低放出来电容： 25PF

*低Threshole ： 1.4V （ TYE ）

*开关速度快：为10ns

2

门

1

来源

1.源

2.门

3.排水

1

2

3

最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

等级

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TA = 25℃）

漏电流脉冲

(1)

功耗（ TA = 25℃ ）

最大最大结点到环境

工作结存储

温度范围

符号

V

DS

V

GS

I

D

I

DM

P

D

R

θ

JA

T

J

， TSTG

价值

60

±20

200

500

350

357

-55到150

单位

V

mA

mW

C / W

C

器件标识

2N7000=7000

注1 ：

脉冲宽度有限的最高结温

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

2N7000

电气特性

特征

（ TA = 25℃除非另有说明）

符号

民

最大

单位

STATIC

漏源击穿电压

V

GS

= 0V时，我

D

= 10微安

栅极阈值电压

V

DS

=V

GS

, I

D

= 1.0毫安

门体漏

V

DS

=0V, V

GS

=15V

零栅极电压漏极电流

V

DS

=48V, V

GS

=0V

V

DS

=48V, V

GS

= 0V ，T

j

=125 C

通态漏电流

(2)

V

GS

=4.5V, V

DS

=10V

漏源导通电阻

(2)

V

GS

= 10V ，我

D

=500mA

V

GS

= 4.5V ，我

D

=75mA

正向跨导

(2)

V

DS

= 10V ，我

D

=200mA

漏源电压

V

GS

= 10V ，我

D

=500mA

V

GS

= 10V ，我

D

=75mA

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

I

DSS

I

D (

on

)

60

0.8

-

3.0

-10

1.0

-

5.0

6.0

V

nA

-

uA

mA

us

V

75

r

DS （

on

)

g

fs

V

SD （ON）的

-

100

-

2.5

0.45

-

动态

(1)

输入电容

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

输出电容

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

反向传输电容

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1MHz的

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

-

60

25

5.0

PF

开关

(1) (3)

开启时间

V

DD

= 15V ，R

L

=30

,I

D

=500mA

V

根

= 10V ，R

G

=25

打开-O FF时间

V

DD

= 15V ，R

L

=30

, I

D

=500mA

V

根

= 10V ，R

G

=25

t

d

(

on

)

t

D（关闭）

-

10

nS

10

nS

注： 1。对于辅助设计只有不受生产测试。

_

2.脉冲测试： PW

＆ LT ;

300μS ，占空比

＆ LT ;

2%

3.开关时间基本上是独立工作温度。

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

2N7000

2.0

1.8

I D ，漏极电流（ AMPS ）

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0

V

DS

，漏源极电压（伏）

7V

6V

5V

4V

3V

9.0

10

T

A

= 25 C

I D ，漏极电流（ AMPS ）

V

GS

= 10 V

9V

8V

1.0

V

DS

= 10 V

0.8

- 55 C

125 C

25 C

0.6

0.4

0.2

0

1.0

2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0

V

GS

，门源极电压（伏）

9.0

10

图。 1欧姆区

图2传输特性

RDS（ON ），静态漏源导致抗蚀剂ANCE

（归一化）

2.4

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

- 60

- 20

+ 20

+ 60

T，温度（℃ ）

+ 100

V

GS

= 10 V

I

D

= 200毫安

VGS （ th）时，阈值VOL

TAGE （归）

1.2

1.05

1.1

1.10

1.0

0.95

0.9

0.85

0.8

0.75

0.7

- 60

- 20

+ 20

+ 60

T，温度（℃ ）

+ 100

+ 140

V

DS

= V

GS

I

D

= 1.0毫安

+ 140

图3温度与静

漏源导通电阻

图4温度与门

阈值电压

WEITRON

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2N7000

TO- 92外形尺寸

E

单位：mm

TO-92

H

C

J

K

G

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

民

最大

5.100

3.000

2.030

1.100

0.600

0.380

1.100

0.360

0.500

4.400

-

3.430

4.700

4.300

1.270TYP

2.440

2.640

14.100

14.500

B

L

WEITRON

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D

A

直流分量CO 。， LTD 。

R

2N7000

分立半导体

N沟道小信号MOSFET技术规格

描述

设计用于低电压和低电流的应用

如小的伺服电机控制，功率MOSFET

栅极驱动器，以及其它开关应用。

TO-92

.190(4.83)

.170(4.33)

.190(4.83)

.170(4.33)

2典型值

o

钉扎

1 - 来源

2 - 门

3 =漏极

绝对最大额定值

(T

A

=25

o

C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

栅源电压（连续）

漏电流（连续，T

C

=25 C)

漏电流（脉冲）

(1)

o

符号

V

DSS

V

DGR

V

GS

I

D

I

DM

P

D

T

J

T

英镑

T

L

等级

60

20

200

500

350

2.8

-55到+ 150

300

单位

V

mA

mW

o

毫瓦/ C

o

.500

民

(12.70)

.022(0.56)

.014(0.36)

.100

典型值

(2.54)

.148(3.76)

.132(3.36)

.022(0.56)

.014(0.36)

.050

典型值

(1.27)

总功耗

o

减免上述25℃

工作结温

储存温度

最大的铅温度，对

10秒Solding目的

3 2 1

C

.050

o

5

典型值。

5

典型值。

（ 1.27 ） TYP

尺寸以英寸（毫米）

C

电气特性

o

特征

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门正向水稻源漏电流

门水稻源反向漏电流

栅极阈值电压

通态漏电流

(1)

（在25℃环境温度额定值除非另有说明）

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSSF

I

GSSR

V

GS （ TH）

I

D（上）

V

DS(on)1

V

DS(on)2

(1)

民

60

-

0.8

75

-

100

-

典型值

-

最大

-

1

10

-10

3

-

0.45

2.5

6

5

-

60

25

5

357

单位

V

A

nA

V

mA

V

S

pF

o

测试条件

I

D

= 10μA ，V

GS

=0

V

DS

=48V, V

GS

=0

V

GSF

=15V, V

DS

=0

V

GSR

=-15V, V

DS

=0

V

DS

= 3V ，我

D

=1mA

V

DS

=4.5V, V

DS

=10V

I

D

= 75毫安，V

GS

=4.5V

I

D

= 500毫安，V

GS

=10V

I

D

= 75毫安，V

GS

=4.5V

I

D

= 500毫安，V

GS

=10V

V

DS

= 10V ，我

D

=200mA

V

DS

=25V, V

GS

= 0中，f = 1MHz的

-

静态漏源通态电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

(1)

R

DS(on)1

R

DS(on)2

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

R

θJA

2%

热阻，结到环境

（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度

380μs ，占空比

C / W