数据表
双极模拟集成电路
μ
PC3236TK
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
μ
PC3236TK是一种硅锗碳（ SiGe半导体：C ）单片集成电路设计为IF放大器
DBS LNB 。
此设备具有低噪声指数和高功率增益特性。
双极工艺：该IC采用了UHS4 （超高速加工）的SiGe制造。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
增益平坦度
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 24.0毫安TYP 。
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 10.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= +11 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 7.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
= 38 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 38 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
:
Δ
G
P
= 1.0 dB典型值。 @ F = 1.0 2.2 GHz的
： NF为2.6 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
： NF为2.6 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
Ω
应用
如果DBS LNB放大器，其他的L波段放大器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
6U
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
μ
PC3236TK-E2
μ
PC3236TK - E2 -A 6引脚无铅少minimold
（ 1511 PKG ） （无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
μ
PC3236TK
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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一号文件PU10734EJ01V0DS （第1版）
发布日期2008年NS月
日本印刷
2008
