数据表
双极模拟集成电路
μ
PC3236TK
5 V ，硅锗MMIC
中等输出功率放大器
描述
该
μ
PC3236TK是一种硅锗碳（ SiGe半导体：C ）单片集成电路设计为IF放大器
DBS LNB 。
此设备具有低噪声指数和高功率增益特性。
双极工艺：该IC采用了UHS4 （超高速加工）的SiGe制造。
特点
低电流
中等输出功率
- 高线性度
功率增益
增益平坦度
噪声系数
电源电压
端口阻抗
: I
CC
= 24.0毫安TYP 。
: P
O（坐）
= 15.5 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（坐）
= 10.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= +11 dBm的典型。 @ F = 1.0 GHz的
: P
O（ 1分贝）
= 7.5 dBm的典型。 @ F = 2.2 GHz的
: G
P
= 38 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
: G
P
= 38 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
:
Δ
G
P
= 1.0 dB典型值。 @ F = 1.0 2.2 GHz的
： NF为2.6 dB典型值。 @ F = 1.0 GHz的
： NF为2.6 dB典型值。 @ F = 2.2 GHz的
: V
CC
= 4.5 5.5 V
：输入/输出50
Ω
应用
如果DBS LNB放大器，其他的L波段放大器等。
订购信息
产品型号
订单号
包
记号
6U
供给方式
压纹带8mm宽
销1,6面带的穿孔侧
数量5千件/卷
μ
PC3236TK-E2
μ
PC3236TK - E2 -A 6引脚无铅少minimold
（ 1511 PKG ） （无铅）
备注
如需订购评估样品，请联系您最近的销售部门
样品订购部件号：
μ
PC3236TK
当处理，因为这些器件对静电放电敏感小心遵守的注意事项。
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证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件PU10734EJ01V0DS （第1版）
发布日期2008年NS月
日本印刷
2008
μ
PC3236TK
引脚连接和内部框图
（ TOP VIEW ）
1
2
3
6
5
4
1
2
3
（ TOP VIEW ）
6
5
4
6
5
4
（底视图）
1
2
PIN号
1
2
3
4
引脚名称
V
CC
GND
产量
GND
GND
输入
产品线的5 V偏压硅MMIC中等输出功率放大器
(T
A
= + 25 ° C，F = 1千兆赫，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
产品型号
I
CC
（MA ）
26
25
22
25
19
24.5
15.5
26
24
G
P
（ dB）的
15.0
23.0
33.0
23.0
23.0
32.5
记
μ
PC2708TB
μ
PC2709TB
μ
PC2710TB
μ
PC2776TB
μ
PC3223TB
μ
PC3225TB
μ
PC3226TB
μ
PC3232TB
μ
PC3236TK
记
μ
PC3225TB为f = 0.95 GHz的
备注
典型表现。请参阅
电气特性
的细节。
6U
3
5
6
NF
（ dB）的
6.5
5.0
3.5
6.0
4.5
3.7
记
P
O（ 1分贝）
（ dBm的）
+6.5
+9
记
P
O（坐）
（ dBm的）
+10.0
+11.5
+13.5
+8.5
+12.0
+15.5
记
包
6针超级Minimold
记号
C1D
C1E
C1F
C2L
C3J
C3M
C3N
C3S
25.0
32.8
38
5.3
4.0
2.6
+7.5
+11
+11
+13.0
+15.5
+15.5
6引脚无铅减Minimold （ 1511 PKG ）
6U
2
数据表PU10734EJ01V0DS
μ
PC3236TK
电气特性（T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
短路电流
功率增益1
功率增益2
功率增益3
功率增益4
饱和输出功率1
饱和输出功率2
增益1 dB压缩输出功率1
增益1 dB压缩输出功率2
噪声系数1
噪声系数2
隔离1
隔离2
输入回波损耗1
输入回波损耗2
输出回波损耗1
输出回波损耗2
符号
I
CC
G
P
1
G
P
2
G
P
3
G
P
4
P
O（坐）
1
P
O（坐）
2
P
O（1 dB为单位）
1
P
O（1 dB为单位）
2
NF1
NF2
ISL1
ISL2
RL
in
1
RL
in
2
RL
OUT
1
RL
OUT
2
测试条件
无输入信号
F = 0.25千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.8千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
= 0 dBm的
F = 2.2千兆赫，P
in
=
5
DBM
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0 GHz的
F = 2.2 GHz的
F = 1.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
40
DBM
分钟。
19
34
35.5
36
35
+13.5
+8.5
+8
+5
43
43
6
6.5
8
7
典型值。
24
37
38
39
38
+15.5
+10.5
+11
+7.5
2.6
2.6
50
50
9
9.5
11
10
马克斯。
31
39
40.5
42
41
3.5
3.5
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
单位
mA
dB
标准特性，以供参考
(T
A
= + 25 ° C，V
CC
= V
OUT
= 5.0 V ，Z
S
= Z
L
= 50
Ω,
除非另有规定编）
参数
功率增益5
功率增益6
增益平坦度
K系数1
K系数2
输出3阶截取点1
输出3阶截取点2
二阶互调失真
符号
G
P
5
G
P
6
测试条件
F = 2.6千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 3.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 1.0 2.2千兆赫，磷
in
=
40
DBM
F = 1.0千兆赫，P
in
=
40
DBM
F = 2.2千兆赫，P
in
=
40
DBM
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz的
F1 = 2 200兆赫， F2 = 2 201 MHz的
F1 = 1 000 MHz时， F2 = 1 001 MHz时，
P
OUT
=
5
dBm的/音
二阶谐波
2f0
F0 = 1.0千兆赫，P
OUT
=
15
DBM
58
dBc的
参考值
36
32.5
1.0
1.6
1.6
23
16.5
45
dBc的
dB
DBM
单位
dB
Δ
G
P
K1
K2
OIP
3
1
OIP
3
2
IM
2
4
数据表PU10734EJ01V0DS
μ
PC3236TK
测试电路
C5
1 000 pF的
C3
1 000 pF的
R1
560
Ω
L1
56 nH的
C4
1 000 pF的
微带线
（W = 0.2毫米，L = 2.9毫米）
OUT
L2
2.2 nH的
C2
100 pF的
V
CC
C1
100 pF的
IN
1
6
3
2, 4, 5
GND
微带线
（W = 1.05时毫米，L = 2.5毫米）
该应用电路及其参数仅供参考，并不用于实际设计的插件使用。
测试电路的测量附件
电气特性
TYPE
R1
L1
L2
C1, C2
C3, C4
C5
芯片电阻
片式电感
片式电感
贴片电容
贴片电容
穿心电容器
价值
560
Ω
56 nH的
2.2 nH的
100 pF的
1 000 pF的
1 000 pF的
电感器输出引脚
该IC的内部输出晶体管，输出中等功率。提供电流输出晶体管，连接
在V之间的电感器
CC
引脚（引脚1）和输出引脚（引脚3）。选择电感，作为值以上列出。
电感器具有直流和交流的效果。在直流方面时，电感器施力以最小的输出晶体管
电压下降到输出使能高电平。在交流方面，电感，使输出端口的阻抗更高，以获得
足够的增益。在这种情况下，大的电感和Q是合适的（参见下页） 。
电容器的V
CC
，输入和输出引脚
1 000 pF的电容是推荐的旁路电容为V
CC
销和耦合电容器
的输入和输出引脚。
旁路电容器连接至V
CC
销是用来减小Ⅴ的接地阻抗
CC
引脚。因此，稳定的偏置
可对V提供
CC
波动。
耦合电容器，连接到输入和输出管脚，用于切割的DC和最小化射频串行
阻抗。因此，他们的电容被选定为针对50低阻抗
Ω
负载。因此，电容
执行高通滤波器，抑制低频直流。
为了获得平坦的增益从100兆赫以上， 1 000 pF电容在测试电路中使用。下的情况下
10MHz的操作，增加耦合电容，如10 000 pF的值。由于耦合电容
由方程，C = 1 /（2测定
πRfc ） 。
数据表PU10734EJ01V0DS
5
QQ：2881677436 复制
