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修订历史
表52 。
日期
STM32F101x8 ， STM32F101xB
文档修订历史（续）
调整
变化
图2 ：第19页上的时钟树
补充说。
CRC添加（见
上的CRC（循环冗余校验）计算单元
第9页
和
图7 ：第27页上的存储器映射
对地址）。
最大的T
J
在给定的值
表7 ：第31页上的热特性。
P
D
, T
A
和T
J
加，T
PROG
改性和t值
PROG
说明澄清
in
表27 ：第49页上的闪存特性。
I
DD
修改
表15：在典型和最大电流消耗
停止和第37页的待机模式。
加
恒指
修改
表23 ：第47页上的HSI振荡器的特性，
注2中删除。
t
RET
修改
表28 ：闪存耐用性和数据保留。
V
NF （ NRST ）
单位纠正
表36 ：在NRST引脚特性
第55页。
表40 ：第59页上的SPI特点
修改。
I
VREF
在加
表41 ：第62页上的ADC性能。
表43 ： ADC精度 - 有限的试验条件
补充说。
表44 ： ADC
准确性
修改。
更新LQFP100封装规格（请参阅
第6节：包装
第67页上的特性） 。
推荐LQFP100 ， LQFP64 ， LQFP48和VFQFPN36脚印
增加（见
图35 ，图37 ，图39中
和
图33）。
第6.2节：第72页上的热特性
修改。
附录A ：重要事项
删除。
小文的变化。
In
表28 ：闪存耐用性和数据保留：
– N
结束
测试在整个温度范围内
- 在t指定的循环条件
RET
– t
RET
分修改在T
A
= 55 °C
图2 ：时钟树
纠正。
图7 ：内存映射
澄清。
V
25
， Avg_Slope和T
L
修改
表45 ：TS特点。
CRC功能去掉。
第1节：前言
修改
第2.2节：全兼容
整个家庭
补充说。 CRC功能加入。
I
DD_VBAT
除去从
表21 ：典型电流消耗在待机
模式42页。
值添加到
表39 ： SCL频率（ fPCLK1 = 36 MHz时， VDD = 3.3
V ），第58页。
图25 ： SPI时序图 - 第60页上的从模式和CPHA = 0
修改。
式（1）
纠正。
6.2.2节：评估的最高结温为
第73页上的应用
补充说。
AXX选项添加到
表51 ：订购信息计划74页。
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22-May-2008
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文档ID 13586牧师12
