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STM32F101x8 ， STM32F101xB
表52 。
日期
修订历史
文档修订历史（续）
调整
变化
文档状态，从初步数据提升到数据表。小文
变化。
STM32F101CB零件号的更正
表1 ：设备摘要。
在校正STM32F101Tx通信外设数量
表2 ：设备特性和外设计数（ STM32F101xx中等
密度接入线）
和GPIO用于LQFP封装修正数。
第13页上的电源方案
修改。
修改后的PC14和PC15的主要功能和默认的复用功能
in
表4 ：中密度STM32F101xx引脚定义，注释6
补充说，
重映射列补充道。
图10 ：电源方案
修改。 V
DD
V
SS
收视修改
和
注1
修改
表5 ：电压特性。注1
改进
in
表6 ：电流特性。
注2
在加
表10 ：内置复位和电源控制模块
的特点。
48和72兆赫的频率从除去
表12 ，表13中
和
表14 。
修改MCU的运行条件
典型电流
第40页上的消耗。
I
DD_VBAT
在2.4V时的典型值进行修改，我
DD_VBAT
最大值
在加
表15 ：在停止的典型和最大电流消耗
和待机模式。
注意在添加
表16 40页
和
表17
第41页表18 ：外设电流消耗
修改。
图16 ：典型电流消耗在停止模式调节器
低功耗模式与温度VDD = 3.3 V和3.6 V
补充说。
注意下面的删除
图25 ： SPI时序图 - 从模式和
CPHA = 0 。
注意补充以下
图26 ： SPI时序图 - 奴隶
模式和CPHA = 1（1） 。
图29：使用ADC的典型连接图
修改。
t
SU（ HSE）
和T
SU （ LSE ）
修改条件
表21
和
表22 ，
分别。最大值从删除
表25 ：低功耗模式
唤醒定时。
t
RET
修改条件
表28 ：闪存
耐用性和数据保留。
修改条件
表29 ： EMS
的特点。
阻抗大小指定
A.4 ：上ADC输入0电压毛刺
第71页。
小文的变化
表34 ：输出电压特性。
第5.3.11 ：绝对最大额定值（电气灵敏度）
更新。
对未使用引脚的详细信息删除
通用输入/输出
特色52页。
表40 ： SPI特点
更新。添加注释和我
LKG
在删除
表41 ： ADC特性。
注意在添加
表42
和
表45 。
注3
和
注2
下面添加
表43 ： ADC精度 - 有限的测试
条件。
Avg_Slope和V
25
修改
表45 ：TS特点。
JA
增加价值为VFQFPN36包
表50 ：包装热
第56页characteristicsI2C接口特性
修改。
订购代码替换
第7节：订购信息计划。
22-Nov-2007
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