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STK16C88
AC开关特性
表3. SRAM读周期
参数
柏
ALT
参数
t
ELQV
t
ACE
[5]
t
RC
t
AVAV ，
t
ELEH
[6]
t
AA
t
AVQV
t
GLQV
t
美国能源部
[6]
t
OHA
t
AXQX
[7]
t
LZCE
t
ELQX
[7]
t
EHQZ
t
HZCE
[7]
t
LZOE
t
GLQX
[7]
t
HZOE
t
GHQZ
t
ELICCH
t
聚氨酯[4]
[4]
t
PD
t
EHICCL
25纳秒
描述
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
民
25
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
45
0
15
5
5
15
最大
25
45
45
20
45纳秒
民
最大
45
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
开关波形
图5. SRAM读周期1 ：地址控制
[5, 6]
图6. SRAM读周期2 ： CE和OE控制
[5]
笔记
5.我们必须在SRAM写周期期间SRAM读周期高和低。
6. I / O状态，假设CE和OE < V
IL
和WE > V
IH
;设备被连续地选择。
7.测量± 200 mV的自稳态输出电压。
文件编号： 001-50595修订版**
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