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STK16C88
设备操作
该自动存储+ STK16C88是一个快速32K ×8 SRAM是不
失去了在掉电数据。数据是在积分保存
QuantumTrap非易失性存储元件，当电源中断。
自动存储在断电和自动召回
在不使用电池的功率高达保证数据的完整性。
如果STK16C88处于写状态，在上电时的端
回想一下，在SRAM数据被破坏。为了避免这种
的情况下，一个10千欧电阻连接或者我们之间
和System V
CC
或CE和System V之间
CC
.
软件商店
数据被从SRAM由传送到非易失性存储器
一个软件地址序列。该STK16C88软件商店
循环是通过执行顺序控制CE开始阅读
从周期的确切顺序六项具体地址位置。中
对STORE周期，先前的非易失性数据的擦除是
首先来执行随后的非易失性的程序
元素。当启动一个商店周期，输入和输出是
禁用，直到周期结束。
因为一个序列的读和写来自特定地址的使用
对于STORE开始，就没有其他的读或写是很重要的
存取介入的序列中。如果他们介入，
序列被中止，没有存储或调用发生。
要启动的软件商店周期，下面读
顺序进行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0FC0 ，启动STORE周期
该软件序列主频与CE控制的读取。
当序列中的第六个地址输入后，在商店
周期开始和芯片被禁用。重要的是
读周期，而不是写周期的使用顺序。
这是没有必要的OE为低电平为有效的序列。后
t
商店
周期时间满足， SRAM被再次激活
读取和写入操作。
SRAM读
该STK16C88执行一个读周期，每当CE和OE
是低，而我们高。在针脚上指定的地址
0–14
确定访问的32,768个数据字节。当读为
由地址转换启动的，则输出是后一个有效
吨的延迟
AA
（读周期1） 。如果读通过CE或OE启动，
的输出是在t有效
ACE
或者在t
美国能源部
，以较迟者为准（读
周期2）。数据输出一再响应地址
内T改变
AA
无需跃迁存取时间
系统蒸发散在任何控制输入引脚，并保持有效，直到另一个
地址变更或直到CE或OE变为高电平。
SRAM写
写周期完成时CE和WE低。
地址输入必须在进入之前写是稳定的
周期，必须保持稳定，直到CE或WE变为高电平
在周期的末端。对普通IO引脚DQ数据
0–7
被写入到存储器中，如果它具有有效吨
SD
，年底前
答：我们控制的写或CE年底前控制
WRITE 。请OE高在整个写周期，以避免
数据总线争上常见的IO线。如果OE保持低电平，
内部电路断开输出缓冲器吨
HZWE
之后，我们去
低。
自动存储+操作
该STK16C88对掉电自动STORE的COM -
pletely透明的系统。这家商店开始接受
在断电情况下小于500纳秒（V
CC
＆ LT ; V
开关
），在该
指出只有部分取决于它的内部电容STORE
完成。
如果电源比下降20快
μS/伏
之前的Vcc
到达vSwitch时，那么2.2欧姆的电阻应插入
Vcc和系统供应，以避免瞬间之间
多余的Vcc和内部电容之间的电流。
为了防止不必要的存储操作，自动
店铺被忽略，除非至少有一个写操作
自最近一次存储或调用循环发生。
启动软件商店周期，无论执行
的写操作是否已经发生。
软件RECALL
数据从非易失性存储器通过转移到SRAM
一个软件地址序列。软件RECALL周期
与读取操作中类似的方式顺序启动
对软件商店开始。要启动RECALL周期，
CE控制的读操作如下顺序是
执行：
1.阅读地址0x0E38 ，有效的读
2.读地址0x31C7 ，有效的读
3.阅读地址0x03E0 ，有效的读
4.阅读地址0x3C1F ，有效的读
5.读地址0x303F ，有效的读
6.读地址0x0C63 ，启动RECALL周期
在内部，召回是一个两步的过程。首先， SRAM数据
被清除，然后，非易失性信息被转移到
SRAM单元。之后的T
召回
周期时间，该SRAM是一次
再次准备读取和写入操作。召回
操作不改变在非易失性元件的数据。该
非易失性数据可被调用的次数不受限制。
硬件RECALL （上电）
在上电期间或之后的任何低功耗状态（V
CC
＆ LT ; V
RESET
),
内部RECALL请求被锁定。当V
CC
再次
超过V的检测电压
开关
，召回周期
自动启动，并采取吨
HRECALL
来完成。
文件编号： 001-50595修订版**
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