SFH691AT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器， （ 1.0秒）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
3750
≥
5.0
≥
5.5
≥
175
≥10
12
≥10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= - 5.0毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.15
29
750
最大
1.4
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
5.0
500
民
典型值。
最大
100
单位
nA
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.0毫安
F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.1
0.4
最大
0.3
单位
V
pF
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2
文档编号83719
修订版1.6 ， 10月26日04
