SFH691AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 4 ，
AC输入，微型扁平封装
特点
SOP （小外形封装）
隔离测试电压， 3750 V
RMS
(1.0 s)
高集电极 - 发射极击穿电压，
V
首席执行官
= 70 V
双向交流输入
的A / C 1
4
C
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
可堆叠终端， 0.100"器（2.54 mm ）的间距
铅（Pb） -free组件
按照RoHS元器件2002/95 / EC和
WEEE 2002/96 / EC
C / A 2
3
E
i179066
描述
该SFH691AT有在一个GaAs红外发光二极管发射器，
其光学耦合到硅平面光电晶体管
检测器，并且在一个4销100密耳引线间距并入
miniflat包。它具有高电流传输比，低
耦合电容，以及高的隔离电压。
联接装置被设计用于信号
两个电分离电路之间传输。
应用
高密度安装和空间敏感的印刷电路板
PLC的
电信
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码ü
FIMKO
DIN EN 60747-5-5可用的选项1
订购信息
部分
SFH691AT
记
该SFH691AT仅在磁带和卷轴。
备注
点击率50 300％ ，贴片-4-
绝对最大额定值
参数
输入
直流正向电流
正向电流浪涌
总功耗
产量
集电极 - 发射极电压
发射极集电极电压
集电极电流
总功耗
(1)
测试条件
符号
I
F
价值
50
2.5
80
70
7.0
50
100
150
单位
mA
A
mW
V
V
mA
mA
mW
t
p
≤
10 s
I
FSM
P
DISS
V
CE
V
EC
I
C
t
p
≤
1.0毫秒
I
C
P
DISS
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如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
文档编号： 83719
修订版1.7 ， 16 08年5月
SFH691AT
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
SOP-4,
AC输入，微型扁平封装
绝对最大额定值
参数
耦合器
发射极之间的绝缘测试电压
和检测器
绝缘电阻
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
(2)
最大。 10秒浸焊的距离
以飞机座位
≥
1.5 mm
1.0 s
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
V
ISO
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
3750
≥
10
12
≥
10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
V
RMS
Ω
Ω
°C
°C
°C
°C
(1)
测试条件
符号
价值
单位
笔记
(1)
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
供的长时间的评分可不利地影响可靠性。
(2)
请参阅回流焊温度曲线的表面贴装器件的焊接条件。
电气特性
参数
输入
正向电压
电容
热阻
产量
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极电容
热阻
耦合器
集电极 - 发射极饱和电压
耦合电容
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.0毫安
F = 1.0 MHz的
V
CESAT
C
C
0.1
0.4
0.3
V
pF
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
5.0
500
100
nA
pF
° C / W
I
F
= 5.0毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
F
C
O
R
thJA
1.15
29
750
1.4
V
pF
° C / W
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
电流传输比
参数
电流传输比
CTR1/CTR2
测试条件
I
F
= ±5.0毫安， V
CE
= 5.0 V
CTR1 = I
C1
/I
F1
， CTR2 = I
C2
/I
F2
符号
CTR
分钟。
50
0.3
典型值。
120
马克斯。
300
3.0
单位
%
开关特性
参数
上升时间
下降时间
开启时间
打开-O FF时间
测试条件
I
C
= 5.0毫安， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 100
Ω
I
C
= 5.0毫安， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 100
Ω
I
C
= 5.0毫安， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 100
Ω
I
C
= 5.0毫安， V
CC
= 5.0 V ，R
L
= 100
Ω
符号
t
r
t
f
t
on
t
关闭
分钟。
典型值。
马克斯。
3.0
4.0
5.0
3.0
单位
s
s
s
s
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SFH691AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出，
SOP-4,
AC输入，微型扁平封装
安全性和绝缘等级
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
漏电起痕指数
V
IOTM
V
IORM
P
SO
I
SI
T
SI
爬电距离
间隙距离
绝缘厚度
5
5
0.4
CTI
175
6000
707
350
150
175
测试条件
符号
分钟。
典型值。
55/100/21
399
V
V
mW
mA
°C
mm
mm
mm
马克斯。
单位
记
按照IEC 60747-5-2 ， § 7.4.3.8.1 ，这是光电耦合器适用于仅在安全评级"safe电气insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
I
F
R
L
= 100
Ω
V
CC
= 5.0
V
I
C
50
Ω
isfh691at_01
图。 1 - 线性操作（不饱和）
包装尺寸
以英寸（毫米）
4
3
R 0.010 (0.25)
0.014 (0.36)
0.19 0 ( 4.83)
0.17 0 ( 4.32)
0.100 (2.54)
0.036 (0.91)
0.200 (5.08)
0.290 (7.37)
1
2
0.045 (1.14)
ISO方法A
0.024 ( 0.61)
0.034 (0.86)
0.080 (2.03)
0.075 (1.91)
引脚1号（上倒角边
包）
0.18 4 ( 4.67 )
0.16 4 ( 4.17 )
6°
0.020 ( 0.51 )
0.010 ( 0.25 )
0.008 (0.20 )
0.004 (0.10 )
0.220 ( 5.59 )
0.200 ( 5.08 )
40°
10°
0.01
8
( 0.46)
0.014 ( 0.36)
0.10 5 (2.67 )
0.09 5 (2.41 )
i178038
引脚共面性
0.004 （ 0.10 ）最大。
Y
0.02 5 ( 0.63 )
0.01 5 ( 0.38 )
0.28 4 ( 7.21)
0.26 4 ( 6.71)
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SFH691AT
光电耦合器，光电晶体管输出，
威世半导体
SOP-4,
AC输入，微型扁平封装
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和操作系统的性能
相对于它们对健康和员工的安全和公众，以及它们对环境的影响。
这是特别令人关注，以控制或消除这些物质排放到该被称为臭氧气氛
消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990年）打算严格限制使用消耗臭氧层物质，并禁止其使用
在未来的十年。不同的国家和国际行动正加紧对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以杜绝使用消耗臭氧层物质的上市
下列文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书分别在伦敦修正案的过渡性物质列表。
2. I级和1990年的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质的环境保护局
（EPA）在美国。
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧层物质的生产和做
不含有此类物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每一个客户应用程序被验证
客户。如买方使用威世半导体产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应
赔偿威世半导体的所有索赔，费用，损失，费用，所产生的直接或间接的任何
人身损害，伤害或死亡的索赔等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
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法律免责声明
日前，Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改，恕不另行通知。
日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，其附属公司，代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
（统称为“Vishay ” ） ，对本文档中的任何错误，不准确或不完整不承担任何责任
或在任何其他公开内容有关的任何产品。
日前，Vishay不承担任何及由此产生的任何产品的使用或应用程序的所有责任本文中的任何或描述
本文提供的，在法律允许的最大范围内的信息。产品规格没有扩展或者
以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，包括但不限于本文保修
其中，适用于这些产品。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本
文档或任何Vishay的行为。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生使用，或维持生命的应用程序，除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险，并同意全额赔偿日前，Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系，以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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1
SFH691AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 4 ， AC输入，迷你平板
包
特点
SOP （小外形封装）
隔离测试电压， 3750 V
RMS
(1.0 s)
高集电极 - 发射极击穿电压，
V
首席执行官
= 70 V
双向交流输入
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
的A / C 1
4
C
C / A 2
3 E
i179066
e3
Pb
无铅
描述
该SFH691AT有在一个GaAs红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个4针并入
100密耳引线间距miniflat包。它具有很高的
电流传输比，低耦合电容和
高隔离电压。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码ü
FIMKO
应用
高密度安装和空间敏感的印刷电路板
PLC的
电信
订购信息
部分
SFH691AT
备注
CTR 50 - 300 ％ ， SMD- 4
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
该SFH691AT仅在磁带和卷轴。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
50
2.5
80
单位
mA
A
mW
文档编号83719
修订版1.6 ， 10月26日04
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1
SFH691AT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器， （ 1.0秒）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
3750
≥
5.0
≥
5.5
≥
175
≥10
12
≥10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= - 5.0毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.15
29
750
最大
1.4
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
5.0
500
民
典型值。
最大
100
单位
nA
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.0毫安
F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.1
0.4
最大
0.3
单位
V
pF
www.vishay.com
2
文档编号83719
修订版1.6 ， 10月26日04
SFH691AT
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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SFH691AT
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， SOP- 4 ， AC输入，迷你平板
包
特点
SOP （小外形封装）
隔离测试电压， 3750 V
RMS
(1.0 s)
高集电极 - 发射极击穿电压，
V
首席执行官
= 70 V
双向交流输入
低饱和电压
快速开关时间
温度稳定
低耦合电容
最终可堆叠， .100 "器（2.54 mm ）间距
无铅组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
的A / C 1
4
C
C / A 2
3 E
i179066
e3
Pb
无铅
描述
该SFH691AT有在一个GaAs红外发光二极管
发射器，其被光学耦合到硅平面
光电晶体管检测器，并且在一个4针并入
100密耳引线间距miniflat包。它具有很高的
电流传输比，低耦合电容和
高隔离电压。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码ü
FIMKO
应用
高密度安装和空间敏感的印刷电路板
PLC的
电信
订购信息
部分
SFH691AT
备注
CTR 50 - 300 ％ ， SMD- 4
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
该SFH691AT仅在磁带和卷轴。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
直流正向电流
正向电流浪涌
功耗
t
p
≤
10
s
测试条件
符号
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
50
2.5
80
单位
mA
A
mW
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修订版1.6 ， 10月26日04
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SFH691AT
威世半导体
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
p
≤
1.0毫秒
功耗
测试条件
符号
V
CE
V
EC
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
单位
V
V
mA
mA
mW
耦合器
参数
之间的隔离测试电压
发射器和检测器， （ 1.0秒）
爬电距离
净空
每漏电起痕指数
DIN IEC 112 / VDEO 303 ，第1部分
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒。浸焊
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
测试条件
符号
V
ISO
价值
3750
≥
5.0
≥
5.5
≥
175
≥10
12
≥10
11
- 55至+ 150
- 55至+ 100
100
260
°C
°C
°C
°C
单位
V
RMS
mm
mm
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
电容
热阻
测试条件
I
F
= - 5.0毫安
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
C
O
R
thJA
民
典型值。
1.15
29
750
最大
1.4
单位
V
pF
° C / W
产量
参数
集电极 - 射极漏泄
当前
集电极 - 发射极电容
热阻
测试条件
V
CE
= 20 V
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
I
首席执行官
C
CE
R
thJA
5.0
500
民
典型值。
最大
100
单位
nA
pF
° C / W
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 10 mA时，我
C
= 2.0毫安
F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
0.1
0.4
最大
0.3
单位
V
pF
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2
文档编号83719
修订版1.6 ， 10月26日04
SFH691AT
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号83719
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