SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
威世半导体
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
开关特性
参数
传播延迟时间的高
输出电平
传播延迟时间的低
输出电平
脉冲宽度disortion
传播延迟偏斜
输出上升时间（10至90％）
输出的下降时间（ 9010 ％）
测试条件
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
R
L
= 350
Ω,
C
L
= 15 pF的
符号
t
PLH
t
PHL
|t
PHL
- t
PLH
|
t
PSK
t
r
t
f
分钟。
20
25
典型值。
48
50
2.9
8
23
7
马克斯。
100
100
35
40
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
在推荐的温度（T
A
= - 40 ° C至+ 100 ° C） ，V
CC
= 5 V，I
F
=除非另有规定编7.5毫安。
所有的标准结构在T
AMB
= 25 ° C，V
CC
= 5 V.
PULSE GEN 。
ZO = 50
Ω
五六= T R = 5纳秒
IF
1
输入
监测
节点
RM
2
3
4
GND
V
CC
双通道
V
CC
8
7
6
5
0.1
F
绕行
RL
产量
V
O
监测
节点
输入IF
IF
= 7.5毫安
IF
= 3.75毫安
0毫安
V
OH
1.5
V
V
OL
吨PHL
吨PLH
20132
产量
V
O
CL = 15 pF的
图。 1 - 双通道测试电路吨
PLH
, t
PHL
, t
r
和T
f
共模瞬态抗扰度
参数
测试条件
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（高）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 0 mA时，
V
O（ MIN 。 ）
= 2 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
|V
CM
| = 10 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(1)
共模瞬态抗扰度
（低）
|V
CM
| = 50 V, V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(2)
|V
CM
| = 1千伏，V
CC
= 5 V，I
F
= 7.5毫安，
V
O（ MAX 。 ）
= 0.8 V ，R
L
= 350
Ω,
T
AMB
= 25 °C
(3)
笔记
(1)
对于SFH6755T
(2)
对于SFH6756T
(3)
对于SFH6757T
符号
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
H
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
|厘米
L
|
分钟。
100
5000
15 000
100
5000
15 000
10 000
25 000
10 000
25 000
典型值。
马克斯。
单位
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
V / μs的
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文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
