SFH6755T ， SFH6756T ， SFH6757T
高速光耦， 10兆位，
SOIC -8封装
热特性
参数
热阻，结发射器登
热阻，结探测器登上
热电阻，发射极结到外壳
测试条件
符号
θ
EB
θ
DB
θ
EC
价值
120
77
110
单位
° C / W
° C / W
° C / W
威世半导体
记
热模型被表示在下面的热网络。在该模型中每个给定的电阻值可以被用来计算
温度在每个节点处对于一个给定的操作条件。从板的热阻至环境将依赖于印刷电路板的类型，
布局和铜线的厚度。对于热模型的详细说明，请参考Vishay的热特性
光电耦合器的应用笔记。
T
B
θ
DB
T
D
θ
DE
θ
DE
θ
ET
T
C
T
E1
T
E2
θ
ET
T
C
θ
EE
θ
EB
θ
EB
20510
T
B
T
B
电气特性
参数
输入
输入正向电压
反向电流
输入电容
产量
高水平的电源电流
（单信道）
高水平的电源电流
（双通道）
低电平电源电流
（单信道）
低电平电源电流
（双通道）
高电平输出电流
低电平输出电压
输入阈值电流
V
E
= 0.5 V，I
F
= 0毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 0毫安
I
F
= 0毫安
V
E
= 0.5 V，I
F
= 10毫安
V
E
= V
CC
, I
F
= 10毫安
I
F
= 10毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V，I
F
= 250 A
V
E
= 2 V，I
F
= 5毫安，
I
OL
（沉没）= 13毫安
V
E
= 2 V, V
O
= 5.5 V,
I
OL
（沉没）= 13毫安
I
CCH
I
CCH
I
CCH
I
CCL
I
CCL
I
CCL
I
OH
V
OL
I
TH
4.1
3.3
6.5
4.0
3.3
6.5
0.002
0.2
2.4
7.0
6.0
12.0
7.0
6.0
12.0
1
0.6
5.0
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
V
mA
I
F
= 10毫安
V
R
= 5 V
F = 1MHz时， V
F
= 0 V
V
F
I
R
C
I
1.1
1.4
0.01
55
1.7
10
V
A
pF
测试条件
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
记
T
AMB
= 25° C和V
CC
= 5.5 V时，除非另有规定。
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
文档编号： 81331
修订版1.5 ， 06 -OCT- 08
如有技术问题，请联系： optocoupler.answers@vishay.com
www.vishay.com
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