IDT7006S/L
高速16K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
读周期波形
(5)
t
RC
ADDR
t
AA
(4)
t
ACE
(4)
t
AOE
(4)
OE
CE
读/写
t
LZ
(1)
数据
OUT
有效数据
(4)
t
HZ
(2)
忙
OUT
t
BDD
(3,4)
2739 DRW 07
t
OH
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE
or
CE 。
2.时间取决于该信号拉高第一
CE
or
OE 。
3. t
BDD
延迟是必需的唯一的情况下相反的端口完成的写操作相同的地址位置。可同时读取操作
忙
没有关系的有效输出数据。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
, t
AA
或T
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
上电掉电时序
CE
I
CC
I
SB
2739 DRW 08
t
PU
t
PD
,
8
