快速
16K ×8双端口
静态RAM
特点
x
x
IDT7006S/L
x
x
真正的双端口存储器单元，可同步
读取相同的内存位置
高速存取
??军事： 20/25 /35/ 55 / 70ns的（最大）
??工业： 55ns （最大）
??商业：15 /17/ 20/25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
?? IDT7006S
主动： 750MW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
?? IDT7006L
主动：为700mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
IDT7006轻松扩展数据总线宽度为16位或更多
采用主/从选择当级联多
x
x
x
x
x
x
x
x
x
x
一台设备
M / S = H为
忙
输出标志法师，
M / S = L为
忙
输入从机上
忙碌而中断标志
片上的端口仲裁逻辑
全片上硬件支持信号量的信号
端口之间
从任何一个端口完全异步操作
设备能够比2001V承受更大的
静电放电
电池备份操作？ 2V数据保留
TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
可提供68引脚PGA ，四方扁平封装， PLCC和64引脚
TQFP
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
OE
L
CE
L
读/写
L
OE
R
CE
R
读/写
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
控制
忙
L
A
13L
A
0L
(1,2)
I / O
0R
-I / O
7R
I / O
控制
忙
R
(1,2)
地址
解码器
14
内存
ARRAY
14
地址
解码器
A
13R
A
0R
CE
L
OE
L
读/写
L
仲裁
打断
SEMAPHORE
逻辑
CE
R
OE
R
读/写
R
SEM
L
(2)
INT
L
注意事项：
1. （ MASTER ） ：
忙
输出; （ SLAVE ） ：
忙
输入。
2.
忙
输出和
INT
输出的非三态推挽。
M / S
SEM
R
INT
R
(2)
2739 DRW 01
1999年9月
1
DSC-2739/11
IDT7006S/L
高速16K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
该IDT7006是一种高速16K ×8双端口静态RAM 。该
IDT7006被设计为用作一个独立的128K位双端口RAM的
或作为组合主/从双端口RAM用于16位或更多的
字系统。采用IDT主/从双口RAM的方法
在16位或更广泛的存储系统应用成果全速，无错
自由操作，而无需额外的分立逻辑。
该器件提供了独立控制两个独立的端口，
地址和I / O引脚，允许自主，异步访问
读或写操作的任何位置在存储器中。自动断电
功能通过控制
CE
允许片上电路，每个端口的输入
描述
非常低的待机功耗模式。
采用IDT ？的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为750MW运行。低功率（L ）
版本提供典型动力电池备份数据保持能力
500μW的从2V的电池消耗。
的IDT7006封装在陶瓷68针的PGA ，一个68针四
扁平，一PLCC和64引脚薄型四方扁平封装， TQFP封装。军工级
产品制造符合MIL- PRF-的最新版本
38535 QML ， B级，使其非常适合于军用温度
要求苛刻的应用程序的性能和可靠性的最高水平。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
I / O
1L
I / O
0L
N / C
OE
L
读/写
L
SEM
L
CE
L
N / C
A
13L
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
9
8
7
6
5
4
3
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
IDT7006J或F
J68-1
(4)
F68-1
(4)
68引脚PLCC /扁平
顶视图
(5)
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
2739 DRW 02
.
读/写
L
SEM
L
CE
L
I / O
1L
I / O
0L
V
CC
A
12L
A
11L
I / O
7R
N / C
OE
R
读/写
R
SEM
R
CE
R
N / C
A
13R
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
A
13L
A
10L
OE
L
A
9L
A
8L
53
52
A
7L
51
指数
61
60
63
62
64
59
58
57
56
54
50
55
49
A
6L
A
5L
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
48
47
46
45
44
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
GND
M / S
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
.
7006PF
PN-64
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J68-1包体约为0.95英寸x 0.95英寸X 0.17英寸
F68-1包体约为0.97英寸x 0.97英寸x 0.08英寸
PN64-1包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示方位的实际部件标记
17
20
23
24
25
26
27
29
30
18
19
21
22
28
31
32
16
33
A
13R
GND
A
9R
A
8R
A
7R
SEM
R
CE
R
I / O
6R
I / O
7R
OE
R
读/写
R
A
12R
A
11R
A
10R
A
6R
A
5R
2739 DRW 03
2
IDT7006S/L
高速16K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
（续）
51
11
53
A
7L
55
A
9L
A
5L
52
A
6L
54
A
8L
50
A
4L
49
A
3L
48
A
2L
47
A
1L
46
44
42
A
0L
忙
L
M / S
40
38
INT
R
A
1R
36
A
3R
35
A
4R
32
A
7R
30
A
9R
34
A
5R
33
A
6R
31
A
8R
29
A
10R
27
A
12R
25
A
13R
10
45
43
41
39
37
INT
L
GND
忙
R
A
0R
A
2R
09
08
57
56
A
11L
A
10L
59
58
V
CC
A
12L
60
A
13L
07
61
06 N / C
IDT7006G
G68-1
(4)
68引脚PGA
顶视图
(5)
28
A
11R
26
GND
24
N / C
63
62
05
SEM
L
CE
L
04
65
64
OE
L
读/写
L
67
66
I / O
0L
N / C
1
3
68
I / O
1L
I / O
2L
I / O
4L
2
01
A
指数
注意事项：
1.所有V
CC
引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为1.18英寸x 1.18英寸x 0.16英寸
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示方位的实际部件标记
22
23
SEM
R
CE
R
20
OE
R
5
7
9
11
13
15
GND I / O
7L
GND I / O
1R
V
CC
I / O
4R
6
8
10
12
14
16
V
CC
I / O
0R
I / O
2R
I / O
3R
I / O
5R
I / O
6L
D
E
F
G
H
J
21
读/写
R
.
03
02
18
19
I / O
7R
N / C
17
I / O
6R
K
L
2739 DRW 04
4
I / O
3L
I / O
5L
B
C
引脚名称
左侧端口
CE
L
读/写
L
OE
L
A
0L
- A
13L
I / O
0L
- I / O
7L
SEM
L
INT
L
忙
L
CE
R
读/写
R
OE
R
A
0R
- A
13R
I / O
0R
- I / O
7R
SEM
R
INT
R
忙
R
M / S
V
CC
GND
正确的端口
芯片使能
读/写使能
OUTPUT ENABLE
地址
数据输入/输出
信号灯启用
中断标志
忙标志
主机或从机选择
动力
地
2739 TBL 01
名字
6.42
3
IDT7006S/L
高速16K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
真理表I ：非争用的读/写控制
输入
输出
CE
H
L
L
X
读/写
X
L
H
X
OE
X
X
L
H
SEM
H
H
H
X
I / O
0-7
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
取消：掉电
写入内存
阅读记忆
输出禁用
模式
注意：
1. A
0L
A
13L
不等于A
0R
A
13R
2739 TBL 02
事实表二：信号灯读/写控制
(1)
输入
(1)
输出
CE
H
H
L
读/写
H
↑
X
OE
L
X
X
SEM
L
L
L
I / O
0-7
数据
OUT
数据
IN
____
模式
阅读信号灯标志数据输出
写I /吴成信号灯标志
不允许
2739 TBL 03
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
从我读/ O
0 -
I / O
7
。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
军事
-0.5到+7.0
单位
V
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2739 TBL 06
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-55到+125
50
-65到+135
-65到+150
50
o
C
C
o
mA
2739 TBL 04
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在运营仲系统蒸发散本规范的表示是不是暗示。曝光
绝对马克西妈妈额定值条件下长时间可能会影响
可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
＆ LT ; Vcc的+ 10％ 。
最大工作温度
与电源电压
(1,2)
GRADE
军事
广告
产业
环境
温度
-55
O
C至+ 125
O
C
0
O
C至+70
O
C
40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2739 TBL 05
2739 TBL 07
注意事项：
1.这是参数T
A
.
2，工业级温度：特定速度，包和权力联系您
销售网络的CE 。
注意事项：
1.这些参数由器件特性决定的，但不
生产测试（仅TQFP封装） 。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
4
IDT7006S/L
高速16K ×8双端口静态RAM
军事，工业和商业温度范围
DC电气特性在0perating
温度和电源电压范围
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
7006S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
___
___
7006L
马克斯。
10
10
0.4
___
分钟。
___
___
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
2739 TBL 08
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
数据保持特性在所有温度范围
（只有L型）
(V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V)
符号
V
DR
I
CCDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
V
CC
= 2
V
CE
＆ GT ; V
HC
V
IN
＆ GT ; V
HC
或< V
LC
t
CDR
(3)
t
R
(3)
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
SEM
＆ GT ; V
HC
米尔。 &工业。
Com'l 。
测试条件
分钟。
2.0
___
___
典型值。
___
(1)
马克斯。
___
单位
V
A
100
100
___
___
4000
1500
___
___
0
t
RC
(2)
ns
ns
2739 TBL 09
注意事项：
1. T
A
= + 25 ° C，V
CC
= 2V ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间
3.此参数是通过特性保证，但未经生产测试。
数据保存波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
DR
＆ GT ;
2V
4.5V
t
R
V
IH
2739 DRW 05
6.42
5
QQ：2881677436 复制
