PIC16C717/770/771
2.2.2.1
状态寄存器
在状态寄存器，在所示
寄存器2-1 ，
包含
ALU的算术运算状态，复位状态和
银行选择位数据存储器。
STATUS寄存器可以是目的地的任何
指令，与任何其他寄存器。如果STATUS
寄存器作为目标的影响的指令
的Z， DC或C位，那么写这三位是
禁用。这些位是根据设置或清除
器件的逻辑。此外，TO和PD位是不可
可写。同的指令，因此，其结果
状态寄存器作为目标可能会比不同
意。
例如，
CLRF STATUS
将清除上三
位，并将Z位。这将使状态寄存器
as
000u u1uu
（其中
u
=不变） 。
建议的，因此，只
BCF ， BSF ，
SWAPF
和
MOVWF
指令来改变
状态寄存器，因为这些指令不
从影响状态寄存器中的Z， C或DC位。为
不影响任何状态位的指令，请参阅
"Instruction集Summary."
注2 ：
C和DC位的借位和
半借位，分别在减法。
见
SUBLW
和
SUBWF
有关说明
例子。
寄存器2-1：
R/W-0
IRP
bit7
R/W-0
RP1
状态寄存器（ STATUS ： 03H ， 83H ， 103H ， 183h ）
R/W-0
RP0
R-1
TO
R-1
PD
R / W -X
Z
R / W -X
DC
R / W -X
C
bit0
R =可读位
W =可写位
U =未实现位，
读为' 0 '
- n =上电复位值
第7位：
IRP ：
寄存器组选择位（用于间接寻址）
1
银行= 2 ， 3 （ 100H - 1FFh的）
0
银行= 0 ， 1 （ 00H - FFH ）
位6-5 ：
RP<1 ： 0> ：
寄存器组选择位（用于直接寻址）
11
银行= 3 （ 180H - 1FFh的）
10
银行= 2 （ 100H - 17Fh ）
01
银行= 1 （ 80H - FFH ）
00
=银行0 （ 00H - 7Fh的）
每家银行的128个字节
位4：
要：
超时位
1
=上电后，
CLRWDT
指令，或
睡觉
指令
0
=发生了WDT超时
PD ：
掉电位
1
=在上电或由
CLRWDT
指令
0
=执行的
睡觉
指令
Z:
零位
1
=算术或逻辑运算的结果为零
0
=算术或逻辑运算的结果不为零
DC ：
半进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
指令） （用于借极性是相反的）
1
=运算出结果的第4低位发生
0
=未发生进从结果的第4低位
C:
进位/借位（ ADDWF ，
ADDLW ， SUBLW ， SUBWF
说明）
1
=运算出结果的最高位发生
0
=未发生进结果的最高位发生
对于借位，极性是相反的。减法是通过加上2的补节的执行
OND操作。对于移位（ RRF ，
RLF ）
说明，此位装有高位或低位的位
源寄存器。
位3：
位2：
位1 ：
位0：
注意：
DS41120A第16页
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