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NAND128 -A ， NAND256 -A ， NAND512 -A ， NAND01G -A
表21. AC特性操作
符号
t
ALLRL1
t
ALLRL2
t
BHRL
t
BLBH1
t
BLBH2
t
BLBH3
t
BLBH4
写使能高到
就绪/忙高
t
PROG
t
别尔斯
就绪/忙低
就绪/忙高
Alt键。
符号
t
AR
t
RR
地址锁存低
读使能低
参数
阅读电子签名
读周期
民
民
民
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
最大
民
民
最大
民
最大
最大
最大
民
民
最大
民
民
最大
最大
最大
最大
民
民
1.8V
器件
10
10
20
12
15
500
3
5
5
10
500
10
0
60 + t
r(1)
100
20
45
100
15
15
30
30
60
35
12
15
100
80
60
3V
单位
器件
10
10
20
12
12
500
3
5
5
10
500
10
0
60 + t
r(1)
100
20
45
100
15
15
30
30
50
35
12
12
100
60
50
ns
ns
ns
s
s
s
ms
s
s
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ns
就绪/忙高到读使能低
阅读闲时间， 128MB， 256MB，
512MB双芯片
阅读闲时间，512MB ，1GB
节目时间忙
擦除时间忙
复位闲时间，在此期间准备
复位闲时间，在读
t
WHBH1
t
RST
复位闲时间，在程序
复位闲时间，在擦除
t
CLLRL
t
DZRL
t
EHBH
t
EHEL
t
EHQZ
t
ELQV
t
RHBL
t
RHRL
t
RHQZ
t
RLRH
t
RLRL
t
RLQV
t
CLR
t
IR
t
CRY
t
CEH
t
CHZ
t
CEA
t
RB
t
REH
t
RHZ
t
RP
t
RC
t
REA
命令锁存低到读使能低
数据高阻阅读启用低
芯片使能高到就绪/忙高（E截获读）
芯片使能高到芯片使能低
(2)
芯片使能高到输出高阻
芯片使能低到输出有效
读使能高到就绪/忙低
读使能高到
读使能低
读使能高保持时间
读使能高到输出高阻
读使能低
读使能高
读使能低
读使能低
读使能低
输出有效
写使能高到
就绪/忙高
读选通脉冲宽度
读周期时间
读使能访问时间
阅读ES访问时间
(3)
阅读闲时间， 128MB， 256MB，
512MB双芯片
阅读闲时间，512MB ，1GB
t
WHBH
t
WHBL
t
WHRL
t
WLWL
t
R
t
WB
t
WHR
t
WC
写使能高到就绪/忙低
写使能高到读使能低
写使能低到
写使能低
写周期时间
注： 1。时间准备取决于上拉电阻连接到就绪/忙脚的价值。参见图
34, 35
和
36.
2.要打破顺序读周期，E必须保持高比长吨
EHEL
.
3. ES =电子签名。
38/57
