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NAND128 -A ， NAND256 -A ， NAND512 -A ， NAND01G -A
DC和AC参数
本节总结了操作和测
surement条件以及DC和AC字符
该装置的开创性意义。在DC中的参数
和AC特性表后面，是否变形
从下测量进行的测试源性
换货
条件
总结
in
表
16 ，操作和AC测量条件。
设计者应检查运行情况
在他们的电路系统蒸发散相匹配的测量条件
依托报价参数时，系统蒸发散。
表16.操作和AC测量条件
NAND闪存
参数
民
1.8V器件
电源电压（V
DD
)
3V器件
1级
环境温度（T
A
)
六年级
1.8V器件
负载电容（C
L
） （ 1 TTL门和C
L
)
3V器件（ 2.7 - 3.6V ）
3V器件（ 3.0 - 3.6V ）
1.8V器件
输入脉冲电压
3V器件
1.8V器件
输入和输出时序参考。电压
3V器件
输入上升和下降时间
输出电路的电阻，R
REF
1.5
5
8.35
V
ns
k
0.4
0.9
0
1.7
2.7
0
–40
30
50
100
V
DD
2.4
最大
1.95
3.6
70
85
V
V
°C
°C
pF
pF
pF
V
V
V
单位
表17.电容
符号
C
IN
C
I / O
参数
输入电容
输入/输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
IL
= 0V
典型值
最大
10
10
单位
pF
pF
注：t
A
= 25 ° C，F = 1兆赫。
IN
和C
I / O
是不是100 ％测试。
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