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DDR2和DDR3 SDRAM
表14
提供了DDR容量的时候GV
DD
（类型） = 1.8 V.
表14. DDR2 SDRAM容量为GV
DD
（典型值）= 1.8 V
参数/条件
输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
三角洲输入/输出电容： DQ ， DQS ， DQS
符号
C
IO
C
DIO
民
6
—
最大
8
0.5
单位
pF
pF
笔记
1, 2
1, 2
注意：
1.该参数进行采样。 GV
DD
= 1.8 V± 0.090 V（用于DDR2 ） ， F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.2V。
2.该参数进行采样。 GV
DD
= 1.5 V± 0.075 V（支持DDR3 ） ， F = 1 MHz时，T
A
= 25 ° C，V
OUT
= GV
DD
/2, V
OUT
（峰 - 峰值） = 0.175 V.
表15
为MV的电流消耗特性
REF
.
表15.电流消耗特性MV
REF
参数/条件
电流消耗MV
REF
n
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
符号
I
MVREFn
民
—
最大
1500
1250
单位
μA
记
1
对于MV 1.稳压器
REF
必须能提供高达500
μA
1250 uA的电流分别为DDR2和DDR3 。
2.6.2
DDR2和DDR3 SDRAM接口AC电气特性
本节提供了交流电气特性的DDR SDRAM控制器的接口。 DDR控制器支持
DDR2和DDR3内存。请注意，尽管该最小数据速率对于大多数现成的，货架一根内存
可为800 MHz时， JEDEC规范确实让DDR3在数据速率低达606 MHz的运行。除非另有
规定，本节DDR3描述的AC时序规范适用于606 MHz和之间的数据传输速率
667 ，只要使用的DDR3内存的DC与AC规范都符合JEDEC两种规格
以及这个MPC8535E硬件规范文档中描述的规范和要求。
2.6.2.1
DDR2和DDR3 SDRAM接口输入AC时序规范
表16. DDR2 SDRAM输入AC时序规格为1.8 V接口
表16
通过
表18
提供输入AC时序规格为DDR控制器。
在与GV推荐工作条件
DD
1.8伏± 5％
参数
AC输入低电压
667
<=533
交流输入高电压
667
<=533
符号
V
ILAC
民
—
—
最大
MV
REF
– 0.20
MV
REF
– 0.25
—
—
单位
V
V
V
V
V
IHac
MV
REF
+ 0.20
MV
REF
+ 0.25
MPC8535E的PowerQUICC III集成处理器的硬件规格，第2版
32
飞思卡尔半导体公司
