SOT- 23塑封装晶体管
MMBTA42
特点
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
补充MMBTA92 （ PNP ）
标记： 1D
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
300
300
5
0.3
0.35
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
晶体管（ NPN ）
SOT-23
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
TEST
条件
民
300
300
5
0.25
0.1
60
100
60
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
200
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=200V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=1mA
V
CE
=10V,I
C
=10mA
V
CE
=10V,I
C
=30mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
V
CE
=20V,I
C
=10mA,f=30MHz
