SMD高压
晶体管（ NPN ）
MMBTA42
贴片高压晶体管（ NPN ）
特点
该器件是专为应用程序的视频输出驱动的色彩
CRT与其它高电压应用。
符合RoHS标准
SOT-23
机械数据
案例：
终端：
重量：
SOT -23 ，塑料包装
每MIL -STD- 202G ，方法208
0.008克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
标识代码
描述
MMBTA42
1D
300
300
6
500
250
150
-55到+150
V
V
V
mA
mW
°C
°C
单位
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
功耗达至T
A
=25°C
结温
存储温度范围
TAITRON零部件股份有限公司
www.taitroncomponents.com
联系电话： （ 800 ） -TAITRON
传真： （ 800 ） -TAITFA
(800)-824-8766
(800)-824-8329
(661)-257-6060
(661)-257-6415
版本A / AH 2008-06-12
第1页3
贴片高压晶体管（ NPN ）
MMBTA42
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
MMBTA42
符号
描述
分钟。
25
马克斯。
-
-
-
-
-
-
0.5
0.9
0.1
0.1
-
3
V
V
V
V
V
μA
μA
兆赫
pF
单位
条件
V
CE
=10V,
I
C
=1mA
V
CE
=10V,
I
C
=10mA
V
CE
=10V,
I
C
=30mA
I
C
=1mA,
I
B
=0
I
C
=100A,
I
E
=0
I
E
=100A,
I
C
=0
I
C
=20mA,
I
B
=2mA
I
C
=20mA,
I
B
=2mA
V
BE
=6V,
I
C
=0
V
CB
=200V,
I
E
=0
V
CE
=20V,
I
C
=10mA,
f
=35MHz
V
CB
=20V,
I
E
=0,
f
=1.0MHz,
h
FE
直流电流增益
40
40
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
EBO
I
CBO
f
T
C
re
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 基极截止电流
电流增益带宽积
反馈电容
300
300
6
-
-
-
-
50
-
版本A / AH 2008-06-12
www.taitroncomponents.com
分页： 1 2 3
贴片高压晶体管（ NPN ）
MMBTA42
尺寸（mm）
SOT-23
如何联系我们：
美国总部
28040西哈里森PARKWAY ，瓦伦西亚，CA 91355-4162
联系电话： （ 800 ） TAITRON （ 800 ） 824-8766 （ 661 ） 257-6060
传真： （ 800 ） TAITFAX （ 800 ） 824-8329 （ 661 ） 257-6415
电子邮件：
taitron@taitroncomponents.com
Http://www.taitroncomponents.com
TAITRON组件墨西哥， S.A .DE C.V。
中央大道5000室内5 PARQUE工业ATITALAQUIA ，伊达尔戈CP
42970 MEXICO
电话： + 52-55-5560-1519
传真： + 52-55-5560-2190
TAITRON组件INCORPORATED REPRESENTAES DO BRASIL LTDA
RUA DOMINGOS DE MORAIS ， 2777 ， 2.ANDAR ， SALA 24 SADE - 圣保罗 - SP 04035-001 BRAZIL
电话： + 55-11-5574-7949
传真： + 55-11-5572-0052
TAITRON组件INCORPORATED上海代表处
首都银行大厦1160西延安路， SUITE 1503 ，上海， 200052 ，中国
电话： + 86-21-5424-9942
传真： + 86-21-5424-9931
版本A / AH 2008-06-12
www.taitroncomponents.com
第3页3
MMBTA42
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ NPN ）
特点
*高击穿电压
*低集电极 - 发射极饱和电压
*为了配合MMBTA92 （ NPN ）
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
集热器
3
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
1
BASE
2
辐射源
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
25评分
o
C环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
0.110(2.80)
2
0.118(3.00)
尺寸以英寸（毫米）
o
最大额定值
( @ T
A
= 25°C除非另有说明）
评级
集电极电流连续
集电极耗散功率
符号
I
C
P
C
T
J
T
英镑
价值
0.3
350
150
-55到+150
单位
A
mW
o
o
马克斯。工作温度范围
存储温度范围
C
C
电气特性
( @ T
A
= 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
=100uA,I
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
=1mA,I
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
=100uA,I
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
=200V,I
E
=0)
发射极截止电流（V
EB
=5V,I
C
=0)
(V
CE
=10V,I
C
=1mA)
直流电流增益
(V
CE
=10V,I
C
=10mA)
(V
CE
=10V,I
C
=30mA)
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
=20mA,I
B
=2mA)
基射极饱和电压（I
C
=20mA,I
B
=2mA)
过渡频率（V
CE
=20V,I
C
=10mA,f=30MHz)
注： "Fully ROHS Complant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
h
FE(2)
h
FE(3)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
分钟。
300
300
5
-
-
60
100
60
-
-
50
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
0.25
0.1
-
200
-
0.2
0.9
-
单位
V
V
V
uA
uA
-
-
-
V
V
兆赫
2007-5
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
MMBTA42 / MMBTA43
NPN硅高压晶体管
对于高压开关和放大器应用。
互补型的PNP晶体管
MMBTA92 MMBTA93和建议。
SOT- 23塑料包装
SOT- 23塑料包装
SOT- 23塑料包装
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
符号
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
连续集电极电流
器件总功耗FR- 5局
减免上述25
O
C
热阻结到环境
结温和存储温度
1)
1)
价值
MMBTA42
MMBTA43
200
200
6
500
200
1.8
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
O
C
O
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
300
300
6
R
θJA
T
J
, T
s
417
-55到+150
C / W
O
C
FR- 5 = 1× 0.75× 0.062英寸
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
MMBTA42 / MMBTA43
特点在T
AMB
=25
O
C
符号
直流电流增益
在V
CE
= 10Vdc的，我
C
=1mA
在V
CE
= 10Vdc的，我
C
=10mA
在V
CE
=10Vdc,I
C
=30mA
集电极 - 发射极饱和电压
在我
C
= 20mA时，我
B
=2mA
基极发射极饱和电压
在我
C
= 20mA时，我
B
=2mA
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
=200V
at
V
CB
=160V
发射Cuto FF电流
在V
EB
=6V
at
V
EB
=4V
集电极基极击穿电压
在我
C
=100A
集电极发射极击穿电压
在我
C
=1mA
发射极基极击穿电压
在我
E
=100A
电流增益带宽积
在V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
集电极电容基地
在V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
MMBTA42
MMBTA43
C
cb
C
cb
-
-
3
4
pF
pF
f
T
50
-
兆赫
V
（ BR ） EBO
6
-
V
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CEO
300
200
-
-
V
V
MMBTA42
MMBTA43
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CBO
300
200
-
-
V
V
MMBTA42
MMBTA43
I
EBO
I
EBO
-
0.1
0.1
A
A
MMBTA42
MMBTA43
I
CBO
I
CBO
-
-
0.1
0.1
A
A
V
BE （ SAT ）
-
0.9
V
MMBTA42
MMBTA43
V
CE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
-
-
0.5
0.5
V
V
这两种类型
这两种类型
MMBTA42
MMBTA43
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
25
40
40
40
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
马克斯。
单位
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
MMBTA42 / MMBTA43
120
h
FE
，直流电流增益
100
80
60
40
T
J
=+125°C
V
CE
=10Vdc
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
20
0
0.1
1.0
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图1.直流电流增益
TT ，电流增益带宽（MHz ）
C，电容（pF ）
100
C
eb
@ 1MHz的
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50 70 100
V
CE
=20V
f=20MHz
T
J
=20°C
10
1
C
cb
@ 1MHz的
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
R
，反向电压（伏）
图2.电容
IC ，集电极电流（毫安）
图3.电流增益带宽
1.4
1.2
A
V
BE
（SAT） @ -55 ° C，I
C
/I
B
=10
B
V
BE
（上） @ -55°C ，V
CE
=10V
C
V
BE
（SAT） @ 125 ° C，I
C
/I
B
=10
D
V
BE
（SAT） @ 25 ° C，I
C
/I
B
=10
E
V
BE
（上） @ 125° C，V
CE
=10V
F
V
BE
（上） @ 25 ° C，V
CE
=10V
G
V
CE
（SAT） @ 125 ° C，I
C
/I
B
=10
H
V
CE
（SAT） @ 25 ° C，I
C
/I
B
=10
I
V
CE
（SAT） @ -55 ° C，I
C
/I
B
=10
0.1
1.0
10
100
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I
C
，集电极电流（毫安）
图4."on"电压
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 20/10/2005
SOT- 23塑封装晶体管
MMBTA42
特点
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
补充MMBTA92 （ PNP ）
标记： 1D
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
300
300
5
0.3
0.35
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
1.基地
2.辐射源
3.收集
晶体管（ NPN ）
SOT-23
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
h
FE(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
TEST
条件
民
300
300
5
0.25
0.1
60
100
60
0.2
0.9
50
V
V
兆赫
200
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=200V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=10V,I
C
=1mA
V
CE
=10V,I
C
=10mA
V
CE
=10V,I
C
=30mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
I
C
=20mA,I
B
=2mA
V
CE
=20V,I
C
=10mA,f=30MHz
包装机械数据
MMBTA42
3
包装机械数据
为了满足环保要求， ST提供的ECOPACK这些设备
包。这些包有无铅二级互连。类别
第二级互连标记在包装和内盒上的标签，在
符合JEDEC标准JESD97 。有关焊接的最大额定值
条件也标志着内盒上的标签。 ECOPACK是ST的商标。
ECOPACK规范可在这里：
www.st.com
4/8
MMBTA42 / MMBTA43
MMBTA42 / MMBTA43
NPN
版本2005-06-21
1.1
表面贴装高压晶体管
Hochspannungs - Transistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗
Verlustleistung
±0.1
NPN
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
2.9
±0.1
0.4
3
1.3
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体[ MM]
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MMBTA42
300 V
300 V
6V
250毫瓦
1
)
500毫安
-65...+150°C
-65…+150°C
MMBTA43
200 V
200 V
T
j
T
S
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 200 V
I
E
= 0, V
CB
= 160 V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 6 V
I
C
= 0, V
EB
= 4 V
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
2
)
I
C
= 20 mA时，我
B
= 2毫安
V
BESAT
–
MMBTA42
MMBTA43
I
EB0
I
EB0
V
CESAT
–
–
–
MMBTA42
MMBTA43
I
CB0
I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
100 nA的
100 nA的
100 nA的
100 nA的
500毫伏
900毫伏
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
1
2
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MMBTA42 / MMBTA43
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 30毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
V
CE
= 10 V，I
C
= 20 mA时， F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 20 V，I
E
=i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
标记 - Stempelung
MMBTA42
MMBTA43
C
CB0
C
CB0
R
THA
–
–
–
–
< 420 K / W
1
)
MMBTA92 ， MMBTA93
MMBTA42 1D =
MMBTA43 = 1E
3 pF的
4 pF的
f
T
50兆赫
–
–
h
FE
h
FE
h
FE
25
40
40
–
–
–
–
–
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
1
安装在P.C。主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
SPICE模型： MMBTA42
MMBTA42
NPN小信号表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
互补PNP类型可用
(MMBTA92)
非常适用于低功率放大和开关
无铅/符合RoHS （注4 ）
符合AEC -Q101标准高
可靠性
A
C
SOT-23
暗淡
B
C
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
α
B
E
顶视图
E
D
G
H
K
J
L
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202，方法
208
无铅电镀（雾锡完成退火
在合金引线框架42 ） 。
标记（见第2页） ： K3M
订购&日期代码信息：参见第2页
重量： 0.008克（近似值）
M
尺寸：mm
最大额定值
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
d
R
θJA
T
j
, T
英镑
价值
300
300
6.0
500
300
417
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
集电极电流（注1 ） （注3 ）
功率耗散（注1 ）
热阻，结到环境（注1 ）
操作和储存和温度范围内
电气特性
特征
开关特性（注2 ）
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征（注2 ）
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
小信号特性
输出电容
电流增益带宽积
注意事项：
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
民
300
300
6.0
25
40
40
50
最大
100
100
单位
V
V
V
nA
nA
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
= 0
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
B
I
E
= 100μA ，我
C
= 0
V
CB
= 200V ，我
E
= 0
V
CE
= 6.0V ，我
C
= 0
I
C
= 1.0毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 30mA时V
CE
= 10V
I
C
= 20mA时，我
B
= 2.0毫安
B
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
C
cb
f
T
0.5
0.9
3.0
V
V
pF
兆赫
I
C
= 20mA时，我
B
= 2.0毫安
B
V
CB
= 20V ， F = 1.0MHz的，我
E
= 0
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安，
F = 100MHz的
1.装置安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;如图所示的二极管公司焊盘布局建议焊盘布局
文件AP02001 ，它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
2.短持续时间脉冲试验中使用，以尽量减少自热效应。
3.当由热阻率所限定的安全操作区域内的集电极发射极饱和条件下运行（R
θ
JA
），功率
额定功耗（P
d
）和功率降额曲线（图1 ） 。
4.没有故意添加铅。
DS30062牧师10 - 2
1第3
www.diodes.com
MMBTA42
Diodes公司
订购信息
（注5 ）
设备
MMBTA 42-7 -F
注意事项：
5.
包装
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
K3M
日期代码的关键
YEAR
1998
CODE
J
MONTH
CODE
YM
K3M =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如： N = 2002年
M =月前： 9 =九月
1999
K
2000
L
JAN
1
2001
M
FEB
2
2002
N
MAR
3
2003
P
APR
4
2004
R
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
2007
U
八月
8
2008
V
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30062牧师10 - 2
3 3
www.diodes.com
MMBTA42
Diodes公司
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MMBTA42
高压RANSISTOR
描述
在UTC
MMBTA42
是高电压晶体管，设计用于
电话交换机和高电压开关。
NPN硅晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
=300V
*高电流增益
*集电极耗散：P
C（最大值）
=350mW
*无铅电镀产品编号： MMBTA42L
订购信息
订单号
正常
无铅电镀
MMBTA42-AE3-R
MMBTA42L-AE3-R
包
SOT-23
引脚分配
1
2
3
E
B
C
填料
带盘
MMBTA42L-AE3-R
（ 1 ）包装类型
（ 2 ）封装类型
（ 3 ）铅电镀
（ 1 ）R ：带卷轴
（ 2 ） AE3 ： SOT -23
（ 3）L ：无铅电镀，空白：铅/锡
记号
1D
铅电镀
www.unisonic.com.tw
2005 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
绝对最大额定值
(Ta=25℃)
参数
NPN硅晶体管
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压
V
CBO
300
V
集电极 - 发射极电压
V
首席执行官
300
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
6
V
集电极耗散（T
A
=25℃)
P
C
350
mW
集电极电流
I
C
500
mA
℃
结温
T
J
+150
℃
储存温度
T
英镑
-55 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
J
= 25 ℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
电流增益带宽积
集电极电容基地
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
cb
测试条件
IC = 100μA ，我
E
=0
IC = 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ， IC = 0
IC = 20mA时，我
B
=2mA
IC = 20mA时，我
B
=2mA
V
CB
= 200V ，我
E
=0
V
BE
= 6V ， IC = 0
V
CE
= 10V ， IC = 1毫安
V
CE
= 10V ， IC = 10毫安
V
CE
= 10V ， IC = 30毫安
V
CE
= 20V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
民
300
300
6
典型值
最大
单位
V
V
V
V
V
nA
nA
0.2
0.90
100
100
80
80
80
50
300
3
兆赫
pF
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
典型特征
直流电流增益与输出电流
1K
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
Ta=-50℃
V
CE
=5V
Ta=150℃
Ta=25℃
1K
500
200
100
50
20
10
5
2
1
1
NPN硅晶体管
直流电流增益与输出电流
V
CE
=10V
Ta=150℃
Ta=-50℃
Ta=25℃
2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
集电极发射极饱和主场迎战
集电极电流
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1.0
集电极发射极饱和主场迎战
集电极电流
0.9
0.8
0.7
0.6
I
C
/I
B
=10
V
CE
=5V
Ta=-50℃
Ta=150℃
Ta=25℃
Ta=-50℃
05
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
Ta=25℃
Ta=150℃
1 2
5 10 20 50 100 200 500
集电极电流，I
C
（MA ）
0.1
1
10
集电极电流，I
C
（MA ）
100
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
NPN硅晶体管
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW-R206-004,C
MMBTA42
高电压的NPN晶体管
表面贴装
集热器
3
SOT-23
3
1
1
BASE
2
辐射源
2
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
价值
300
300
5.0
500
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
=25 C
减免上述25℃
热阻，结到环境
结贮藏，温度
符号
PD
RJ-A
PD
RJ-A
TJ ， TSTG
最大
225
1.8
556
300
2.4
417
-55到+150
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
mW
毫瓦/ C
C / W
C
器件标识
MMBTA42=1D
电气特性
开关特性
(T
A
= 25°C除非另有说明）
符号
民
最大
单位
特征
集电极 - 发射极击穿电压
(3)
(I
C
=1.0mAdc.I
B
=0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 100 ADC ，我
E
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10位ADC ，我
C
=0)
底座截止电流（V
CB
= 200伏，我
E
=0)
发射极截止电流VEB = 3V ， IC = 0
1.FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062英寸
2.Alumina = 0.4× 0.3× 0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
3.Pulse测试：脉冲宽度300 μS ，占空比2.0 ％ 。
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
IC
BO
I
EBO
300
300
5.0
-
-
-
0.25
0.1
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
-
-
WEITRON
HTTP ： //www.weitron,com.tw
MMBTA42
电气特性
(TA=25
特征
C除非另有说明） （ Countinued ）
符号
民
我们将其R ON
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10V直流）
（ IC = 30 MADC ， VCE = 10V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
(3)
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
基射极饱和电压
(3)
（ IC = 20 MADC ， IB = 2.0 MADC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5伏， F =为130MHz ）
HFE(1)
HFE(2)
HFE(3)
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
25
100
25
-
-
200
-
0.5
0.9
-
VDC
VDC
-
fT
-50
-
兆赫
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMBTA42
典型特征
120
的hFE ， DC电流增益
我们将其R ON
100
80
60
40
20
0
0.1
TJ = + 125 C
25 C
-55 C
图1直流电流增益
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
IC ，集电极电流（毫安）
10
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
00
0.1
1.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
100
V
CE （ SAT ）
@ 25℃ ，我
C
I
B
= 10
V
CE （ SAT ）
@ 125 C，I
C
I
B
=10
V
CE （ SAT ）
@ -55℃ ，我
C
I
B
=10
V
BE （ SAT ）
@ 25℃ ，我
C
I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
@ 125 C，I
C
I
B
=10
V
BE （ SAT ）
@ -55℃ ，我
C
I
B
=10
V
BE（上）
@25 C,
V
CE
= 10V
V
BE（上）
@125 C,
V
CE
= 10V
V
BE（上）
@-55 C,
V
CE
= 10V
图2 "On"Voltages
尺，电流增益 - 带宽（MHz ）
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0
3.0
TJ = 25℃
V
EC
=20V
f=20MHz
5.0 7.0
10
20
30
50
70 100
IC ，集电极电流（毫安）
图中， 3电流增益带宽
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MMBTA42
SOT- 23封装外形尺寸
SOT-23
A
顶视图
D
E
G
H
B
C
K
J
L
M
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
民
0.35
1.19
2.10
0.85
0.46
1.70
2.70
0.01
0.89
0.30
0.076
最大
0.51
1.40
3.00
1.05
1.00
2.10
3.10
0.13
1.10
0.61
0.25
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
QQ：2880707522 复制
