修订- P11 ， “ 14年3月1日
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
AC电气特性
（1）测试条件
电源V oltage
（ VCC = 2.7 3.6V，除非另有说明）
2.7V~3.6V
输入脉冲
V
IH
=2.4V,V
IL
=0.4V
输入上升时间和f所有时间
5ns
参考erence列弗报
1TTL
DQ
CL
包括范围和
夹具电容
V
OH
=V
OL
=1.5V
过渡测量± 500mV的f光盘
稳态电压（F或T
en
,t
DIS
)
输出负载
Fig.1,CL=30pF
CL = 5pF的（十， TDIS ）
范围
图1输出负载
（ 2 ）读周期
符号
t
CR
t
a
(A)
t
a
(S1)
t
a
(S2)
t
a
(BC1)
t
a
(BC2)
t
a
（ OE）的
t
DIS
(S1)
t
DIS
(S2)
t
DIS
(BC1)
t
DIS
(BC2)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(S1)
t
en
(S2)
t
en
(BC1)
t
en
(BC2)
t
en
（ OE）的
参数
阅读CY CLE时间
地址访问时间
芯片选择1访问时间
芯片选择2存取时间
由TE控制1访问时间
由TE控制2存取时间
输出启用访问时间
输出禁止时间自动对焦吨呃S1高
输出禁止时间自动对焦吨呃S2低
输出禁止时间自动对焦吨呃BC1高
输出禁止时间自动对焦吨呃BC2高
输出禁止时间自动对焦吨ER OE高
输出使能时AF器S1低
输出使能时AF器S2高
输出使能时AF器BC1低
输出使能时AF器BC2低
输出使能时AF器OE低
地址后，数据V alid时间
民
70
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
25
10
10
10
10
5
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
t
V
(A)
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
写CY CLE时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址建立时间就为W
由TE控制1建立时间
由TE控制2建立时间
芯片选择1设置时间
芯片选择2建立时间
数据建立时间
数据保持时间
写RECOV ERY时间
输出禁止时间f光盘W低
输出禁止时间f光盘OE高
输出使能时间f光盘W高
输出使能时间f光盘OE低
民
70
55
0
60
60
60
60
60
35
0
0
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
25
25
5
5
ns
ns
ns
ns
单位
t
CW
t
w
(W)
t
su
(A)
t
su
（ A- WH ）
t
su
(BC1)
t
su
(BC2)
t
su
(S1)
t
su
(S2)
t
su
(D)
t
h
(D)
t
REC
(W)
t
DIS
(W)
t
DIS
（ OE）的
t
en
(W)
t
en
（ OE）的
4
