位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1716页 > M5M5V416BRT-70HI > M5M5V416BRT-70HI PDF资料 > M5M5V416BRT-70HI PDF资料2第3页
修订- P11 ， “ 14年3月1日
三菱的LSI
M5M5V416BTP,RT
4194304 - BIT （ 262144 - WORD 16位） CMOS静态RAM
功能
该M5M5V416BTP ， RT组织为262,144字
由16位。这些开发冰在单+ 2.7 3.6V工作
电源，并直接TTL兼容两者
输入和输出。它的F ully静态电路，需要的不是钟
没有裁判RESH ，并使其USEF UL认证。
的操作模式是由一个组合确定
dev的冰控制输入BC1， S1，S2 ，W和OE 。
每个模式中总结的F油膏表。
写操作执行whenev呃低列弗EL W
半岛erlaps与低利埃尔BC1和/或BC2和低
列夫·埃尔S1和高列弗EL S2。地址（ A0 A17 ）绝
成立BEF矿石写CY CLE ，必须在稳定
整个循环。
读操作是由s埃坦瓦，高列夫执行报
和OE在低利埃尔而BC1和/或BC2和S1和
S2是在一个ACTIV E状态（S1 = L ，S2 = H）。
当设置BC1在高列弗EL及其他引脚均处于
一个ACTIV ê阶段，上层由TE是在可选择的模式
该读写使能，和低通过TE
处于非选择的模式。和BC2设置在当
高列弗埃尔及其他引脚处于ACTIV ê阶段，低级
由德是在一个可选择的模式和上层由德是在一个
非可选模式。当设置BC1和BC2在
利高报或S1在高列弗EL或S2在低列弗EL ，
该芯片是一个非选择的模式，其中两个读
和写入disabled.In该模式中，输出级是在一个
高阻抗状态，从而允许或结与其他芯片和
通过BC1 ， BC2和S1 ， S2的存储器扩展。
电源供应C光凭目前被减小低至0.3μA （25℃ ，
一节皮卡尔） ，并且存储器的数据可以在+ 2V功率举行
供应，使电池后备电源在运行过程中
在非选择的模式F ailure或断电操作。
功能表
S1
H
L
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
S2 BC1 BC2 W OE
L X
X
X X
X
X X
L X
H X将
X
X X
x高
H
X X
H L
H
L X
H L
H
H L
H H
H L
H
H H
L
L
X
H H
L
H L
H H
H H
L
H L
L
L X
H L
L
H L
H L
L
H H
模式
非选择
非选择
非选择
非选择
DQ1~8
DQ9~16
写
读
写
读
写
读
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
DIN
DOUT
高-Z
ICC
待机
待机
待机
待机
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
ACTIV ê
框图
A
0
A
1
存储阵列
在此表中（注） "H"和"L"意味着VIH和VIL respectiv伊利。
"X"在这个表应该是"H"或"L" 。
DQ
1
262144字
×16 BITS
A
16
A
17
S1
S2
BC1
BC2
W
时钟
发电机
-
DQ
8
DQ
9
DQ
16
VCC
GND
OE
2
