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瑞萨的LSI
M5M5V208AKV
2097152 - BIT （ 262144 -字×8位）的CMOS静态RAM
功能
该M5M5V208AKV系列的操作模式是由一个确定
该装置的控制输入的S组合
1
,S
2
， W和OE 。
每个模式被概括在表的功能。
写周期执行每当低水平W和低重叠
S级
1
和高电平S
2
。该地址必须设置前
写周期，并且必须在整个周期内是稳定的。该数据是
锁存到细胞上的W，S的后缘
1
或S
2
，以先到为准
首先，需要的建立时间和保持时间相对于这些边缘是
维护。输出使能输入OE直接控制输出
阶段。设置在OE在高电平时，输出级是在高
阻抗状态，并在写周期中的数据总线争用问题
被消除。
读周期是通过设置W底高电平和OE在低执行
的水平，而S
1
和S
2
处于活动状态（S
1
= L，S
2
=H).
当值[S
1
在高电平或S
2
在一个低的水平，该芯片是在一个
无可选择的模式，其中阅读和写作都被禁止。在
该模式中，输出级处于高阻抗状态，从而使或 -
领带与其他芯片和内存扩展为S
1
和S
2
。电源
电源电流减小低至待机电流是
指定为我
CC3
还是我
CC4
和所述存储器中的数据可以在+ 2V功率举行
供给，从而使电池电源故障期间备份操作或者
在非选择的模式掉电操作。
功能表
S
1
X
H
L
L
L
S
2
L
X
H
H
H
W
X
X
L
H
H
OE
模式
DQ
X非选择高阻抗
X非选择高阻抗
DIN
X
写
DOUT
L
读
高阻抗
H
I
CC
待用
待用
活跃
活跃
活跃
注1 ：本表"H"和"L"意味着VIH和VIL分别。
2 ： "X"在这个表应该是"H"或"L" 。
框图
A2 18
A3 17
A4 16
A5 15
A6 14
A7 13
A12 12
A14 11
A16 10
A17 9
21 DQ1
22 DQ2
262144字
×8位
（ 1024行
X256柱
×8块）
23 DQ3
25 DQ4
26 DQ5
27 DQ6
28 DQ7
29 DQ8
数据
输入/
输出
地址
输入
A15
A13
7
4
时钟
发电机
A8 3
A9
2
5
写
W控制
输入
芯片
SELECT
输入
A11 1
A1 19
A0 20
A10 31
30 S1
6
S2
产量
32 OE启用
输入
8
24
V
CC
GND
(0V)
冯ision - A0.5
2
