三菱微型计算机
M306H2MC-XXXFP
单芯片16位CMOS微机
与数据采集控制器
在内存扩展模式和微处理器模式
（当与等待访问外部存储器区域，并选择复用总线）
读时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
40ns.max
TCYC
t
H（ RD- CS ）
(tcyc/2)ns.min
t
H（ BCLK -CS ）
4ns.min
CSI
ADI
/ DBI
t
D（ AD- ALE ）
(tcyc/2-40)ns.min
地址
t
H（ ALE -AD ）
30ns.min
数据输入
tac3(RD–DB)
地址
t
DZ （ RD -AD ）
8ns.max
t
H（ RD -DB ）
t
SU （ DB - RD ） 0ns.min
40ns.min
t
D（ AD- RD ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
40ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
ADI
BHE
ALE
RD
t
D（ BCLK - ALE ）
40ns.max
t
H（ BCLK - ALE ）
–4ns.min
t
H（ RD -AD ）
(tcyc/2)ns.min
t
H（ BCLK -RD ）
0ns.min
40ns.max
t
D（ BCLK -RD ）
写时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
40ns.max
TCYC
t
H（ BCLK -CS ）
t
H（ WR- CS ）
(tcyc/2)ns.min
4ns.min
CSI
t
D（ BCLK -DB ）
40ns.max
t
H（ BCLK -DB ）
4ns.min
数据输出
地址
ADI
/ DBI
地址
t
D（ AD- ALE ）
(tcyc/2–40)ns.min
t
D（ DB- WR ）
(tcyc*3/2–40)ns.min
t
H（ WR -DB ）
(tcyc/2)ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
ADI
BHE
ALE
40ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
t
D（ BCLK - ALE ）
40ns.max
t
H（ BCLK - ALE ）
–4ns.min
t
D（ AD- WR ）
0ns.min
t
H（ WR -AD ）
(tcyc/2)ns.min
t
H（ BCLK - WR ）
0ns.min
t
D（ BCLK - WR ）
WR ， WRL ，
WRH
40ns.max
测定条件：
V
CC
=5V
输入时序电压：决心与V
IL
=0.8V, V
IH
=2.5V
输出时序电压：决心与V
OL
=0.8V, V
OH
=2.0V
图4.6时序图（ 5 ）
1.0版
202
