三菱微型计算机
M306H2MC-XXXFP
单芯片16位CMOS微机
与数据采集控制器
在内存扩展模式和微处理器模式
（当访问与等待外部存储区）
读时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
40ns.max
t
H（ BCLK -CS ）
4ns.min
CSI
TCYC
t
H（ RD- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
40ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
ADI
BHE
ALE
t
D（ BCLK - ALE ） 40ns.max
t
H（ RD -AD ）
0ns.min
t
H（ BCLK - ALE ）
–4ns.min
t
D（ BCLK -RD ）
RD
DB
40ns.max
t
H（ BCLK -RD ）
0ns.min
t
ac2(RD–DB)
高阻
t
SU（ DB- RD ）
40ns.min
t
H（ RD -DB ）
0ns.min
写时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
40ns.max
t
H（ BCLK -CS ）
4ns.min
CSI
TCYC
t
H（ WR- CS ）
0ns.min
t
D（ BCLK -AD ）
40ns.max
t
H（ BCLK -AD ）
4ns.min
ADI
BHE
ALE
t
D（ BCLK - ALE ）
40ns.max
t
H（ WR -AD ）
0ns.min
t
H（ BCLK - ALE ）
–4ns.min
t
D（ BCLK - WR ）
WR ， WRL ，
WRH
DBI
t
D（ DB- WR ）
(tcyc–40)ns.min
40ns.max
t
H（ BCLK - WR ）
0ns.min
t
D（ BCLK -DB ）
40ns.max
t
H（ BCLK -DB ）
4ns.min
t
H（ WR -DB ）
0ns.min
测定条件：
V
CC
=5V
输入时序电压：决心与： V
IL
=0.8V, V
IH
=2.5V
输出时序电压：决心与： V
OL
=0.8V, V
OH
=2.0V
图4.5时序图（ 4 ）
1.0版
201
