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恩智浦半导体
LPC2939
ARM9微控制器的CAN ，LIN和USB
9.5动态特性：闪存和EEPROM
表40.闪存特性
T
AMB
=
40
C至+ 85
℃; V
DD （ CORE）
= V
DD （ OSC_PLL ）
; V
DD （ IO ）
= 2.7 V至3.6 V ;
V
DDA(ADC3V3)
= 3.0 V至3.6 V ;所有电压都相对于地面。
符号
N
恩度
t
RET
t
PROG
t
er
t
INIT
t
WR （ PG）
t
FL （ BIST ）
t
一（CLK）
t
a(A)
[1]
参数
耐力
保留时间
编程时间
擦除时间
初始化时间
页写时间
FL灰字BIST时间
时钟存取时间
地址访问时间
条件
[1]
民
10000
10
20
0.95
95
95
-
0.95
-
-
-
典型值
-
-
-
1
100
100
-
1
38
-
-
最大
-
-
-
1.05
105
105
150
1.05
70
63.4
60.3
单位
周期
岁月
岁月
ms
ms
ms
s
ms
ns
ns
ns
供电
无动力
字
全球
扇形
编程/擦除周期数。
表41. EEPROM特性
T
AMB
=
40
C至+ 85
℃; V
DD （ CORE）
= V
DD （ OSC_PLL ）
; V
DD （ IO ）
= 2.7 V至3.6 V ;
V
DDA(ADC3V3)
= 3.0 V至3.6 V ;所有电压都相对于地面。
符号
f
CLK
N
恩度
t
RET
参数
时钟频率
耐力
保留时间
供电
条件
民
200
100000
10
典型值
375
500000
-
最大
400
-
-
单位
千赫
周期
岁月
LPC2939_3
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产品数据表
版本03 - 2010年4月7日
78 99
