恩智浦半导体
LPC1311/13/42/43
32位ARM Cortex -M3微控制器
10.动态特性
10.1闪存
表11.闪存特性
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
C，除非另有规定ED 。
符号
N
恩度
t
RET
t
er
t
PROG
[1]
[2]
参数
耐力
保留时间
擦除时间
编程时间
条件
[1]
民
10000
10
20
95
[2]
典型值
-
-
-
100
1
最大
-
-
-
105
1.05
单位
周期
岁月
岁月
ms
ms
供电
无动力
部门或多个
连续的扇区
0.95
编程/擦除周期数。
编程时间给出了写256个字节RAM的闪光灯。必须将数据写入到闪存中的256字节的块。
10.2外部时钟
表12.动态特性：外部时钟
T
AMB
=
40
°
C至+ 85
°
℃; V
DD
在特定网络版范围。
[1]
符号
f
OSC
T
CY （ CLK ）
t
CHCX
t
CLCX
t
CLCH
t
CHCl 3
[1]
[2]
参数
振荡器频率
时钟周期时间
时钟高电平时间
时钟低电平时间
时钟上升时间
时钟下降时间
条件
民
1
40
T
CY （ CLK ）
×
0.4
T
CY （ CLK ）
×
0.4
-
-
典型值
[2]
-
-
-
-
-
-
最大
25
1000
-
-
5
5
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
参数是有效的工作温度范围内，除非另有规定ED 。
典型的收视率都不能保证。所列的值是在室温（ 25
°C),
标称电源电压。
t
CHCl 3
t
CLCX
T
CY （ CLK ）
t
CHCX
t
CLCH
002aaa907
图20.外部时钟定时（至少有V的振幅
我（ RMS）
= 200毫伏）
LPC1311_13_42_43_2
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产品数据表
牧师02 - 2010年5月6日
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