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KM4132G271B
绝对最大额定值
（电压参考V
SS
)
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
CMOS SGRAM
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
直流工作条件
推荐工作条件（参考V = 0V电压）
SS
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
输出负载条件
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-5
-5
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
-
最大
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
5
5
见图1
单位
V
V
V
V
V
uA
uA
注1
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
注2
注3
记
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度
≤
5ns).
2.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DD
+ 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V 。
3. Dout为禁用， 0V
≤
V
OUT
≤
V
DD.
电容
(V
DD
/V
DDQ
= 3.3V ，T
A
= 25 ° C，F = 1MHZ ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
OUT
民
-
-
-
最大
4
4
5
单位
pF
pF
pF
参数
输入电容（A
0
~ A
9
)
输入电容
（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE ， DSF & DQM ）
数据输入/输出电容（DQ
0
？ DQ
31
)
去耦电容线路指南
推荐的去耦电容加到电源线板。
参数
V之间的退耦电容
DD
和V
SS
V之间的退耦电容
DDQ
和V
SSQ
符号
C
DC1
C
DC2
价值
0.1 + 0.01
0.1 + 0.01
单位
uF
uF
注意：
1. V
DD
和V
DDQ
销彼此分开。
所有V
DD
引脚连接在芯片上。所有V
DDQ
引脚连接在芯片上。
2. V
SS
和V
SSQ
销彼此分开
所有V
SS
引脚连接在芯片上。所有V
SSQ
引脚连接在芯片上。
-6-
修订版2.4 （ 1998年5月）
