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KM4132G271B
设备操作
银行激活
该行激活指令，用于在随机选择一排
闲置的银行。通过置低RAS和CS与所需的行
和存储体地址，行存取被启动。在读或写
吨的一个时间延迟之后的操作可能会发生
RCD
从时间（min）
银行激活。吨
RCD
（分钟）是一个内部定时参数
SGRAM ，因此它是依赖于工作时钟频率。
个时钟周期的行之间所需的最小数
激活和读或写命令应该由下式计算
划分吨
RCD
（分钟）与时钟的周期时间，然后四舍五入
断结果提供给下一个更大的整数。该SGRAM有两个
在内部相同的芯片和部分股份内部银行
电路，以减小芯片面积，因此它限制了活化
两岸的马上。期间还产生噪音
传感SGRAM各银行的高要求一些时间
电源恢复其他银行可以检测到前
可靠。吨
RRD
（分钟）指定之间所需的最小时间
激活不同的银行。所需的时钟周期的数目
不同的存储体的激活之间必须计算相似
t
RCD
规范。所需的银行的最短时间为
主动发起感应和恢复的完整的行
动力单元为t确定
RAS
（分）前的指定
预充电命令是有效的银行可以断言。该
任何银行可以在活动状态的最大时间被确定
经t
RAS
（最大值）。周期为T中的数
RAS
（分钟）和
t
RAS
（最大值） ，可以计算类似吨
RCD
特定连接的阳离子。
CMOS SGRAM
根据突发长度在相邻的地址周期和
爆序列。通过置低CS ， CAS和WE与有效
列地址，写入脉冲串的开始。输入的数据是
在相同的时钟周期作为规定的初始地址
猝发写命令。输入缓冲器的选择取消在端
突发长度的，即使内部写入不得
已完成呢。文字无法完成到爆
长度。突发写入可以通过发出一阵被终止
阅读和DQM用于阻断数据输入或猝发写在同一
或其他有效的银行。突发停止命令只适用于
整页的突发长度在写入继续到结束时
脉冲串和脉冲串被裹住。在写突发还可以
通过DQM阻止数据和预充电终止
银行"吨
RDL
"的最后一个数据输入之后被写入到
活动行。见DQM操作也。
DQM操作
DQM的用于屏蔽输入和输出操作。有用
类似的参考读取操作过程中和在禁止其写入
写操作。读延迟是指从DQM的两个周期
零周期进行写入，这意味着DQM的掩蔽发生2
循环中的读取周期之后，并且发生在同一周期中能很好地协同
荷兰国际集团的写周期。 DQM的操作是同步的时钟，
因此掩蔽发生为一个完整的周期。在DQM
信号是在写与读或突发中断重要
在预充电的SGRAM 。由于异步特性
内部写的DQM操作是至关重要的，以避免不必要的或
当不需要完整的突发写入未完成写操作。
DQM也可用于设备的选择，选择字节和公交车
控制中的存储器系统。 DQM0控制DQ0到DQ7 ，
DQM1控制DQ8到DQ15 ， DQM2控制DQ16到DQ23 ，
DQM3控制DQ24到DQ31 。 DQM掩盖了DQ的一个字节
无论那个对应的DQ的是在WPB的状态
屏蔽或屏蔽的像素。请参阅DQM的时序图
也。
突发读
猝发读命令用于访问数据突发上CON-
从活动行secutive时钟周期中有效的银行。该
由主张低CS和CAS发出一阵读命令
与WE处于高的时钟的正边缘。银行
必须至少激活吨
RCD
（分）突发读取之前的COM
命令发出。第一个显示输出的CAS延迟数
爆裂的问题后，时钟周期读取命令。爆
长，爆起一阵顺序和延迟读取的COM
命令是由模式寄存器，它是已经确定的亲
编程。突发读取可以在任何一列启动
活动行的地址。地址回绕如果初始
地址不从一个边界，使得若干输出启动
从每个我把/ O等于突发长度的编程
模式寄存器中。的输出变为高阻抗的
突发的结束，除非有新的突发读取发起，以保持
该数据输出无带隙。突发读取可以被终止
在发出新的突发读取或写入突发在同一银行或
其他活跃的银行或预充电命令相同的银行。
突发停止命令只适用于整页突发长度
其中输出不会进入高阻抗的端部
脉冲串和脉冲串被缠..
预充电
上一个活跃的银行所执行的预充电操作
主张低CS ， RAS ， WE和A
8
用有效的A
9
银行
被预充电。预充电命令可以断言
吨后，可随时
RAS
（分钟）是从银行激活的COM满意
命令中所需要的银行。 "吨
RP
"被定义为最小的时间
预充电银行必需的。时钟的最小数
完成行预充电所需要的周期是由计算
分"吨
RP
"与时钟周期时间和上舍入到下一个
更大的整数。应注意，以确保突发
写操作完成或DQM使用前预先以防止写入
充电命令是断言。最大时间任何银行可以
可以用t指定的活动
RAS
（最大值）。因此，每家银行有
T内进行预充电
RAS
（最大）
从银行
激活的COM
命令。在预充电结束时，该行进入空闲状态
并准备再次被激活。
突发写
突发写入命令类似突发读取命令，
用于将数据写入到连续时钟SGRAM
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修订版2.4 （ 1998年5月）
