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ISL6567
输入电容的选择
对于大容量输入电容的重要参数
额定电压和RMS电流额定值。对于可靠
操作时，用电压选择大容量输入电容器和
电流超过最大额定输入电压和
最大RMS电流的电路需要。电容器
额定电压应比大至少1.25倍
最大输入电压。该RMS电流输入所需
多相转换器可以与助剂来近似
图28.对于输入的RMS的一个更精确的计算
目前使用公式34 。
I
IN
(
RMS
)
=
D
-
I
O
(
D
–
D
)
+
I
L
,
PP
-----
12
2
2
2
RMS电流。最小化的连接路径的电感
高频去耦陶瓷电容（从
上MOSFET ，以降低MOSFET的源极）的流失。
对于大容量电容，电解数或高容量的MLC
电容器可以是需要的。对于表面贴装设计，固体
钽电容器都可以使用，但必须谨慎是
行使对于电容器的浪涌电流额定值。
这些电容器必须是能够处理
浪涌电流电。
应用系统DC公差
虽然ISL6567有严格的电压参考，
整个系统的直流公差可受
公差所用的其它组分。电阻
分频器用于设置输出电压将直接影响
该系统的直流电压容差。图29详细介绍
绝对最坏情况公差叠加为1％和0.1％的
反馈电阻器，并假设ISL6567是调节
在0.8 ％以上，其标称的参考。其他组件
公差累积可使用下列可查
方程，其中REF
TM
, R
PTM
和R
STM
在公差
对应于V乘法器
REF
, R
S
和R
P
上。
(
k
–
1
)
R
STM
+
R
PTM
-
REF
TM
------------------------------------------------------------ –
1
k
R
PTM
-
托尔
= -----------------------------------------------------------------------------------------------
100
（ EQ 。 35 ）
（ EQ 。 34 ）
0.3
输入电容电流（I
IN（ RMS ）
/I
O
)
0.2
0.1
I
L， PP
= 0
I
L， PP
= 0.5 ×1
O
I
L， PP
= 0.75 ×1
O
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
[%]
2.8
2.6
2.4
容差（ ％ ）
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
K = V
OUT
/V
REF
R
STM
= 1.001
R
PTM
= 0.999
REF
TM
= 1.008
R
STM
= 1.01
R
PTM
= 0.99
REF
TM
= 1.008
占空比（ V
O
/V
IN
)
图28.归一化输入RMS电流与占空比
循环两相转换器
由于输入电容负责采购交流
输入电流流入上的分量
的MOSFET ，其RMS电流容量必须足以
处理当前被上拉的交流分量
的MOSFET。图28可以被用来确定
输入电容RMS占空比电流的功能，
最大持续输出电流（I
O
） ，和的比
峰 - 峰值电感电流（I
L， PP
）到最大
持续负载电流，I
O
.
使用的输入旁路电容的组合来控制输入
电压纹波。使用陶瓷电容的高
高频去耦以及大容量电容器供应
图29.严重情况下系统DC调节
公差（V
REF
AT 0.8 ％，高于标称）
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FN9243.3
2009年5月28日
